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公开(公告)号：CN116288237A
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN202211636972.0
申请日：2022-12-16
申请人： 有研亿金新材料有限公司 , 有研亿金新材料(山东)有限公司
摘要： 本发明涉及溅射靶材技术领域，具体涉及一种高纯钴溅射靶材的制备方法、高纯钴溅射靶材及应用。所述方法包括以下步骤：(1)基体预处理：选择靶材基体，对基体表面进行加工处理，控制基体表面粗糙度在0.1μm以下；(2)高纯钴沉积：采用化学气相沉积法将高纯钴沉积到基体上，沉积时基体的温度保持在200‑400℃，得到高纯钴溅射靶材。本发明采用气相沉淀法直接在基体表面沉积，一步法直接得到高纯度钴溅射靶材，反应过程均匀，产品一致性好；金属钴直接沉积到背板上，靶材内应力小，透磁均匀性高，有利于保证钴靶材产品质量，且生产成本低。得到的钴靶PTF比传统的冷热轧制加退火的工艺要高，同时组织均匀，具有更好的磁控溅射性能。
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公开(公告)号：CN116288196A
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN202211610998.8
申请日：2022-12-14
申请人： 有研亿金新材料有限公司 , 有研亿金新材料(山东)有限公司
IPC分类号： C23C14/35 , C22C1/10 , C22C1/02 , C22C30/00 , C22C38/10 , C22C33/06 , C23C14/14 , B22D7/00 , C21C7/00
摘要： 本发明涉及溅射靶材技术领域，尤其涉及一种CoFeB靶材及其制备方法，制备方法包括如下步骤：(1)原材料坯料熔融；(2)二次加料；(3)搅拌；(4)熔体浇铸；(5)靶材制备。本发明的制备方法依次经过原材料坯料熔融、二次加料、搅拌后进行熔体浇铸直接得到组织均匀、性能良好的CoFeB铸锭，后续通过切片、机加工及焊接等工序制备得到CoFeB靶材，得到的CoFeB靶材具有密度高、组织均匀、氧含量低(≤100wtppm)等优点，能满足磁控溅射要求，可被广泛应用于制备磁头、磁阻传感器以及磁阻元件(MRAM)等领域。本发明的制备方法还可有效解决B含量升高带来的塑性差、易开裂问题。
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公开(公告)号：CN115029668B
公开(公告)日：2024-05-17
申请号：CN202210621833.4
申请日：2022-06-02
申请人： 有研亿金新材料有限公司 , 有研亿金新材料(山东)有限公司
摘要： 本发明公开了属于溅射靶材制备技术领域的一种叠轧制备高性能钽溅射靶材的方法。所述方法为：经过多向锻造后的高纯钽铸锭，先进行多向交叉轧制得到中间靶坯，然后将上述两个中间靶坯叠放固定后进行累积交叉叠轧，将靶坯与背板焊接得到钽溅射靶材；采用所述方法得到的高纯钽溅射靶材微观组织细小、均匀，溅射面为(111)含量分布均匀，整个厚度方向上，(111)含量≤50％，并且制备得到的高纯钽靶材微观组织均匀性高，能够满足大尺寸晶圆半导体溅射镀膜。
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公开(公告)号：CN115213512A
公开(公告)日：2022-10-21
申请号：CN202210896054.5
申请日：2022-07-27
申请人： 有研亿金新材料(山东)有限公司 , 有研亿金新材料有限公司
摘要： 本发明公开了属于材料焊接技术领域的一种脆性靶材的高性能焊接方法；所述方法包括在背板焊接面加工焊接槽，内径与靶坯外径配合，清洗去油，对靶材进行背金处理，对靶材和背板焊接面进行超声浸润In焊料；对靶材和背板进行配合焊接，将靶材焊接至背板焊接槽中，控制靶坯及背板的升温、降温制度，同时加压配重，冷却后得到高焊接质量靶材；本发明提供的方法，靶材焊合率高，焊合率≥98％，脆性靶材焊接不开裂，焊后靶材变形小，平面度≤0.5mm。
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公开(公告)号：CN115044876A
公开(公告)日：2022-09-13
申请号：CN202210620755.6
申请日：2022-06-02
申请人： 有研亿金新材料有限公司 , 有研亿金新材料(山东)有限公司
摘要： 一种小尺寸(靶面直径φ≤150mm，厚度≤7mm)高性能钽靶坯的制备方法，包括以下步骤：S1提供钽锭，S2镦粗、S3锻造拔长、S4退火、S5切割、S6冷轧、S7退火。按此工艺制备的钽靶坯具有如下特点：1.晶粒尺寸≤150μm；2.靶坯溅射面的{111}取向占比在50％以下，取向分布均匀，磁控溅射镀膜时靶坯具有优良的溅射性能。
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公开(公告)号：CN115029668A
公开(公告)日：2022-09-09
申请号：CN202210621833.4
申请日：2022-06-02
申请人： 有研亿金新材料有限公司 , 有研亿金新材料(山东)有限公司
摘要： 本发明公开了属于溅射靶材制备技术领域的一种叠轧制备高性能钽溅射靶材的方法。所述方法为：经过多向锻造后的高纯钽铸锭，先进行多向交叉轧制得到中间靶坯，然后将上述两个中间靶坯叠放固定后进行累积交叉叠轧，将靶坯与背板焊接得到钽溅射靶材；采用所述方法得到的高纯钽溅射靶材微观组织细小、均匀，溅射面为(111)含量分布均匀，整个厚度方向上，(111)含量≤50％，并且制备得到的高纯钽靶材微观组织均匀性高，能够满足大尺寸晶圆半导体溅射镀膜。
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公开(公告)号：CN115213512B
公开(公告)日：2023-12-12
申请号：CN202210896054.5
申请日：2022-07-27
申请人： 有研亿金新材料(山东)有限公司 , 有研亿金新材料有限公司
摘要： 本发明公开了属于材料焊接技术领域的一种脆性靶材的高性能焊接方法；所述方法包括在背板焊接面加工焊接槽，内径与靶材外径配合，清洗去油，对靶材进行背金处理，对靶材和背板焊接面进行超声浸润In焊料；对靶材和背板进行配合焊接，将靶材焊接至背板焊接槽中，控制靶材及背板的升温、降温制度，同时加压配重，冷却后得到高焊接质量靶材；本发明提供的方法，靶材焊合率高，焊合率≥98％，脆性靶材焊接不开裂，焊后靶材变形小，平面度≤0.5mm。
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公开(公告)号：CN219766722U
公开(公告)日：2023-09-29
申请号：CN202320143164.4
申请日：2023-02-07
申请人： 有研亿金新材料有限公司 , 有研亿金新材料(山东)有限公司
摘要： 本实用新型公开了一种钴铸锭制备用模具；其中冷却底垫、模具本体和模具冒口部由下至上顺序固接设置；加热保温装置设置于模具冒口部外；模具本体的中央设有圆柱形模具容腔；冷却底垫内部设置有底垫水冷结构；模具本体的侧壁内设有置螺旋状水冷管道。所述底垫水冷结构由多个不同内径、相同直径的环形水道组成，多个环形水道在圆形的冷却底垫内部呈同心环形分布。加热保温装置包括：加热线圈，加热线圈螺旋环绕在模具冒口部的周面外。本实用新型通过在冷却底垫和模具本体侧壁内设计水冷结构，在冒口设置加热保温装置，在铸锭浇注过程中，保证了铸锭由下至上的顺序凝固，提高了冒口的补缩能力，制备铸锭内部无气孔等缺陷。
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公开(公告)号：CN112853131B
公开(公告)日：2022-07-19
申请号：CN202011619011.X
申请日：2020-12-30
申请人： 有研亿金新材料有限公司
摘要： 本发明公开了属于高纯镍合金技术领域的一种高纯度低气体含量镍铂合金的制备方法。所述方法采用纯度≥99.99％的铂粉和纯度≥99.9995％的高纯镍制备，先对铂粉在高温高压下压制成高纯铂块，对高纯镍首先经过第一次熔炼并凝固除气，再将高纯铂块加入高纯镍中进行第二次熔炼得到镍铂合金。通过本方法得到的镍铂合金成分分布均匀，具有较高纯度和较低的气体含量。本发明制备的高纯度低气体含量的镍铂合金，能满足高端微电子用大尺寸高纯镍铂合金靶材的性能要求。
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公开(公告)号：CN113084289A
公开(公告)日：2021-07-09
申请号：CN202110290361.4
申请日：2021-03-18
申请人： 有研亿金新材料有限公司
摘要： 本发明公开了一种靶材与背板的高性能焊接方法，通过真空焊接技术，设计合理的焊接面排气花纹，克服常规焊接方法无法排除焊接面气体及焊料氧化膜混入的问题，对于高温焊接具有较大的优势，避免了高温焊接过程中焊料的氧化，同时，背板及靶材也得到保护，避免高温操作风险，操作简单，焊合率达到99％以上，局部最大未焊合率≤0.5％；本发明的焊接方法，克服了常规钎焊焊接方法焊接变形大问题，降低了靶材的焊接应力，焊接后靶材平面度≤0.5mm，通过后续调平技术，可保证靶材成品的厚度均匀性，提高靶材的性能；本发明的焊接方法，一炉可同时加工多块靶材，提高了生产效率，消除了焊接过程中人为因素的影响，可实现靶材焊接的批量化生产，稳定一致性高。
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