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公开(公告)号：CN116219446A
公开(公告)日：2023-06-06
申请号：CN202211546323.1
申请日：2022-12-05
申请人： 有研亿金新材料有限公司 , 有研亿金新材料(山东)有限公司
IPC分类号： C23G5/028
摘要： 一种集成电路用靶材的精密清洗方法，包括：(1)靶材在高纯有机溶剂清洗剂中进行高频超声清洗；(2)经步骤(1)超声清洗后的靶材浸泡在高纯共沸物有机溶剂清洗剂中进行漂洗；(3)靶材在蒸汽干燥箱中加热器对步骤(2)所用的高纯有机溶剂清洗剂进行加热，高纯有机溶剂清洗剂加热形成蒸汽清洗靶材，再停止加热溶剂，对靶材进行单独加热，干燥后得到洁净的靶材。所述工艺方法能够实现靶材在成品清洗过程中全程避免和水接触，有效杜绝靶材表面发生电化学反应的可能性，同时能够有效去除靶材表面可能存在的颗粒和油污等污染物，其清洗过程简单高效，整个清洗过程在密闭环境中进行，清洗液可以回收循环利用，排放少，实现集成电路用靶材的精密清洗。
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公开(公告)号：CN115029668B
公开(公告)日：2024-05-17
申请号：CN202210621833.4
申请日：2022-06-02
申请人： 有研亿金新材料有限公司 , 有研亿金新材料(山东)有限公司
摘要： 本发明公开了属于溅射靶材制备技术领域的一种叠轧制备高性能钽溅射靶材的方法。所述方法为：经过多向锻造后的高纯钽铸锭，先进行多向交叉轧制得到中间靶坯，然后将上述两个中间靶坯叠放固定后进行累积交叉叠轧，将靶坯与背板焊接得到钽溅射靶材；采用所述方法得到的高纯钽溅射靶材微观组织细小、均匀，溅射面为(111)含量分布均匀，整个厚度方向上，(111)含量≤50％，并且制备得到的高纯钽靶材微观组织均匀性高，能够满足大尺寸晶圆半导体溅射镀膜。
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公开(公告)号：CN114990502B
公开(公告)日：2024-10-11
申请号：CN202210621832.X
申请日：2022-06-02
申请人： 有研亿金新材料(山东)有限公司 , 有研亿金新材料有限公司
摘要： 一种磁控溅射用钽靶坯的制备方法，包括：提供钽锭，镦粗，将铸锭沿横截面切分；锻造拔长、退火热处理；冷轧1、退火热处理，冷轧2、退火热处理。按此工艺制备的钽靶坯具有如下特点：1.晶粒尺寸≤100μm；2.靶坯厚度方向上{100}/{110}/{111}织构分布均匀，镀膜时薄膜具有良好的厚度均匀性；3.有效减少了Ta靶坯常见的1/2厚度方向上{111}取向晶粒的富集，有效提高了钽靶的使用寿命。
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公开(公告)号：CN115369365A
公开(公告)日：2022-11-22
申请号：CN202211299706.3
申请日：2022-10-24
申请人： 有研亿金新材料有限公司 , 有研亿金新材料(山东)有限公司
摘要： 本发明公开了一种长寿命溅射靶材及其制备方法，长寿命靶材包括一体成型的溅射层和强化层，靶材的正面是溅射层，靶材的背面是强化层，强化层位于溅射层的背面，强化层的硬度大于溅射层的硬度，强化层的厚度大于3mm，强化层的厚度不超过长寿命溅射靶材总厚度的1/2。制备方法包括锻造、轧制变形加工和再结晶退火处理、切削加工、固定安装、搅拌摩擦强塑性变形加工、精加工等。本发明公开的靶材不需要增加背板，避免了高成本和流程复杂的扩散焊接工艺；且工艺简单灵活，搅拌摩擦加工可以实现10mm甚至更大深度的强烈塑性变形强化，远高于表面强化技术，并且能够精准控制强化层的厚度和区域，工艺简单，成本低，制备的靶材较常规靶材寿命显著提升。
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公开(公告)号：CN115029668A
公开(公告)日：2022-09-09
申请号：CN202210621833.4
申请日：2022-06-02
申请人： 有研亿金新材料有限公司 , 有研亿金新材料(山东)有限公司
摘要： 本发明公开了属于溅射靶材制备技术领域的一种叠轧制备高性能钽溅射靶材的方法。所述方法为：经过多向锻造后的高纯钽铸锭，先进行多向交叉轧制得到中间靶坯，然后将上述两个中间靶坯叠放固定后进行累积交叉叠轧，将靶坯与背板焊接得到钽溅射靶材；采用所述方法得到的高纯钽溅射靶材微观组织细小、均匀，溅射面为(111)含量分布均匀，整个厚度方向上，(111)含量≤50％，并且制备得到的高纯钽靶材微观组织均匀性高，能够满足大尺寸晶圆半导体溅射镀膜。
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公开(公告)号：CN114990502A
公开(公告)日：2022-09-02
申请号：CN202210621832.X
申请日：2022-06-02
申请人： 有研亿金新材料(山东)有限公司 , 有研亿金新材料有限公司
摘要： 一种磁控溅射用钽靶坯的制备方法，包括：提供钽锭，镦粗，将铸锭沿横截面切分；锻造拔长、退火热处理；冷轧1、退火热处理，冷轧2、退火热处理。按此工艺制备的钽靶坯具有如下特点：1.晶粒尺寸≤100μm；2.靶坯厚度方向上{100}/{110}/{111}织构分布均匀，镀膜时薄膜具有良好的厚度均匀性；3.有效减少了Ta靶坯常见的1/2厚度方向上{111}取向晶粒的富集，有效提高了钽靶的使用寿命。
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公开(公告)号：CN118699807A
公开(公告)日：2024-09-27
申请号：CN202411195254.3
申请日：2024-08-29
申请人： 有研亿金新材料有限公司 , 有研亿金新材料(山东)有限公司
摘要： 本发明公开了一种大尺寸靶材加工全流程自动化产线及靶材生产方法，属于靶材加工技术领域。本发明的自动化产线呈直线布置，包括地面轨道、机器人缓存托盘、机器人、MES系统装置、机床、工件翻转台、超声清洗池、上料台与下料台。本发明通过设置三台机床对工件进行加工，利用在机床前平行摆放的地面轨道及机器人缓存托盘移动机器人，通过对机器人的控制完成工件的搬运动作。同时，设置有工件翻转平台，与机器人搬运配合进行工件翻转，用于代替人工减少人力成本；机床中设置有防划伤夹具，可进一步减少靶材的划伤；上下料台的镂空圆孔及超声清洗池可减少靶材表面切削液残留，避免靶材氧化导致表面质量不合格；靶材加工信息与MES系统互联，便于管理。
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公开(公告)号：CN117758087A
公开(公告)日：2024-03-26
申请号：CN202311669914.2
申请日：2023-12-07
申请人： 有研亿金新材料有限公司 , 有研亿金新材料(山东)有限公司
摘要： 一种超高纯铜锰合金材料的熔炼方法，包含：S1配料，准备超高纯铜和高纯锰，并按照一定质量百分比进行配料；S2将原材料放入真空悬浮熔炼炉的水冷铜坩埚进行升温，经过熔化精炼后，浇注形成一次铸锭；S3将一次合金铸锭在电子束熔炼炉中经电子束熔炼，最终经过二次冷却与扒皮，得到高纯铜锰合金锭；这种熔炼方法在熔炼时采用水冷铜坩埚进行熔炼，有效的避免了真空感应炉熔炼时高纯锰与石墨坩埚发生反应，在后续的电子束熔炼后，铸锭的元素成分均匀；用电子束熔炼内部基本无缺陷，该熔炼流程既能保证铸锭内部缺陷较少，有较高成材率，还能让铸锭成分均匀。
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公开(公告)号：CN116288196A
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN202211610998.8
申请日：2022-12-14
申请人： 有研亿金新材料有限公司 , 有研亿金新材料(山东)有限公司
IPC分类号： C23C14/35 , C22C1/10 , C22C1/02 , C22C30/00 , C22C38/10 , C22C33/06 , C23C14/14 , B22D7/00 , C21C7/00
摘要： 本发明涉及溅射靶材技术领域，尤其涉及一种CoFeB靶材及其制备方法，制备方法包括如下步骤：(1)原材料坯料熔融；(2)二次加料；(3)搅拌；(4)熔体浇铸；(5)靶材制备。本发明的制备方法依次经过原材料坯料熔融、二次加料、搅拌后进行熔体浇铸直接得到组织均匀、性能良好的CoFeB铸锭，后续通过切片、机加工及焊接等工序制备得到CoFeB靶材，得到的CoFeB靶材具有密度高、组织均匀、氧含量低(≤100wtppm)等优点，能满足磁控溅射要求，可被广泛应用于制备磁头、磁阻传感器以及磁阻元件(MRAM)等领域。本发明的制备方法还可有效解决B含量升高带来的塑性差、易开裂问题。
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公开(公告)号：CN115753567A
公开(公告)日：2023-03-07
申请号：CN202310036978.2
申请日：2023-01-10
申请人： 有研亿金新材料有限公司 , 有研亿金新材料(山东)有限公司
IPC分类号： G01N15/10
摘要： 本发明涉及微粒计算技术领域，尤其涉及一种对铜或铜合金进行微粒计数的分析方法，将包括硝酸与纯水按照一定的比例混合，在常温下与铜或铜合金材料发生反应，将铜或铜合金材料溶解其中，再用碱性试剂将硝酸铜溶液中和，加入表面活性剂，定容摇匀，得到待测溶液。本发明得到的待测溶液为中性溶液，不会出现粒子在酸液中继续反应生成或者减少的可能，从而保证溶液中粒子稳定，同时由于超高纯铜中存在粒子夹杂尺寸通常＜2μm，较多粒子尺寸在亚微米量级，在溶液中存在团聚的可能，加入表面活性剂，能够有效分散微细粒子，进而能够精准分析计算待测溶液中铜或铜合金材料的颗粒度。
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