本申请提供了一种InP基衬底的刻蚀方法，该InP基衬底的刻蚀方法，包括：提供一InP基衬底；对所述InP基衬底刻蚀，形成凹槽以及侧壁保护层；在所述凹槽底部形成第一底部保护层；去除所述侧壁保护层和第一底部保护层，以提高所述凹槽的表面光滑度。在刻蚀凹槽过程中会在凹槽的侧壁同步形成侧壁保护层，降低在刻蚀凹槽过程中对侧壁造成的损伤，提高了侧壁的光滑度。还能简化工艺流程，减少工艺时间。通过在凹槽底部表面形成第一底部保护层，并去除第一底部保护层能提高底部的光滑度。基于该种方法形成的InP基衬底的凹槽内表面光滑度较高，基于该InP基衬底制备的半导体器件的性能更优异，可靠性更强，更加稳定。