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公开(公告)号：CN112684317A
公开(公告)日：2021-04-20
申请号：CN202011441882.7
申请日：2020-12-08
Applicant: 清华大学 , 国网湖北省电力有限公司
Abstract: 一种压接式半导体芯片测试平台及测试方法，测试平台包括芯片连接组件，能够与被测芯片连接，所述芯片连接组件包括驱动端和输出端；金属导电部件，能够为被测芯片及芯片连接组件提供散热渠道和与外部电路之间形成电气回路；压力施加组件，用于向被测芯片施加可供调节的压力；外部电路，用于给被测芯片及连接组件提供阴阳极测试脉冲、电源、驱动，还用于检测被测芯片的输出，所述芯片连接组件中的所述驱动端和输出端能够与外部电路对应端口连接。该平台结构和功能简单，同时大幅降低测试台的体积与安装调试难度，实现时间和空间上更为方便。
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公开(公告)号：CN115881518A
公开(公告)日：2023-03-31
申请号：CN202211404235.8
申请日：2022-11-10
Applicant: 清华大学 , 国网湖北省电力有限公司
IPC: H01L21/027 , H01L21/31 , H01L29/06 , H01L29/30 , H01L21/332 , H01L29/74
Abstract: 本发明提供了一种半导体器件的钝化膜制备方法、半导体器件及GCT器件。其中半导体器件的钝化膜方法包括：在半导体器件基片上形成光刻掩膜层；对所述光刻掩膜层光刻形成一个或多个刻蚀缺口，其中所述刻蚀缺口的开口面积小于底面积或者剩余光刻掩膜层的刻蚀形成的刻蚀面所在的平面与光刻掩膜层表面所在的平面形成锐角；在形成有所述刻蚀缺口的半导体器件基片上沉积隔离物质，形成不连续的钝化膜；剥离所述光刻掩膜层。本发明通过在光刻掩膜层上设置开口面积小于底面积的刻蚀缺口，利用低温沉积及剥离工艺，能够更好地解决现有技术中钝化膜制作工艺很难实现线宽的精确控制及保证整个晶圆所有区域线宽的合格的问题。
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公开(公告)号：CN114927557A
公开(公告)日：2022-08-19
申请号：CN202210375628.4
申请日：2022-04-11
Applicant: 清华大学 , 国网湖北省电力有限公司
IPC: H01L29/06 , H01L29/74 , H01L21/332
Abstract: 本发明提供一种发射效率可控的半导体器件及其制作方法，半导体器件包括：第一掺杂剂区域、第二掺杂剂区域和第三掺杂剂区域，第一掺杂剂区域与阴极和第二掺杂剂区相连，第三掺杂剂区域与阳极和第二掺杂剂区域相连，其中，第一掺杂剂区域和第二掺杂剂区域的掺杂类型不同，第三掺杂剂区域和第二掺杂剂区域的掺杂类型不同，第三掺杂剂区域包括高掺杂层和低掺杂层；低掺杂层与第二掺杂剂区域相连，高掺杂层与阳极相连；高掺杂层采用非整面均匀掺杂，形成局部的隔离区域。本发明的发射效率可控的半导体器件及其制作方法，可以通过改变局部掺杂的结构，灵活调整IGCT等器件的阳极发射效率。
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公开(公告)号：CN114899098A
公开(公告)日：2022-08-12
申请号：CN202210358289.9
申请日：2022-04-07
Applicant: 清华大学 , 国网湖北省电力有限公司
IPC: H01L21/3213 , H01L21/67
Abstract: 本发明提供一种半导体器件表面金属电极选择性去除的方法和装置，所述半导体器件表面金属电极选择性去除的方法包括：把电源（A），阳极探针（E）、阴极探针（D）、电解液（H）和半导体芯片（J）上的金属电极（I）搭建成电解回路。本发明原理简单，通过简单的电路结构即可实现，且成本低，无需采用刻蚀等需要贵重设备的去除手段；无需制作掩模版，广泛适用于对目标区域不同的半导体芯片批量进行表面金属去除；避免了多次光刻中光刻胶质量问题对半导体芯片上目标区域之外的部分产生影响。本发明提出的半导体器件表面金属电极选择性去除的装置可结合自动探针台等辅助机械装置，实现自动定位和去除，可操作性强，适用于批量生产。
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公开(公告)号：CN113391116A
公开(公告)日：2021-09-14
申请号：CN202110288613.X
申请日：2021-03-17
Applicant: 清华大学 , 国网湖北省电力有限公司
IPC: G01R19/25
Abstract: 本发明提供了一种用于测量母线电流的传感器阵列，传感器阵列包括多个磁场传感器，多个磁场传感器环绕在待测电流的母线外周，且待测电流的母线为矩形母线。传感器阵列包括2组第一磁场传感器线性阵列、2组第二磁场传感器线性阵列，第一磁场传感器线性阵列的中心与矩形母线的长边中心重合，且第一磁场传感器线性阵列与长边相平行。第二磁场传感器线性阵列的中心与矩形母线的宽边中心重合，且第二磁场传感器线性阵列与宽边相平行。第一磁场传感器线性阵列与其相邻的第二磁场传感器线性阵列之间设有第三传感器阵列。传感器阵列能够削弱甚至消除母线的电流测量过程中的测量误差，从而确保母线电流测量的准确度及精度。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113391116B
公开(公告)日：2022-11-25
申请号：CN202110288613.X
申请日：2021-03-17
Applicant: 清华大学 , 国网湖北省电力有限公司
IPC: G01R19/25
Abstract: 本发明提供了一种用于测量母线电流的传感器阵列，传感器阵列包括多个磁场传感器，多个磁场传感器环绕在待测电流的母线外周，且待测电流的母线为矩形母线。传感器阵列包括2组第一磁场传感器线性阵列、2组第二磁场传感器线性阵列，第一磁场传感器线性阵列的中心与矩形母线的长边中心重合，且第一磁场传感器线性阵列与长边相平行。第二磁场传感器线性阵列的中心与矩形母线的宽边中心重合，且第二磁场传感器线性阵列与宽边相平行。第一磁场传感器线性阵列与其相邻的第二磁场传感器线性阵列之间设有第三传感器阵列。传感器阵列能够削弱甚至消除母线的电流测量过程中的测量误差，从而确保母线电流测量的准确度及精度。
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公开(公告)号：CN112684317B
公开(公告)日：2022-08-05
申请号：CN202011441882.7
申请日：2020-12-08
Applicant: 清华大学 , 国网湖北省电力有限公司
Abstract: 一种压接式半导体芯片测试平台及测试方法，测试平台包括芯片连接组件，能够与被测芯片连接，所述芯片连接组件包括驱动端和输出端；金属导电部件，能够为被测芯片及芯片连接组件提供散热渠道和与外部电路之间形成电气回路；压力施加组件，用于向被测芯片施加可供调节的压力；外部电路，用于给被测芯片及连接组件提供阴阳极测试脉冲、电源、驱动，还用于检测被测芯片的输出，所述芯片连接组件中的所述驱动端和输出端能够与外部电路对应端口连接。该平台结构和功能简单，同时大幅降低测试台的体积与安装调试难度，实现时间和空间上更为方便。
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公开(公告)号：CN116257976A
公开(公告)日：2023-06-13
申请号：CN202211602688.1
申请日：2022-12-09
Applicant: 清华大学 , 国网湖北省电力有限公司
Abstract: 本发明实施例公开了一种功率半导体器件的驱动回路杂散参数提取方法及系统，所述方法包括：将功率半导体器件的关断过程划分为n个关断阶段；针对n个所述关断阶段建立驱动回路杂散参数计算模型；实测n个所述关断阶段的电气参数波形；所述电气参数波形结合所述驱动回路杂散参数计算模型，通过线性拟合计算得到驱动回路中的杂散参数。本发明通过建立杂散参数计算模型，可准确地计算得到功率半导体器件的驱动回路中的杂散参数，便于验证驱动回路设计是否满足要求。
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公开(公告)号：CN113391115A
公开(公告)日：2021-09-14
申请号：CN202110288612.5
申请日：2021-03-17
Applicant: 清华大学 , 国网湖北省电力有限公司
IPC: G01R19/25
Abstract: 本发明提供了一种测量电流的圆形传感器阵列，包括圆环形PCB板，圆环形PCB板上均匀设有n个磁场传感器，其中n为≥2的整数，n个磁场传感器形成圆形传感器阵列。本发明的圆形传感器阵列测量电流时，将待测量电流值的导体置于圆环形PCB板的中心处，即圆形传感器阵列的中心处进行检测，其能够大大削弱如导线偏心、传感器噪声、附近导线干扰等情况造成的测量误差。
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公开(公告)号：CN214097705U
公开(公告)日：2021-08-31
申请号：CN202022950190.7
申请日：2020-12-08
Applicant: 清华大学 , 国网湖北省电力有限公司
Abstract: 一种压接式半导体芯片测试平台，测试平台包括芯片连接组件，能够与被测芯片连接，所述芯片连接组件包括驱动端和输出端；金属导电部件，能够为被测芯片及芯片连接组件提供散热渠道和与外部电路之间形成电气回路；压力施加组件，用于向被测芯片施加可供调节的压力，所述压力施加组件包括支承单元、固定在支承单元上的压力部，所述芯片连接组件、金属导电部件放置在支承底座上方中部；外部电路，用于给被测芯片及连接组件提供阴阳极测试脉冲、电源、驱动，还用于检测被测芯片的输出，所述芯片连接组件中的所述驱动端和输出端能够与外部电路对应端口连接。该平台结构和功能简单，同时大幅降低测试台的体积与安装调试难度，实现时间和空间上更为方便。
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