本发明属于纳米线制备技术领域，提供了一种离子液体电沉积锡中抑制锡枝晶的方法。本发明的[EMIm]TfO离子液体由于阴阳离子相互作用较弱，在电化学反应过程中容易分解，而GeCl4中的氯离子也易于从分子中脱出。在电沉积的过程中，[EMIm]TfO分解的TfO‑会与GeCl4结合生成GeClx/TfO‑复合物，GeClx/TfO‑复合物被吸附在ITO基片上形成液态种子；SnCl2前驱体被电化学还原并溶入液体种子；液体种子中的锡的过度饱和引发了最终的晶体成核和生长。随后的电沉积过程中由于尖端效应锡离子优先在沉积物顶部放电，使放电局域化，最终抑制了纳米线侧面的沉积物生长，形成超长锡锗纳米线结构。