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公开(公告)号：CN117778973A
公开(公告)日：2024-03-29
申请号：CN202311735719.5
申请日：2023-12-18
申请人： 南京大学
摘要： 本发明涉及一种多温区卷绕式磁控溅射镀膜机，包括线性磁控溅射靶(4)、卷料盒(7)、多温区衬底温控装置(8)，衬底材料通过所述卷料盒(7)在磁控溅射镀膜机内传输。磁控溅射镀膜机腔体内设有若干个衬底温控装置(8)，通过设置多温区衬底温控装置(8)的温度，可以实现衬底在不同区域的温度控制，进而实现多温区薄膜生长的有效控制；本发明能够在卷绕式磁控溅射镀膜机中实现多温区的控制，从而实现每层温度单独精确可控的多层膜电子材料的连续生长，提高溅射镀膜的多样性与可控性，有效提高电子材料与器件的性能和生产效率。
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公开(公告)号：CN116723756A
公开(公告)日：2023-09-08
申请号：CN202310472494.2
申请日：2023-04-27
申请人： 南京大学
摘要： 本发明涉及一种二维硒化钨‑氧化铝突触器件，自下而上依次设置为衬底层、氧化物层、硒化钨纳米片和电极层，其中电极层包括分别设置在硒化钨纳米片两端的源电极和漏电极，该技术方案提供的突触器件不仅具有良好的电响应行为，还表现出良好的持续导电现象，能够有效实现双脉冲易化、短时程可塑性、长时程可塑性和高通滤波等突触行为，有望在神经形态器件和电响应储存设备上应用。
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公开(公告)号：CN118910566A
公开(公告)日：2024-11-08
申请号：CN202410961154.0
申请日：2024-07-17
申请人： 南京大学
摘要： 本发明涉及一种高灵敏度VLEED自旋分析器靶材的原位制备方法，包括：使用分子束外延或磁控溅射技术原位真空制备表面原子级平整的高自旋极化率半金属磁性薄膜靶材，如Co2FeAl和Fe3O4，同时表面具有长时间的稳定性，从而增大电子在+Z及‑Z方向磁化的铁磁性靶上反射率的相对差异以及电子在薄膜上的反射率，提高VLEED电子自旋分析器的灵敏度以及稳定性。
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公开(公告)号：CN118234366A
公开(公告)日：2024-06-21
申请号：CN202410293883.3
申请日：2024-03-14
申请人： 南京大学
摘要： 本发明公开一种基于台阶结构的零场自旋磁存储器及制备方法，涉及磁性电子器件技术领域。通过高温退火在具有定向偏差角度的切角衬底上形成确定取向的台阶结构，制备了自旋轨道转矩磁隧道结器件。该自旋轨道转矩磁隧道结器件的层次结构自下而上依次为金属氧化物绝缘层、重金属强自旋轨道耦合层、磁性垂直自由层、隧道势垒层、磁性垂直参考层、人工反铁磁钉扎层以及覆盖层。本发明实现了零场下的自旋轨道转矩电流驱动的磁化翻转。无需引入额外的辅助磁场，即可实现稳定的数据写入。制备过程简单，存储密度高，具有非易失性和出色的热稳定性，且具备强大的实用性和拓展性，为可控磁性存储器和逻辑器件领域带来广阔的应用前景。
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公开(公告)号：CN111560649A
公开(公告)日：2020-08-21
申请号：CN202010303659.X
申请日：2020-04-16
申请人： 南京大学 , 浙江驰拓科技有限公司
IPC分类号： C30B23/02 , C30B23/00 , C30B29/52 , H01L43/10 , H01L43/12 , C23C14/24 , C23C14/18 , C23C14/54
摘要： 一种用于MRAM的磁性半金属材料的阻尼调控方法，采用分子束外延的生长方法在MgO衬底上生长变Al成分即偏化学计量比的Co2FeAl1+x单晶薄膜。x大于0.03，小于1。整个过程中，单晶薄膜的化学计量比是由元素Co、Fe、Al束源炉的温度控制蒸发量；且整个单晶薄膜生长过程由RHEED实时监控；偏化学计量比的定量分析来自于STEM的元素扩散的面积积分图；同时，还补充不同成分的Al元素，以确定最低阻尼的化学计量比。根据校准的结果，我们改变生长方法，使用偏化学计量比的生长方法，即补充Al的生长。最后使用Tr-MOKE进行磁性动力学测量。发现补充10％的Al元素可以有效的降低Co2FeAl的本征阻尼。
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公开(公告)号：CN114221203B
公开(公告)日：2023-11-03
申请号：CN202111160845.3
申请日：2021-09-30
申请人： 南京大学
摘要： 一种输出长时间稳定的极紫外脉冲光源装置，包括高功率飞秒激光器、差分气体作用装置和激光阻断装置；其中，高功率飞秒激光器发出飞秒级别的超短脉冲激光，经过平面反射镜和激光聚焦镜，聚焦于差分气体作用装置内；反应气体经过压力控制后连续注入到长度可调的气体盒子内并与激光相互作用产生高次谐波，辐射出EUV光；气体盒子被安装在差分腔室中，与外真空腔形成差分，有效维持了真空腔内的真空度；反应产生的EUV光和未转换的入射激光进入激光阻断装置，入射激光被衰减阻断，得到纯净的EUV光。
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公开(公告)号：CN116234419A
公开(公告)日：2023-06-06
申请号：CN202310513606.4
申请日：2023-05-09
申请人： 南京大学
摘要： 本发明公开一种自旋轨道矩器件的制备方法，通过磁控溅射手段，通以氩气、氧气混合气体溅射高纯金属靶材，形成金属氧化物绝缘插层、强自旋轨道耦合层、铁磁性垂直自由层及非磁性氧化物层，并通过光刻、离子束刻蚀、套刻、去胶、光电子束蒸发镀膜等微纳加工工艺，通过电学输运测试及XPS刻蚀深度测量得到，底层绝缘氧化物的氧原子扩散影响重金属层及重金属/铁磁层界面，从而显著降低临界翻转电流及开关辅助磁场大小，临界翻转电流密度低至4×106A/cm2。类阻尼转矩和类场转矩这两种类型的自旋轨道转矩都明显增强，分别增至9.18Oe/mA和20.18Oe/mA，相比于无底层氧化层结构提高了85%。
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公开(公告)号：CN114509924A
公开(公告)日：2022-05-17
申请号：CN202210167231.6
申请日：2022-02-23
申请人： 南京大学
摘要： 一种激光等离子体方式的极紫外光源发生及表征装置，包含高功率纳秒激光器、极紫外光源发生器、掠入射平场光谱仪、极紫外能量探测器和离子碎屑探测器；其中，高功率纳秒激光器发出高能量短脉冲激光，短脉冲激光经过平面反射镜和真空窗片进入极紫外光源发生器，随后短脉冲激光在发生器真空腔内被透镜聚焦并打到靶材上；靶材在短脉冲激光的作用下被加热、蒸发和电离，最终形成高温致密的等离子体，等离子体持续吸收激光能量并向外辐射极紫外光；掠入射平场光谱仪和极紫外能量探测器都与极紫外光源发生器输出窗口相连，分别实现对光源光谱的探测和对光源带内功率的定量测量。
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公开(公告)号：CN118159119A
公开(公告)日：2024-06-07
申请号：CN202410293865.5
申请日：2024-03-14
申请人： 南京大学
摘要： 本发明公开一种基于台阶结构的零场自旋磁存储器及制备方法，涉及磁性电子器件技术领域。通过高温退火在具有定向偏差角度的切角衬底上形成确定取向的台阶结构，制备了自旋轨道转矩磁隧道结器件。该自旋轨道转矩磁隧道结器件的层次结构自下而上依次为金属氧化物绝缘层、重金属强自旋轨道耦合层、磁性垂直自由层、隧道势垒层、磁性垂直参考层、人工反铁磁钉扎层以及覆盖层。本发明实现了零场下的自旋轨道转矩电流驱动的磁化翻转。无需引入额外的辅助磁场，即可实现稳定的数据写入。制备过程简单，存储密度高，具有非易失性和出色的热稳定性，且具备强大的实用性和拓展性，为可控磁性存储器和逻辑器件领域带来广阔的应用前景。
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公开(公告)号：CN115323319A
公开(公告)日：2022-11-11
申请号：CN202211089065.9
申请日：2022-09-07
申请人： 南京大学
摘要： 本发明公开了一种在MgO(001)衬底上制备高质量Fe3O4(001)薄膜的方法，使用磁控溅射装置在MgO(001)衬底上制备高质量Fe3O4(001)薄膜，安装靶材，获得腔体真空；衬底预处理；预溅射；溅射沉积薄膜；所述步骤1)中，使用高纯Fe即纯度大于99.95％靶材，腔体真空度达到1×10‑8Torr以上；溅射时衬底温度保持在300℃，样品台旋转速度5rpm，打开样品台挡板开始沉积薄膜，根据溅射的时间控制沉积薄膜的厚度；射频电源功率为50W。
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