Invention Publication
- Patent Title: 一种功率半导体器件的驱动回路杂散参数提取方法及系统
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Application No.: CN202211602688.1Application Date: 2022-12-09
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Publication No.: CN116257976APublication Date: 2023-06-13
- Inventor: 曾嵘 , 吴锦鹏 , 夏洪亮 , 余占清 , 赵彪 , 尚杰 , 陈政宇 , 刘佳鹏
- Applicant: 清华大学 , 国网湖北省电力有限公司
- Applicant Address: 北京市海淀区清华园;
- Assignee: 清华大学,国网湖北省电力有限公司
- Current Assignee: 清华大学,国网湖北省电力有限公司
- Current Assignee Address: 北京市海淀区清华园;
- Agency: 北京知联天下知识产权代理事务所
- Agent 张陆军; 张迎新
- Main IPC: G06F30/20
- IPC: G06F30/20 ; G06F30/33

Abstract:
本发明实施例公开了一种功率半导体器件的驱动回路杂散参数提取方法及系统,所述方法包括:将功率半导体器件的关断过程划分为n个关断阶段;针对n个所述关断阶段建立驱动回路杂散参数计算模型;实测n个所述关断阶段的电气参数波形;所述电气参数波形结合所述驱动回路杂散参数计算模型,通过线性拟合计算得到驱动回路中的杂散参数。本发明通过建立杂散参数计算模型,可准确地计算得到功率半导体器件的驱动回路中的杂散参数,便于验证驱动回路设计是否满足要求。
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