发明公开
- 专利标题： 一种纳米ZnO晶须的制备方法
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申请号： CN202310351032.5申请日： 2023-04-04
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公开(公告)号： CN116536746A公开(公告)日： 2023-08-04
- 发明人: 张培根 , 任一楠 , 田志华 , 唐静雯 , 许雪芹 , 孙正明
- 申请人： 东南大学
- 申请人地址： 江苏省南京市江宁区东南大学路2号
- 专利权人： 东南大学
- 当前专利权人： 东南大学
- 当前专利权人地址： 江苏省南京市江宁区东南大学路2号
- 代理机构： 南京苏高专利商标事务所
- 代理商 柏尚春
- 主分类号： C30B1/10
- IPC分类号： C30B1/10 ; C30B29/16 ; C30B29/62
摘要：
本发明公开了一种纳米ZnO晶须的制备方法，包括以下步骤：(1)将MAX相Ti2ZnC粉体进行球磨，得到球磨后的粉体；(2)将球磨后的Ti2ZnC粉体冷压成型；(3)将成型后的Ti2ZnC进行加热培养，得到纳米ZnO晶须。本发明的方法绿色环保，所得纳米ZnO晶须的数量可控、纯度高，且纳米ZnO晶须生长在导电基体MAX相表面，在光电器件、光催化等领域具有巨大的潜力。
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