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公开(公告)号:CN116575086A
公开(公告)日:2023-08-11
申请号:CN202310692161.0
申请日:2023-06-12
申请人: 吉林师范大学
摘要: 本发明属于纳米线制备技术领域,提供了一种离子液体电沉积锡中抑制锡枝晶的方法。本发明的[EMIm]TfO离子液体由于阴阳离子相互作用较弱,在电化学反应过程中容易分解,而GeCl4中的氯离子也易于从分子中脱出。在电沉积的过程中,[EMIm]TfO分解的TfO‑会与GeCl4结合生成GeClx/TfO‑复合物,GeClx/TfO‑复合物被吸附在ITO基片上形成液态种子;SnCl2前驱体被电化学还原并溶入液体种子;液体种子中的锡的过度饱和引发了最终的晶体成核和生长。随后的电沉积过程中由于尖端效应锡离子优先在沉积物顶部放电,使放电局域化,最终抑制了纳米线侧面的沉积物生长,形成超长锡锗纳米线结构。
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公开(公告)号:CN116516421A
公开(公告)日:2023-08-01
申请号:CN202310692144.7
申请日:2023-06-12
申请人: 吉林师范大学
摘要: 本发明属于纳米线制备技术领域,提供了一种锗纳米线的制备方法。本发明的制备方法使用无毒无污染的绿色离子液体1‑乙基‑3‑甲基咪唑三氟甲基磺酸([EMIm]TfO)作为溶剂,GeCl4为电解质。[EMIm]TfO离子液体由于阴阳离子相互作用较弱,在电化学反应过程中容易分解,而GeCl4中的氯离子也易于从分子中脱出。所以,在电沉积过程中,[EMIm]TfO离子液体分解后的TfO‑会与GeCl4结合生成GeClx/TfO‑复合物,GeClx/TfO‑复合物被吸附在ITO基片上形成液态种子;然后,GeCl4前驱体被电化学还原并溶入液体种子;最后,液体种子中锗的过度饱和引发了最终的晶体成核和纳米线的生长。
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公开(公告)号:CN106547076B
公开(公告)日:2022-11-11
申请号:CN201710031352.7
申请日:2017-01-17
申请人: 吉林师范大学
摘要: 本发明红外摄远物镜领域,具体地来讲为一种红外摄远光学系统。包括:第一透镜,为弯月球面负透镜,物方表面为凸面,另一方表面为凹面;第二透镜,为正透镜,一侧紧邻所述第一透镜的凹面,另一侧表面为凹面;第三透镜,为球面负透镜,入光一侧表面为凸面,另一侧表面为凹面;第四透镜,为负透镜,入光一侧表面为凸面,另一侧表面为凹面。本发明校正了摄远物镜的高级像差和色差,有效地缩短系统长度,提高了成像质量。像面稳定,像质良好。
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