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公开(公告)号：CN118866677A
公开(公告)日：2024-10-29
申请号：CN202310470245.X
申请日：2023-04-27
申请人： 江苏鲁汶仪器股份有限公司
IPC分类号： H01L21/311 , H10B51/30
摘要： 本申请提供了一种金属氧化物材料刻蚀方法，该方法包括：在反应腔室内提供待刻蚀金属氧化物材料；利用还原性气体电离产生的第一等离子体，处理待刻蚀金属氧化物材料，以形成金属改性层；利用原子层沉积蚀刻气体电离产生的第二等离子体，刻蚀金属改性层和待刻蚀金属氧化物材料，以得到刻蚀后结构。从而本申请通过形成还原金属改性层，原子层刻蚀金属改性层，能够将刻蚀精确控制到数个原子层的厚度，仅对改性层进行选择性的去除，并将下面延迟未经改性的材料暴露出来，以此达到了刻蚀暴露表面的损伤控制，及电学性能的大幅提升。
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公开(公告)号：CN118280830A
公开(公告)日：2024-07-02
申请号：CN202211739527.7
申请日：2022-12-30
申请人： 江苏鲁汶仪器股份有限公司
IPC分类号： H01L21/308 , H01L21/3065 , H01L21/67
摘要： 本申请提供一种刻蚀方法及刻蚀系统，提供待刻蚀结构，待刻蚀结构上覆盖图案化的掩膜层，以掩膜层为掩蔽，利用第一刻蚀气体对待刻蚀结构进行离子束刻蚀，形成第一沟槽，第一沟槽为V型结构或倒梯形结构，第一沟槽临近侧壁的底部不存在微沟槽，接着，以掩膜层为掩蔽，利用第二刻蚀气体对第一沟槽进行等离子体刻蚀，形成第二沟槽，第二沟槽为U型结构。这样，由于第一沟槽在临近侧壁的底部较其他位置更厚，继续刻蚀第一沟槽形成第二沟槽时，第二沟槽临近侧壁的底部不会由于过度刻蚀形成微沟槽，第二沟槽为U型结构，能够避免微沟槽的形成，提高器件性能。
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公开(公告)号：CN118263091A
公开(公告)日：2024-06-28
申请号：CN202211675344.3
申请日：2022-12-26
申请人： 江苏鲁汶仪器股份有限公司
IPC分类号： H01L21/02
摘要： 本发明涉及半导体芯片生产领域，具体是一种晶圆外延片表面的晶格缺陷修复方法。本发明提供了一种晶圆外延片表面的晶格缺陷修复方法。本发明提供的方法使用氧化性气体如N2O或O2的等离子体对晶圆外延片表面进行处理，形成均匀的氧化层；使用氯基气体如BCl3的等离子体对氧化层表面进行处理，均匀地移除氧化表层；采用氯基气体与氟基气体的混合气体或氯基气体等离子体对材料表面进行刻蚀，能够有效地优化晶圆外延片表层外延生长过程产生的晶格缺陷或氧化斑造成的刻蚀缺陷和损伤，从而得到高均匀性与一致性的晶圆外延片；相对于现有技术，本发明的晶圆外延片表面晶格缺陷层去除效果更优。
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公开(公告)号：CN118039471A
公开(公告)日：2024-05-14
申请号：CN202211376195.0
申请日：2022-11-04
申请人： 江苏鲁汶仪器股份有限公司
IPC分类号： H01L21/3065
摘要： 本发明涉及半导体器件领域，具体是一种原子层刻蚀方法。本发明提供了一种原子层刻蚀方法，包括：S1)将氯基气体进行等离子处理，使晶片的表层原子形成氯化层；S2)将含氮气体进行等离子处理，对步骤S1)所述晶片的氯化层进行刻蚀。本发明提供的方法能够降低晶片在原子层刻蚀时的晶格损伤和电学损伤。实验表明，采用现有的方法刻蚀氮化镓后，晶片表面的N元素含量为51.4％；而采用本发明所述方法刻蚀氮化镓后，晶片表面的N元素含量为47.8％；可以看出，经过氯基气体改性，含氮气体刻蚀后的样品表面产生的N空位更少，可以有效降低N空位带来的晶格损伤与电学损伤。
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公开(公告)号：CN116581026A
公开(公告)日：2023-08-11
申请号：CN202310864394.4
申请日：2023-07-14
申请人： 江苏鲁汶仪器股份有限公司
IPC分类号： H01L21/3065
摘要： 本申请提供了一种InP基衬底的刻蚀方法，该InP基衬底的刻蚀方法，包括：提供一InP基衬底；对所述InP基衬底刻蚀，形成凹槽以及侧壁保护层；在所述凹槽底部形成第一底部保护层；去除所述侧壁保护层和第一底部保护层，以提高所述凹槽的表面光滑度。在刻蚀凹槽过程中会在凹槽的侧壁同步形成侧壁保护层，降低在刻蚀凹槽过程中对侧壁造成的损伤，提高了侧壁的光滑度。还能简化工艺流程，减少工艺时间。通过在凹槽底部表面形成第一底部保护层，并去除第一底部保护层能提高底部的光滑度。基于该种方法形成的InP基衬底的凹槽内表面光滑度较高，基于该InP基衬底制备的半导体器件的性能更优异，可靠性更强，更加稳定。
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公开(公告)号：CN116581026B
公开(公告)日：2023-11-28
申请号：CN202310864394.4
申请日：2023-07-14
申请人： 江苏鲁汶仪器股份有限公司
IPC分类号： H01L21/3065
摘要： 本申请提供了一种InP基衬底的刻蚀方法，该InP基衬底的刻蚀方法，包括：提供一InP基衬底；对所述InP基衬底刻蚀，形成凹槽以及侧壁保护层；在所述凹槽底部形成第一底部保护层；去除所述侧壁保护层和第一底部保护层，以提高所述凹槽的表面光滑度。在刻蚀凹槽过程中会在凹槽的侧壁同步形成侧壁保护层，降低在刻蚀凹槽过程中对侧壁造成的损伤，提高了侧壁的光滑度。还能简化工艺流程，减少工艺时间。通过在凹槽底部表面形成第一底部保护层，并去除第一底部保护层能提高底部的光滑度。基于该种方法形成的InP基衬底的凹槽内表面光滑度较高，基于该InP基衬底制备的半导体器件的性能更优异，可靠性更强，更加稳定。
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公开(公告)号：CN118239692A
公开(公告)日：2024-06-25
申请号：CN202211661184.7
申请日：2022-12-23
申请人： 江苏鲁汶仪器股份有限公司
IPC分类号： C03C15/00
摘要： 本发明提供了一种微孔刻蚀的刻蚀方法，在该刻蚀方法中，基于有多个第一微孔的掩膜层，利用第一刻蚀气体对待刻蚀膜层进行干法刻蚀，从而在待刻蚀膜层上形成了多个第二微孔，由于本发明中刻蚀得到的第二微孔采用了干法刻蚀与第一刻蚀气体，使得该第二微孔沿孔中心竖直方向的剖面边缘角度陡直(＞88°)；并且由第一微孔刻蚀形成第二微孔时，第二微孔的孔径相较于目标孔径的误差范围＜±5％；此外，采用干法刻蚀形成的第二微孔底部平坦无凸起或倾斜，满足了光学应用的高精度要求。
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公开(公告)号：CN118621442A
公开(公告)日：2024-09-10
申请号：CN202310233452.3
申请日：2023-03-08
申请人： 江苏鲁汶仪器股份有限公司
摘要： 本申请提供了一种铌酸锂基板的刻蚀方法，包括：提供一铌酸锂基板，具有相对的第一表面和第二表面；所述第一表面具有第一区域和第二区域；对所述第一区域的铌酸锂材料进行改性处理，形成第一改性层；去除所述第一改性层，在所述第一表面形成图形凹槽。本申请技术方案在对铌酸锂基板进行刻蚀时，先将第一区域的铌酸锂转换为改性层，基于改性层材料与铌酸锂材料的差异性完成对第一区域的刻蚀，通过对改性层工艺参数的设定，实现铌酸锂基板的精准刻蚀，形成具有良好形貌的刻蚀图形，降低晶体损伤，从而提高器件性能。
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公开(公告)号：CN118280829A
公开(公告)日：2024-07-02
申请号：CN202211736974.7
申请日：2022-12-30
申请人： 江苏鲁汶仪器股份有限公司
IPC分类号： H01L21/3065 , H01L21/308 , H01L21/67 , H01L21/04
摘要： 本申请提供一种刻蚀方法及刻蚀系统，提供待刻蚀结构，待刻蚀结构上覆盖图案化的掩膜层，以掩膜层为掩蔽，利用第一刻蚀气体对待刻蚀结构进行等离子体刻蚀，形成第一沟槽，接着，以掩膜层为掩蔽，利用第二刻蚀气体对第一沟槽进行离子束刻蚀，以对第一沟槽进行底面修饰得到第二沟槽。这样，在等离子体刻蚀之后利用第二刻蚀气体进行离子束刻蚀，可以对第一沟槽进行修饰，以形成圆滑的沟槽底部，从而避免微沟槽的形成，解决沟槽类器件加工制造中带来的结构缺陷，提高器件性能。
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公开(公告)号：CN118280819A
公开(公告)日：2024-07-02
申请号：CN202211739675.9
申请日：2022-12-30
申请人： 江苏鲁汶仪器股份有限公司
IPC分类号： H01L21/04 , H01L21/3065 , H01L21/308 , H01L21/311 , H01L21/67
摘要： 本申请提供一种刻蚀方法及刻蚀系统，提供待刻蚀结构，待刻蚀结构上覆盖图案化的掩膜层，以掩膜层为掩蔽，利用氧化性气体对待刻蚀结构暴露的表面进行改性，形成改性层，接着，以掩膜层为掩蔽，利用刻蚀气体去除改性层，形成沟槽。这样，通过先形成改性层，再去除改性层形成沟槽的方式，对于未被改性的待刻蚀结构几乎不进行刻蚀，可以使刻蚀停止在合适的位置，实现刻蚀量的精准可控，此外，由于沟槽是刻蚀改性层形成，不会过度刻蚀未被改性的待刻蚀结构，这样还可以避免微沟槽的形成，从而降低电学损伤，提升器件性能。
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