本发明涉及垂直腔面发射激光器技术领域，具体是涉及一种AuSn电极背面出光VCSEL芯片及其制备方法，该VCSEL芯片自下而上依次是背面SiN层、GaAs衬底、GaAs缓冲层、N‑DBR、氧化层、N‑限制层、多量子阱有源层、P‑限制层、P‑DBR、GaAs CaP层、P电极、SiN层、N电极、聚酰亚胺、双电极P极和双电极N极，双电极P极和双电极N极位于所述VCSEL芯片同侧，且材料均为Ti/Pt/Au/AuSn金属材料。本发明通过对芯片材料结构进行优化，同时通过优化封装材料及形式，以贴片方式封装，可有效解决VCSEL芯片的散热问题，有利于大规模生产。