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公开(公告)号：CN116936675A
公开(公告)日：2023-10-24
申请号：CN202310764096.8
申请日：2023-06-26
Applicant: 中国科学院宁波材料技术与工程研究所
IPC: H01L31/18 , H01L31/0224 , H01L31/068
Abstract: 本发明实施例提供了一种钝化接触结构、太阳能电池制造方法及太阳能电池，其中，所述钝化接触结构的制造方法包括：在衬底上形成隧穿层；在所述隧穿层上形成掺杂多晶硅层；在预定区域的所述掺杂多晶硅层表面形成掩模层，所述掩模层包括氧化硅层；去除所述预定区域之外的所述掺杂多晶硅层。
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公开(公告)号：CN115050843B
公开(公告)日：2024-12-20
申请号：CN202210499873.6
申请日：2022-05-06
Applicant: 中国科学院宁波材料技术与工程研究所
IPC: H01L31/0216 , H01L31/0224 , H01L31/18
Abstract: 本发明提供一种隧穿氧化层钝化接触电池背面结构及其制备方法和应用，电池背面结构包括依次叠加设置在晶硅衬底上的隧穿层、氧化硅层、硼掺杂多晶硅层、磷掺杂硅薄膜层和钝化层，所述钝化层具有露出所述磷掺杂硅薄膜层的开孔，所述钝化层的开孔部位设有镍合金层，所述镍合金层的表面设有铝电极层。该电池背面结构在硼掺杂多晶硅之上沉积一层磷掺杂硅薄膜层，在磷掺杂硅薄膜层表面沉积一层可以阻挡铝并提供良好接触的镍合金层，镍在晶体硅体内的扩散和沉积速率较小，且镍大部分会形成较大的颗粒沉积在磷掺杂硅薄膜表面的表面，不会对电池性能造成影响，镍合金层十分致密，可以有效阻挡铝的穿透，从而保证电池具有良好的钝化性能。
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公开(公告)号：CN116417525A
公开(公告)日：2023-07-11
申请号：CN202310279151.4
申请日：2023-03-22
Applicant: 中国科学院宁波材料技术与工程研究所
IPC: H01L31/0216 , H01L31/028 , H01L31/0368 , H01L31/18
Abstract: 本发明提供一种TOPCon电池及其背面金属化处理方法，TOPCon电池包括晶硅衬底，所述晶硅衬底的背面设有隧穿氧化层，所述隧穿氧化层上依次设第一多晶硅层和第二多晶硅层，所述第一多晶硅层的材质为n型或p型多晶硅薄膜，所述第二多晶硅层的材质为掺杂的改性n型或p型多晶硅薄膜。本发明将第一多晶硅层和第二多晶硅层的双层多晶硅结构作为TOPCon电池的载流子传输层，可以提升多晶硅结构的表面润湿性，且电学与钝化性能良好，从而能提高电镀或化学镀种子层的质量，获得更高的电池效率。
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公开(公告)号：CN116130539A
公开(公告)日：2023-05-16
申请号：CN202310013883.9
申请日：2023-01-05
Applicant: 中国科学院宁波材料技术与工程研究所
IPC: H01L31/076 , H01L31/0288 , H01L31/18 , H01L31/0216
Abstract: 本发明提供一种叠层固态掺杂源结构及太阳能电池制备方法，叠层固态掺杂源结构包括层叠设在的正面掺杂源非晶硅层、正面介质层、晶硅衬底、背面介质层和背面掺杂源非晶硅层。本发明以一种创新的材料体系作为正面源，即利用介质层和掺杂源非晶硅层的叠层结构作为扩散源，可以调节发射极扩散所需的退火温度，尤其是降低硼扩散温度，还可以避免层错缺陷的产生，提升钝化效果；背面采用介质层和微量氮(或碳、氧)掺杂的非晶硅层作为TOPCon结构，可以调节制备温度，相应提高n型TOPCon退火温度，与正面扩散温度相匹配；由此实现通过一步高温退火同时制备发射极和TOPCon结构，减少了太阳能电池的生产步骤。
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公开(公告)号：CN115050843A
公开(公告)日：2022-09-13
申请号：CN202210499873.6
申请日：2022-05-06
Applicant: 中国科学院宁波材料技术与工程研究所
IPC: H01L31/0216 , H01L31/0224 , H01L31/18
Abstract: 本发明提供一种隧穿氧化层钝化接触电池背面结构及其制备方法和应用，电池背面结构包括依次叠加设置在晶硅衬底上的隧穿层、氧化硅层、硼掺杂多晶硅层、磷掺杂硅薄膜层和钝化层，所述钝化层具有露出所述磷掺杂硅薄膜层的开孔，所述钝化层的开孔部位设有镍合金层，所述镍合金层的表面设有铝电极层。该电池背面结构在硼掺杂多晶硅之上沉积一层磷掺杂硅薄膜层，在磷掺杂硅薄膜层表面沉积一层可以阻挡铝并提供良好接触的镍合金层，镍在晶体硅体内的扩散和沉积速率较小，且镍大部分会形成较大的颗粒沉积在磷掺杂硅薄膜表面的表面，不会对电池性能造成影响，镍合金层十分致密，可以有效阻挡铝的穿透，从而保证电池具有良好的钝化性能。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118352408A
公开(公告)日：2024-07-16
申请号：CN202410298053.X
申请日：2024-03-15
Applicant: 中国科学院宁波材料技术与工程研究所
IPC: H01L31/0224 , H01L31/0216 , H01L31/0288 , H01L31/068 , H01L31/18
Abstract: 本发明提供一种基于硼掺杂多晶硅复合膜层的钝化接触结构及其制备方法，钝化接触结构包括依次层叠设置的隧穿层、第一掺硼多晶硅层、氮硅化物层和第二掺硼多晶硅层，所述第二掺硼多晶硅层的硼掺杂浓度大于所述第一掺硼多晶硅层的硼掺杂浓度。本发明提出一种具有多层多晶硅及硅化物体系的钝化接触结构，此结构可有效降低界面硼积累，降低界面态密度和改善p型隧穿氧化硅钝化接触(TOPCon)结构钝化性能，同时适用于产业大规模生产，有助于提升p型TOPCon结构相关器件的性能。
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公开(公告)号：CN117913156A
公开(公告)日：2024-04-19
申请号：CN202410011408.2
申请日：2024-01-04
Applicant: 中国科学院宁波材料技术与工程研究所
IPC: H01L31/0224 , H01L31/18
Abstract: 本发明提供一种多层掺杂源结构、高质量发射极及其可控制备方法，多层掺杂源结构包括层叠设置在晶硅衬底正面的介质层、氮硅化物层和掺杂源层，所述介质层为氧化硅薄膜或氮氧化硅薄膜，所述掺杂源层为功能元素掺杂的掺硼非晶硅或功能元素掺杂的掺磷非晶硅，所述掺杂源层掺杂的功能元素为碳和/或氮。本发明以介质层、氮硅化物和功能元素掺杂的掺硼/磷非晶硅组成掺杂源结构，该多层掺杂源结构兼顾强激光吸收能力和高硼或磷掺杂浓度，有利于降低激光选择性发射极技术所需的激光功率和光照时间，同时这种多层掺杂源结构有利于降低表面硼浓度，减少缺陷，提升发射极钝化效果，从而能促进电池效率的提升。
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公开(公告)号：CN117059680A
公开(公告)日：2023-11-14
申请号：CN202310987860.8
申请日：2023-08-08
Applicant: 中国科学院宁波材料技术与工程研究所
IPC: H01L31/0224 , H01L31/20 , H01L31/18 , H01L31/0747
Abstract: 本发明提供了一种硅异质结太阳能电池及其金属化方法，硅异质结太阳能电池包括晶硅衬底，所述晶硅衬底的正面依次设置有第一本征非晶硅层、第一掺杂非晶硅/微晶硅层、第一透明导电氧化物层、第一过渡金属层和第一栅线电极，所述晶硅衬底的背面依次设置有第二本征非晶硅层、第二掺杂非晶硅/微晶硅层、第二透明导电氧化物层、第二过渡金属层和第二栅线电极。本发明的硅异质结太阳能电池在金属栅线电极与透明导电氧化物之间设置了一层过渡金属层，增加了TCO与金属栅线之间的粘附力，有利于获得均匀致密无孔洞的种子层，同时有效得降低了金属与TCO的接触电阻，有利于提高电池效率。
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公开(公告)号：CN116995140A
公开(公告)日：2023-11-03
申请号：CN202311015922.5
申请日：2023-08-14
Applicant: 中国科学院宁波材料技术与工程研究所
IPC: H01L31/18 , H01L31/0224 , H01L31/068
Abstract: 本发明提供一种TOPCon电池背面电极结构及其制备方法，制备方法包括以下步骤：准备背面具有TOPCon结构的硅片，清洗多晶硅层表面；在多晶硅表面沉积氟化物中间层；硅片进行退火处理，使氟化物扩散进入多晶硅层；洗去未扩散的氟化物中间层；在多晶硅层表面沉积金属电极。本发明的金属化技术将氟化物中间层沉积到多晶硅层上，经过退火处理使氟化物扩散到多晶硅中，从而降低了多晶硅与金属电极之间的接触电阻，改善了接触效果。
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公开(公告)号：CN116207170A
公开(公告)日：2023-06-02
申请号：CN202310059062.9
申请日：2023-01-18
Applicant: 中国科学院宁波材料技术与工程研究所
IPC: H01L31/0288 , H01L31/20 , H01L31/04
Abstract: 本发明提供一种叠层固态掺杂源结构及p型TOPCon太阳能电池的制备方法，叠层固态掺杂源结构包括层叠设在的磷掺杂源非晶硅层、正面介质层、晶硅衬底、背面介质层和硼掺杂源非晶硅层。本发明利用介质层和磷掺杂源非晶硅层的叠层结构作为磷扩散源，其电学与钝化性能良好，同时可以调控扩散温度使之与背面p‑TOPCon结构退火温度相匹配，从而实现一步退火的制备工艺。
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