公开(公告)号：CN108315770B

公开(公告)日：2019-08-16

申请号：CN201810124315.5

申请日：2018-02-07

申请人： 吉林师范大学

发明人： 孟祥东 ,  于兆亮 ,  王多 ,  李海波 ,  孙萌 ,  尹默 ,  袁梦

IPC分类号： C25C5/02 ,  B22F1/00 ,  H01M4/38 ,  H01M10/0525 ,  B82Y30/00

摘要： 本发明提供了一种锗镓纳米线的原位生长方法，包括以下步骤：在水氧含量低于2ppm的环境中，将GaCl3、GeCl4和离子液体混合，得到电解液；采用包括工作电极、对电极和参比电极的三电极电化学体系将所述电解液在55～65℃、‑1.4～‑1.6V的条件下恒压电沉积镓，在所述工作电极的表面得到镓纳米球；继续在55～65℃、‑2～‑2.3V的条件下恒压电沉积生长锗，在所述工作电极的表面原位生长锗镓纳米线。本发明提供的锗镓纳米线能改善纯锗阳极的电池循环性能与倍率性能；且本发明提供的原位生长方法操作简单、成本低。

公开(公告)号：CN108336346B

公开(公告)日：2020-06-19

申请号：CN201810124313.6

申请日：2018-02-07

申请人： 吉林师范大学

发明人： 于兆亮 ,  孟祥东 ,  王多 ,  李海波 ,  孙萌 ,  尹默 ,  袁梦

IPC分类号： H01M4/38 ,  H01M4/1395 ,  H01M4/04 ,  H01M10/0525 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00

摘要： 本发明提供了一种锗镓纳米线作为锂离子电池电极材料的应用，所述锗镓纳米线化学组成上包括单质锗和单质镓，所述锗镓纳米线中单质锗和单质镓的原子比为(4～9)：1。本发明以锗镓纳米线作为锂离子电池的电极材料，能够改善锂离子电池的电池循环性能与倍率性能。

公开(公告)号：CN108336346A

公开(公告)日：2018-07-27

申请号：CN201810124313.6

申请日：2018-02-07

申请人： 吉林师范大学

发明人： 于兆亮 ,  孟祥东 ,  王多 ,  李海波 ,  孙萌 ,  尹默 ,  袁梦

IPC分类号： H01M4/38 ,  H01M4/1395 ,  H01M4/04 ,  H01M10/0525 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00

摘要： 本发明提供了一种锗镓纳米线作为锂离子电池电极材料的应用，所述锗镓纳米线化学组成上包括单质锗和单质镓，所述锗镓纳米线中单质锗和单质镓的原子比为(4～9)：1。本发明以锗镓纳米线作为锂离子电池的电极材料，能够改善锂离子电池的电池循环性能与倍率性能。

公开(公告)号：CN108315770A

公开(公告)日：2018-07-24

申请号：CN201810124315.5

申请日：2018-02-07

申请人： 吉林师范大学

发明人： 孟祥东 ,  于兆亮 ,  王多 ,  李海波 ,  孙萌 ,  尹默 ,  袁梦

IPC分类号： C25C5/02 ,  B22F1/00 ,  H01M4/38 ,  H01M10/0525 ,  B82Y30/00

CPC分类号： C25C5/02 ,  B22F1/0025 ,  B22F1/0044 ,  B82Y30/00 ,  H01M4/38 ,  H01M10/0525

摘要： 本发明提供了一种锗镓纳米线的原位生长方法，包括以下步骤：在水氧含量低于2ppm的环境中，将GaCl3、GeCl4和离子液体混合，得到电解液；采用包括工作电极、对电极和参比电极的三电极电化学体系将所述电解液在55～65℃、-1.4～-1.6V的条件下恒压电沉积镓，在所述工作电极的表面得到镓纳米球；继续在55～65℃、-2～-2.3V的条件下恒压电沉积生长锗，在所述工作电极的表面原位生长锗镓纳米线。本发明提供的锗镓纳米线能改善纯锗阳极的电池循环性能与倍率性能；且本发明提供的原位生长方法操作简单、成本低。

公开(公告)号：CN116575086A

公开(公告)日：2023-08-11

申请号：CN202310692161.0

申请日：2023-06-12

申请人： 吉林师范大学

发明人： 于兆亮 ,  孟祥东 ,  王多 ,  李海波 ,  李伟 ,  刘鹏

IPC分类号： C25D3/30 ,  C25D21/12

摘要： 本发明属于纳米线制备技术领域，提供了一种离子液体电沉积锡中抑制锡枝晶的方法。本发明的[EMIm]TfO离子液体由于阴阳离子相互作用较弱，在电化学反应过程中容易分解，而GeCl4中的氯离子也易于从分子中脱出。在电沉积的过程中，[EMIm]TfO分解的TfO‑会与GeCl4结合生成GeClx/TfO‑复合物，GeClx/TfO‑复合物被吸附在ITO基片上形成液态种子；SnCl2前驱体被电化学还原并溶入液体种子；液体种子中的锡的过度饱和引发了最终的晶体成核和生长。随后的电沉积过程中由于尖端效应锡离子优先在沉积物顶部放电，使放电局域化，最终抑制了纳米线侧面的沉积物生长，形成超长锡锗纳米线结构。

公开(公告)号：CN116516421A

公开(公告)日：2023-08-01

申请号：CN202310692144.7

申请日：2023-06-12

申请人： 吉林师范大学

发明人： 于兆亮 ,  孟祥东 ,  王多 ,  李海波 ,  李伟 ,  刘鹏

IPC分类号： C25C1/22 ,  C25C7/06

摘要： 本发明属于纳米线制备技术领域，提供了一种锗纳米线的制备方法。本发明的制备方法使用无毒无污染的绿色离子液体1‑乙基‑3‑甲基咪唑三氟甲基磺酸([EMIm]TfO)作为溶剂，GeCl4为电解质。[EMIm]TfO离子液体由于阴阳离子相互作用较弱，在电化学反应过程中容易分解，而GeCl4中的氯离子也易于从分子中脱出。所以，在电沉积过程中，[EMIm]TfO离子液体分解后的TfO‑会与GeCl4结合生成GeClx/TfO‑复合物，GeClx/TfO‑复合物被吸附在ITO基片上形成液态种子；然后，GeCl4前驱体被电化学还原并溶入液体种子；最后，液体种子中锗的过度饱和引发了最终的晶体成核和纳米线的生长。