发明公开
- 专利标题: 一种TOPCon电池及其背面金属化处理方法
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申请号: CN202310279151.4申请日: 2023-03-22
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公开(公告)号: CN116417525A公开(公告)日: 2023-07-11
- 发明人: 杜浩江 , 叶继春 , 曾俞衡 , 杨阵海 , 廖明墩 , 刘伟 , 行孟超 , 王太强
- 申请人: 中国科学院宁波材料技术与工程研究所
- 申请人地址: 浙江省宁波市镇海区庄市大道519号
- 专利权人: 中国科学院宁波材料技术与工程研究所
- 当前专利权人: 中国科学院宁波材料技术与工程研究所
- 当前专利权人地址: 浙江省宁波市镇海区庄市大道519号
- 代理机构: 宁波甬致专利代理有限公司
- 代理商 胡天人
- 主分类号: H01L31/0216
- IPC分类号: H01L31/0216 ; H01L31/028 ; H01L31/0368 ; H01L31/18
摘要:
本发明提供一种TOPCon电池及其背面金属化处理方法,TOPCon电池包括晶硅衬底,所述晶硅衬底的背面设有隧穿氧化层,所述隧穿氧化层上依次设第一多晶硅层和第二多晶硅层,所述第一多晶硅层的材质为n型或p型多晶硅薄膜,所述第二多晶硅层的材质为掺杂的改性n型或p型多晶硅薄膜。本发明将第一多晶硅层和第二多晶硅层的双层多晶硅结构作为TOPCon电池的载流子传输层,可以提升多晶硅结构的表面润湿性,且电学与钝化性能良好,从而能提高电镀或化学镀种子层的质量,获得更高的电池效率。
IPC分类: