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公开(公告)号：CN118919388A
公开(公告)日：2024-11-08
申请号：CN202310510933.4
申请日：2023-05-08
申请人： 江苏鲁汶仪器股份有限公司
IPC分类号： H01J37/32
摘要： 本申请提供一种射频等离子体匹配网络电路，包括：第一真空继电器以及高/低功率等离子体负载匹配网络，利用第一真空继电器实现高功率等离子体负载匹配网络和低功率等离子体负载匹配网络之间的切换，低功率等离子体负载匹配网络包括电容模块和电阻模块，也就是说，低功率等离子体负载匹配网络中的电容模块和电阻模块实现对射频电源的功率衰减，实现低功率等离子体的稳定工艺，具体可以通过调整电容模块的电容和电阻模块的电阻实现对于低功率等离子体工艺的精确调整，由此可见，本申请实施例提供的射频等离子体匹配网络电路，能够满足对于高低能量等离子体组合工艺的需求，拓展了半导体设备的工艺窗口，能够更好地进行半导体器件及芯片的制造。
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公开(公告)号：CN118621286A
公开(公告)日：2024-09-10
申请号：CN202310215152.2
申请日：2023-03-08
申请人： 江苏鲁汶仪器股份有限公司
摘要： 本申请提供了一种偏振片及其制作方法，所述制作方法，包括：提供一基板，具有相对的第一表面和第二表面；通过离子束沉积方法，在所述第一表面形成周期排布的多条线栅。采用离子束沉积法制作偏振片，能降低对基板的损伤，提高偏振片的使用寿命。同时使用离子束沉积方法制作的线栅表面粗糙程度小，具有较高的滤波效率以及透光性，通过离子束沉积法可以制作出厚度较低的线栅，提高了偏振片的性能。
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公开(公告)号：CN118431054A
公开(公告)日：2024-08-02
申请号：CN202310080651.5
申请日：2023-02-02
申请人： 江苏鲁汶仪器股份有限公司
IPC分类号： H01J37/32 , H01J37/305
摘要： 本发明公开了一种边缘进气装置及等离子刻蚀系统，所述边缘进气装置包括气体管路、进气块及匀气环；所述气体管路连接所述进气块，所述进气块均匀分布在所述匀气环周围，所述匀气环的环状凹槽由介质窗覆盖，所述环状凹槽设有用于通入气体的进气孔和用于连通腔室的出气孔；所述进气孔和/或环状凹槽内设有能够使气体在输入过程中分散通过的防电离部件，和/或，所述出气孔为能够使气体在输出过程中变向的非直线孔，以形成防电离结构。该边缘进气装置可以在解决电离问题的同时保证良好的匀气效果，从而更好的满足刻蚀系统的工艺要求。
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公开(公告)号：CN118284319A
公开(公告)日：2024-07-02
申请号：CN202211728504.6
申请日：2022-12-30
申请人： 江苏鲁汶仪器股份有限公司
摘要： 本申请提供一种约瑟夫森结器件的制造方法及制造系统，方法包括：在衬底上形成第一膜层、第二膜层和第三膜层依次层叠的叠层结构，叠层结构上具有掩膜层，以掩膜层为掩蔽对第三膜层进行刻蚀，利用目标气体刻蚀去除掩膜层，无需利用湿法工艺去除掩膜层，能够避免湿法去胶引起的膜层表界面沾污、第三膜层的侧壁氧化等问题，提升约瑟夫森结的电学性能，在对第三膜层进行刻蚀以及利用目标气体对掩膜层进行刻蚀时会形成刻蚀副产物，刻蚀副产物会附着在第三膜层，去除第三膜层的侧壁的附着层，以保证叠层结构的表面清洁，由此可见，本申请实施例利用目标气体对掩膜层进行刻蚀去除以提高退相干时间，提高最终制造得到的约瑟夫森结器件的性能。
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公开(公告)号：CN118280798A
公开(公告)日：2024-07-02
申请号：CN202211727242.1
申请日：2022-12-30
申请人： 江苏鲁汶仪器股份有限公司
IPC分类号： H01J37/317 , H01J37/32
摘要： 本发明提供了一种离子束刻蚀的均匀性调节装置及方法，通过均匀性调节电容组件和安装在放电腔预设位置上的均匀性调节线圈组件，实现对均匀性调节线圈组件中平面线圈和/或筒形线圈上功率的调节，最终实现对所述放电腔内等离子体密度分布的调节，并且还可以对平面线圈和/或筒形线圈在安装位置上的排布进一步优化(例如使平面线圈和/或筒形线圈呈非中心对称性排布或呈中心对称性排布)，还可以进一步精确的对所述放电腔内等离子体密度分布进行再次优化调节，以达到放电腔内预期的等离子体密度分布，从而实现离子束蚀刻的均匀性调节。
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公开(公告)号：CN118272764A
公开(公告)日：2024-07-02
申请号：CN202211732924.1
申请日：2022-12-30
申请人： 江苏鲁汶仪器股份有限公司
摘要： 本发明公开一种离子束沉积系统的靶材装置，包括靶材部件(1)和第一驱动部件(2)，所述靶材部件(1)设置于真空反应腔室内部，且至少能够位于离子源发射的离子束所在的轰击位置，所述第一驱动部件(2)连接所述靶材部件(1)，所述第一驱动部件(2)用于驱动所述靶材部件(1)沿轴向旋转。本发明还公开一种离子束沉积系统。本发明离子束沉积系统的靶材装置中，增设第一驱动部件，将靶材部件设置为可旋转的形式，使得离子束能够均匀轰击靶材部件的内表面，增大靶材部件的轰击表面积，提高靶材部件的利用率。
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公开(公告)号：CN118039439A
公开(公告)日：2024-05-14
申请号：CN202211372007.7
申请日：2022-11-03
申请人： 江苏鲁汶仪器股份有限公司
摘要： 本申请公开了一种射频中和器及启辉方法；射频中和器包括：匹配器、放电腔、射频线圈、第一射频电容和开关电路；射频线圈绕在放电腔外，射频线圈用于通过匹配器连接射频电源；匹配器包括串联的电感和电容；开关电路包括至少一个开关；开关电路中的所有开关的第一端均通过第一射频电容连接放电腔内的阴极，开关电路中的所有开关的第二端连接匹配器；射频中和器启辉时，至少一个开关闭合；射频中和器启辉完成，开关电路中的所有开关断开。本申请在不升高启辉功率和放电腔的腔体压力情况下，能够解决感应耦合的射频中和器启辉困难的问题，提高了射频中和器的效率。
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公开(公告)号：CN109462929B
公开(公告)日：2024-04-05
申请号：CN201811578691.8
申请日：2018-12-24
申请人： 江苏鲁汶仪器股份有限公司
摘要： 本发明公开一种改善等离子体启辉及稳定性的方法及应用该方法的装置，所述方法用于将气体稳定激发为等离子体，设置电感耦合线圈外圈到反应腔室的接地端的距离小于电感耦合线圈内圈到接地端的距离；调节与电感耦合线圈串联的电容值，使电感耦合线圈外圈端口的电压始终高于电感耦合线圈内圈端口的电压。这种电感耦合线圈外圈和内圈间的电压差不仅有利于等离子体启辉，扩大工艺窗口；还有利于维持工艺过程中等离子体的稳定性，提高工艺重复性。同时由于高电压的区域位于电感耦合线圈的外圈，对晶圆表面以及刻蚀或沉积速度的影响最小。
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公开(公告)号：CN117367924A
公开(公告)日：2024-01-09
申请号：CN202210750298.2
申请日：2022-06-29
申请人： 江苏鲁汶仪器股份有限公司
摘要： 本申请公开了一种金属沾污收集系统和金属沾污收集方法，所述收集系统包括气相腐蚀腔、与所述气相腐蚀腔连通的第一通道、第二通道、第三通道和第四通道，所述第一通道、第二通道、第三通道和第四通道相互独立，分别用于向所述气相腐蚀腔内通入强酸性气体、氧化性气体、惰性气体和能使亲水晶圆表面疏水化的表面改性气体。收集过程中，向气相腐蚀腔内部通入表面改性气体使亲水晶圆表面疏水化，这样在收集金属沾污时，不会因为晶圆表面的亲水性导致扫描液分散粘连在晶圆表面，能够保障收集系统高效收集金属沾污。
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公开(公告)号：CN116581026B
公开(公告)日：2023-11-28
申请号：CN202310864394.4
申请日：2023-07-14
申请人： 江苏鲁汶仪器股份有限公司
IPC分类号： H01L21/3065
摘要： 本申请提供了一种InP基衬底的刻蚀方法，该InP基衬底的刻蚀方法，包括：提供一InP基衬底；对所述InP基衬底刻蚀，形成凹槽以及侧壁保护层；在所述凹槽底部形成第一底部保护层；去除所述侧壁保护层和第一底部保护层，以提高所述凹槽的表面光滑度。在刻蚀凹槽过程中会在凹槽的侧壁同步形成侧壁保护层，降低在刻蚀凹槽过程中对侧壁造成的损伤，提高了侧壁的光滑度。还能简化工艺流程，减少工艺时间。通过在凹槽底部表面形成第一底部保护层，并去除第一底部保护层能提高底部的光滑度。基于该种方法形成的InP基衬底的凹槽内表面光滑度较高，基于该InP基衬底制备的半导体器件的性能更优异，可靠性更强，更加稳定。
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