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公开(公告)号：CN117525233B
公开(公告)日：2024-04-12
申请号：CN202410015099.6
申请日：2024-01-05
申请人： 南昌凯迅光电股份有限公司
IPC分类号： H01L33/14 , H01L33/38 , H01L33/42 , H01L33/46 , H01L33/44 , H01L33/30 , H01L33/20 , H01L33/00
摘要： 本发明涉及LED芯片技术领域，具体涉及一种小尺寸红光LED芯片及其制造方法。该芯片由下至上依次包括背面电极、GaAs衬底、N型半导体层、量子阱层、P型半导体层、P型GaP层和透明导电薄膜层；透明导电薄膜层远离所述GaAs衬底一侧的局部表面覆盖有正面电极；P型GaP层上表面具有向下刻蚀形成的凹陷部，凹陷部中设置有用于将凹陷部填满的凸起部，且凸起部的上端面与所述P型GaP层齐平或者高出P型GaP层并嵌入所述透明导电薄膜层，凸起部包括绝缘填充层。本申请提供的LED芯片结构能够解决现有技术存在的出光亮度低、焊线挖电极、可靠性差中的至少一个技术问题。
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公开(公告)号：CN117293230A
公开(公告)日：2023-12-26
申请号：CN202311575239.7
申请日：2023-11-24
申请人： 南昌凯迅光电股份有限公司
IPC分类号： H01L31/18 , H01L31/0216 , H01L31/0687
摘要： 本发明涉及太阳电池技术领域，具体是涉及一种具有全方位金属反射镜的砷化镓太阳电池及其制备方法，该砷化镓太阳电池自下而上依次是反射金属镜、介质膜、蓝宝石基板、透明导电键合层、外延结构、P电极、N电极、抗反射膜。本发明通过倒置生长GaInP‑GaAs‑InGaAs子电池结构后，利用透明键合技术，将外延层翻转至蓝宝石基板上，用透明蓝宝石基板代替锗基板，然后在电池片背面，制作低折射率的介质膜和金属反射镜，并构成全方位反射镜，有效提高了砷化镓太阳电池的可靠性，抗辐照能力、反射能力强，转换效率高，整体性能优异、成本低。
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公开(公告)号：CN117525233A
公开(公告)日：2024-02-06
申请号：CN202410015099.6
申请日：2024-01-05
申请人： 南昌凯迅光电股份有限公司
IPC分类号： H01L33/14 , H01L33/38 , H01L33/42 , H01L33/46 , H01L33/44 , H01L33/30 , H01L33/20 , H01L33/00
摘要： 本发明涉及LED芯片技术领域，具体涉及一种小尺寸红光LED芯片及其制造方法。该芯片由下至上依次包括背面电极、GaAs衬底、N型半导体层、量子阱层、P型半导体层、P型GaP层和透明导电薄膜层；透明导电薄膜层远离所述GaAs衬底一侧的局部表面覆盖有正面电极；P型GaP层上表面具有向下刻蚀形成的凹陷部，凹陷部中设置有用于将凹陷部填满的凸起部，且凸起部的上端面与所述P型GaP层齐平或者高出P型GaP层并嵌入所述透明导电薄膜层，凸起部包括绝缘填充层。本申请提供的LED芯片结构能够解决现有技术存在的出光亮度低、焊线挖电极、可靠性差中的至少一个技术问题。
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公开(公告)号：CN116613626A
公开(公告)日：2023-08-18
申请号：CN202310896576.X
申请日：2023-07-21
申请人： 南昌凯迅光电股份有限公司
摘要： 本发明涉及垂直腔面发射激光器技术领域，具体是涉及一种AuSn电极背面出光VCSEL芯片及其制备方法，该VCSEL芯片自下而上依次是背面SiN层、GaAs衬底、GaAs缓冲层、N‑DBR、氧化层、N‑限制层、多量子阱有源层、P‑限制层、P‑DBR、GaAs CaP层、P电极、SiN层、N电极、聚酰亚胺、双电极P极和双电极N极，双电极P极和双电极N极位于所述VCSEL芯片同侧，且材料均为Ti/Pt/Au/AuSn金属材料。本发明通过对芯片材料结构进行优化，同时通过优化封装材料及形式，以贴片方式封装，可有效解决VCSEL芯片的散热问题，有利于大规模生产。
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公开(公告)号：CN116613626B
公开(公告)日：2023-09-26
申请号：CN202310896576.X
申请日：2023-07-21
申请人： 南昌凯迅光电股份有限公司
摘要： 本发明涉及垂直腔面发射激光器技术领域，具体是涉及一种AuSn电极背面出光VCSEL芯片及其制备方法，该VCSEL芯片自下而上依次是背面SiN层、GaAs衬底、GaAs缓冲层、N‑DBR、氧化层、N‑限制层、多量子阱有源层、P‑限制层、P‑DBR、GaAs CaP层、P电极、SiN层、N电极、聚酰亚胺、双电极P极和双电极N极，双电极P极和双电极N极位于所述VCSEL芯片同侧，且材料均为Ti/Pt/Au/AuSn金属材料。本发明通过对芯片材料结构进行优化，同时通过优化封装材料及形式，以贴片方式封装，可有效解决VCSEL芯片的散热问题，有利于大规模生产。
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公开(公告)号：CN116314536B
公开(公告)日：2023-08-15
申请号：CN202310579390.1
申请日：2023-05-23
申请人： 南昌凯迅光电股份有限公司
摘要： 本发明涉及LED技术领域，具体是涉及一种具有氧化层结构反极性圆孔发光LED芯片及其制作方法，包括：在GaAs衬底上，生长出具有氧化层结构的外延片；依次蒸镀镜面层和第一键合层；在Si衬底上蒸镀第二键合层；将外延片和Si衬底键合在一起，并去掉GaAs衬底；在外延片表面制作N标记电极以及环形电极，在环形电极外侧蚀刻出隔离槽，得到圆形台柱；制作氧化孔；以及N焊线电极、P电极；完成后续工序，得到LED芯片。本发明通过对常规LED芯片的结构进行改进，可有效解决现有技术中无法调节光强弱、常规工艺的大出光角度以及封装焊线难的问题，适用性得到大大提高。
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公开(公告)号：CN116314536A
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN202310579390.1
申请日：2023-05-23
申请人： 南昌凯迅光电股份有限公司
摘要： 本发明涉及LED技术领域，具体是涉及一种具有氧化层结构反极性圆孔发光LED芯片及其制作方法，包括：在GaAs衬底上，生长出具有氧化层结构的外延片；依次蒸镀镜面层和第一键合层；在Si衬底上蒸镀第二键合层；将外延片和Si衬底键合在一起，并去掉GaAs衬底；在外延片表面制作N标记电极以及环形电极，在环形电极外侧蚀刻出隔离槽，得到圆形台柱；制作氧化孔；以及N焊线电极、P电极；完成后续工序，得到LED芯片。本发明通过对常规LED芯片的结构进行改进，可有效解决现有技术中无法调节光强弱、常规工艺的大出光角度以及封装焊线难的问题，适用性得到大大提高。
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