一种半导体器件及其制造方法、电子设备，涉及但不限于存储技术领域，半导体器件的制造方法包括：在第一硅基底上形成第一金属硅化物薄膜；在第二硅基底上形成第二金属硅化物薄膜；采用倒装芯片键合的方式，将所述第一硅基底的所述第一金属硅化物薄膜与所述第二硅基底的所述第二金属硅化物薄膜键合，使所述第一金属硅化物薄膜和所述第二金属硅化物薄膜形成金属硅化物层；通过刻蚀工艺，将所述金属硅化物层刻蚀形成线状的位线；使第一硅基底形成所述半导体柱；解决位线断路以及位线与半导体柱接触不良等问题，并保证半导体柱高度的均一性。