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公开(公告)号：CN112684317B
公开(公告)日：2022-08-05
申请号：CN202011441882.7
申请日：2020-12-08
申请人： 清华大学 , 国网湖北省电力有限公司
摘要： 一种压接式半导体芯片测试平台及测试方法，测试平台包括芯片连接组件，能够与被测芯片连接，所述芯片连接组件包括驱动端和输出端；金属导电部件，能够为被测芯片及芯片连接组件提供散热渠道和与外部电路之间形成电气回路；压力施加组件，用于向被测芯片施加可供调节的压力；外部电路，用于给被测芯片及连接组件提供阴阳极测试脉冲、电源、驱动，还用于检测被测芯片的输出，所述芯片连接组件中的所述驱动端和输出端能够与外部电路对应端口连接。该平台结构和功能简单，同时大幅降低测试台的体积与安装调试难度，实现时间和空间上更为方便。
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公开(公告)号：CN112684317A
公开(公告)日：2021-04-20
申请号：CN202011441882.7
申请日：2020-12-08
申请人： 清华大学 , 国网湖北省电力有限公司
摘要： 一种压接式半导体芯片测试平台及测试方法，测试平台包括芯片连接组件，能够与被测芯片连接，所述芯片连接组件包括驱动端和输出端；金属导电部件，能够为被测芯片及芯片连接组件提供散热渠道和与外部电路之间形成电气回路；压力施加组件，用于向被测芯片施加可供调节的压力；外部电路，用于给被测芯片及连接组件提供阴阳极测试脉冲、电源、驱动，还用于检测被测芯片的输出，所述芯片连接组件中的所述驱动端和输出端能够与外部电路对应端口连接。该平台结构和功能简单，同时大幅降低测试台的体积与安装调试难度，实现时间和空间上更为方便。
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公开(公告)号：CN115881518A
公开(公告)日：2023-03-31
申请号：CN202211404235.8
申请日：2022-11-10
申请人： 清华大学 , 国网湖北省电力有限公司
IPC分类号： H01L21/027 , H01L21/31 , H01L29/06 , H01L29/30 , H01L21/332 , H01L29/74
摘要： 本发明提供了一种半导体器件的钝化膜制备方法、半导体器件及GCT器件。其中半导体器件的钝化膜方法包括：在半导体器件基片上形成光刻掩膜层；对所述光刻掩膜层光刻形成一个或多个刻蚀缺口，其中所述刻蚀缺口的开口面积小于底面积或者剩余光刻掩膜层的刻蚀形成的刻蚀面所在的平面与光刻掩膜层表面所在的平面形成锐角；在形成有所述刻蚀缺口的半导体器件基片上沉积隔离物质，形成不连续的钝化膜；剥离所述光刻掩膜层。本发明通过在光刻掩膜层上设置开口面积小于底面积的刻蚀缺口，利用低温沉积及剥离工艺，能够更好地解决现有技术中钝化膜制作工艺很难实现线宽的精确控制及保证整个晶圆所有区域线宽的合格的问题。
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公开(公告)号：CN114927557A
公开(公告)日：2022-08-19
申请号：CN202210375628.4
申请日：2022-04-11
申请人： 清华大学 , 国网湖北省电力有限公司
IPC分类号： H01L29/06 , H01L29/74 , H01L21/332
摘要： 本发明提供一种发射效率可控的半导体器件及其制作方法，半导体器件包括：第一掺杂剂区域、第二掺杂剂区域和第三掺杂剂区域，第一掺杂剂区域与阴极和第二掺杂剂区相连，第三掺杂剂区域与阳极和第二掺杂剂区域相连，其中，第一掺杂剂区域和第二掺杂剂区域的掺杂类型不同，第三掺杂剂区域和第二掺杂剂区域的掺杂类型不同，第三掺杂剂区域包括高掺杂层和低掺杂层；低掺杂层与第二掺杂剂区域相连，高掺杂层与阳极相连；高掺杂层采用非整面均匀掺杂，形成局部的隔离区域。本发明的发射效率可控的半导体器件及其制作方法，可以通过改变局部掺杂的结构，灵活调整IGCT等器件的阳极发射效率。
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公开(公告)号：CN116257976A
公开(公告)日：2023-06-13
申请号：CN202211602688.1
申请日：2022-12-09
申请人： 清华大学 , 国网湖北省电力有限公司
摘要： 本发明实施例公开了一种功率半导体器件的驱动回路杂散参数提取方法及系统，所述方法包括：将功率半导体器件的关断过程划分为n个关断阶段；针对n个所述关断阶段建立驱动回路杂散参数计算模型；实测n个所述关断阶段的电气参数波形；所述电气参数波形结合所述驱动回路杂散参数计算模型，通过线性拟合计算得到驱动回路中的杂散参数。本发明通过建立杂散参数计算模型，可准确地计算得到功率半导体器件的驱动回路中的杂散参数，便于验证驱动回路设计是否满足要求。
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公开(公告)号：CN114899098A
公开(公告)日：2022-08-12
申请号：CN202210358289.9
申请日：2022-04-07
申请人： 清华大学 , 国网湖北省电力有限公司
IPC分类号： H01L21/3213 , H01L21/67
摘要： 本发明提供一种半导体器件表面金属电极选择性去除的方法和装置，所述半导体器件表面金属电极选择性去除的方法包括：把电源（A），阳极探针（E）、阴极探针（D）、电解液（H）和半导体芯片（J）上的金属电极（I）搭建成电解回路。本发明原理简单，通过简单的电路结构即可实现，且成本低，无需采用刻蚀等需要贵重设备的去除手段；无需制作掩模版，广泛适用于对目标区域不同的半导体芯片批量进行表面金属去除；避免了多次光刻中光刻胶质量问题对半导体芯片上目标区域之外的部分产生影响。本发明提出的半导体器件表面金属电极选择性去除的装置可结合自动探针台等辅助机械装置，实现自动定位和去除，可操作性强，适用于批量生产。
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公开(公告)号：CN214097705U
公开(公告)日：2021-08-31
申请号：CN202022950190.7
申请日：2020-12-08
申请人： 清华大学 , 国网湖北省电力有限公司
摘要： 一种压接式半导体芯片测试平台，测试平台包括芯片连接组件，能够与被测芯片连接，所述芯片连接组件包括驱动端和输出端；金属导电部件，能够为被测芯片及芯片连接组件提供散热渠道和与外部电路之间形成电气回路；压力施加组件，用于向被测芯片施加可供调节的压力，所述压力施加组件包括支承单元、固定在支承单元上的压力部，所述芯片连接组件、金属导电部件放置在支承底座上方中部；外部电路，用于给被测芯片及连接组件提供阴阳极测试脉冲、电源、驱动，还用于检测被测芯片的输出，所述芯片连接组件中的所述驱动端和输出端能够与外部电路对应端口连接。该平台结构和功能简单，同时大幅降低测试台的体积与安装调试难度，实现时间和空间上更为方便。
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公开(公告)号：CN118838378A
公开(公告)日：2024-10-25
申请号：CN202410863549.7
申请日：2024-06-29
申请人： 国网湖北省电力有限公司襄阳供电公司
IPC分类号： G05D1/46 , G05D109/20
摘要： 本发明提供了一种基于无人机的输电网智能巡检系统，包括无人机主体、图像采集单元、数据处理单元、无线通信单元和地面控制站。无人机主体配备飞行控制模块和动力装置，实现自主飞行和定点悬停。图像采集单元安装在无人机主体上，包含多个模块，用于获取输电线路的多光谱图像、热成像图像和三维点云数据。数据处理单元集成在无人机主体内，负责接收并处理来自图像采集单元的数据。无线通信单元也集成在无人机主体内，用于将处理后的数据传输至地面控制站。地面控制站用于接收、存储来自无人机的数据，进行故障分析和诊断。本发明通过多种传感器的集成和数据处理的自动化，实现了对输电网的高效、精准的巡检，显著提高了输电网维护的安全性和效率。
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公开(公告)号：CN118037463A
公开(公告)日：2024-05-14
申请号：CN202311680352.1
申请日：2023-12-08
申请人： 国网湖北省电力有限公司 , 北京国电通网络技术有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司
摘要： 本发明提供了一种数字化审计作业管理方法和系统，包括：基于被审单位的基本信息，生成的审计计划并在确认后开启审计项目；基于审计项目，在预先构建的数据预处理结果池中调取审计项目涉及的各个业务系统的业务数据对应的审计结果；基于审计结果，通过与预先制定的审计问题和意见进行分析得到审计成果并构建最终审计成果池，本发明通过自动生成审计计划并得到审计项目，再结合各个业务系统的业务数据进行自动进行审计工作，并将最终的审计成果送入最终审计成果池，从而实现了将各个业务系统的业务数据通过审计模型得到审计结果，并根据审计结果得到审计成果，从而减少审计成果会相对于实际的要求造成的偏差，使得审计成果全面。
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公开(公告)号：CN100470991C
公开(公告)日：2009-03-18
申请号：CN200710063246.3
申请日：2007-01-05
IPC分类号： H02H9/02
摘要： 故障限流器直流控制系统，属于饱和铁芯型电力线路故障限流器技术领域，其特征在于含有：磁能释放回路、第一快速开关IGBT1、励磁恢复回路和恒流回路。磁能释放回路由压敏电阻箝位、第一电容C1吸收能量、可控高压电压源来解决磁能释放时间控制。第一快速开关IGBT1断开时，磁能释放回路起磁能释放作用。励磁恢复回路通过第二快速开关IGBT2的导通来提供恢复励磁的能量，利用可控中压电压源来调整励磁恢复时间。恒流回路在正常状态时维持磁通。本发明用一个与上位机具有通信接口的单片机来实现全自动地完成，三个典型运行状况：限流器稳态运行、限流状态、重合闸状态。
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