公开(公告)号：CN115490233B

公开(公告)日：2024-04-09

申请号：CN202211190791.X

申请日：2022-09-28

申请人： 东南大学

发明人： 张培根 ,  许雪芹 ,  谢晟昱 ,  吴福硕 ,  田志华 ,  任一楠 ,  孙正明

IPC分类号： C01B32/90 ,  H01M4/66

摘要： 本发明公开了一种纳米MAX相的制备方法，首先将M与A离子源和碳源兼络合剂与水混合均匀，获得溶胶凝胶液即前驱体纺丝溶液；利用静电纺丝设备，将所述前驱体纺丝溶液进行静电纺丝，得到前驱体纳米纤维；随后将所述前驱体纳米纤维充分干燥后进行煅烧，得到所述纳米MAX相。该方法制备的纳米MAX相限域在碳纳米线中，其尺寸均匀，在电化学储能中有广泛的应用潜力。

公开(公告)号：CN116536746A

公开(公告)日：2023-08-04

申请号：CN202310351032.5

申请日：2023-04-04

申请人： 东南大学

发明人： 张培根 ,  任一楠 ,  田志华 ,  唐静雯 ,  许雪芹 ,  孙正明

IPC分类号： C30B1/10 ,  C30B29/16 ,  C30B29/62

摘要： 本发明公开了一种纳米ZnO晶须的制备方法，包括以下步骤：(1)将MAX相Ti2ZnC粉体进行球磨，得到球磨后的粉体；(2)将球磨后的Ti2ZnC粉体冷压成型；(3)将成型后的Ti2ZnC进行加热培养，得到纳米ZnO晶须。本发明的方法绿色环保，所得纳米ZnO晶须的数量可控、纯度高，且纳米ZnO晶须生长在导电基体MAX相表面，在光电器件、光催化等领域具有巨大的潜力。

公开(公告)号：CN115490233A

公开(公告)日：2022-12-20

申请号：CN202211190791.X

申请日：2022-09-28

申请人： 东南大学

发明人： 张培根 ,  许雪芹 ,  谢晟昱 ,  吴福硕 ,  田志华 ,  任一楠 ,  孙正明

IPC分类号： C01B32/90 ,  H01M4/66

摘要： 本发明公开了一种纳米MAX相的制备方法，首先将M与A离子源和碳源兼络合剂与水混合均匀，获得溶胶凝胶液即前驱体纺丝溶液；利用静电纺丝设备，将所述前驱体纺丝溶液进行静电纺丝，得到前驱体纳米纤维；随后将所述前驱体纳米纤维充分干燥后进行煅烧，得到所述纳米MAX相。该方法制备的纳米MAX相限域在碳纳米线中，其尺寸均匀，在电化学储能中有广泛的应用潜力。