本发明涉及溅射靶材技术领域，尤其涉及一种CoFeB靶材及其制备方法，制备方法包括如下步骤：(1)原材料坯料熔融；(2)二次加料；(3)搅拌；(4)熔体浇铸；(5)靶材制备。本发明的制备方法依次经过原材料坯料熔融、二次加料、搅拌后进行熔体浇铸直接得到组织均匀、性能良好的CoFeB铸锭，后续通过切片、机加工及焊接等工序制备得到CoFeB靶材，得到的CoFeB靶材具有密度高、组织均匀、氧含量低(≤100wtppm)等优点，能满足磁控溅射要求，可被广泛应用于制备磁头、磁阻传感器以及磁阻元件(MRAM)等领域。本发明的制备方法还可有效解决B含量升高带来的塑性差、易开裂问题。