本发明公开一种自旋轨道矩器件的制备方法，通过磁控溅射手段，通以氩气、氧气混合气体溅射高纯金属靶材，形成金属氧化物绝缘插层、强自旋轨道耦合层、铁磁性垂直自由层及非磁性氧化物层，并通过光刻、离子束刻蚀、套刻、去胶、光电子束蒸发镀膜等微纳加工工艺，通过电学输运测试及XPS刻蚀深度测量得到，底层绝缘氧化物的氧原子扩散影响重金属层及重金属/铁磁层界面，从而显著降低临界翻转电流及开关辅助磁场大小，临界翻转电流密度低至4×106A/cm2。类阻尼转矩和类场转矩这两种类型的自旋轨道转矩都明显增强，分别增至9.18Oe/mA和20.18Oe/mA，相比于无底层氧化层结构提高了85%。