发明公开
CN116565021A 半导体装置及其制造方法
审中-实审
- 专利标题： 半导体装置及其制造方法
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申请号： CN202310395054.1申请日： 2023-04-13
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公开(公告)号： CN116565021A公开(公告)日： 2023-08-08
- 发明人: 王伟任 , 王仁宏 , 李资良
- 申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
- 申请人地址： 中国台湾新竹市新竹科学工业园区力行六路八号
- 专利权人： 台湾积体电路制造股份有限公司
- 当前专利权人： 台湾积体电路制造股份有限公司
- 当前专利权人地址： 中国台湾新竹市新竹科学工业园区力行六路八号
- 代理机构： 北京律诚同业知识产权代理有限公司
- 代理商 徐金国
- 优先权： 17/720,899 20220414 US
- 主分类号： H01L29/78
- IPC分类号： H01L29/78 ; H01L23/48 ; H01L23/538 ; H01L21/764
摘要：
一种半导体装置及其制造方法，半导体装置包括第一导电特征；在第一导电特征上方的第一介电层；延伸穿过第一介电层的第二导电特征；在第一介电层与第二导电特征之间的气隙；以及在第二导电特征及第一介电层上方的蚀刻停止层。蚀刻停止层覆盖气隙，且气隙在蚀刻停止层的最底部表面上方延伸。
IPC分类:
