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公开(公告)号：CN116613626B
公开(公告)日：2023-09-26
申请号：CN202310896576.X
申请日：2023-07-21
申请人： 南昌凯迅光电股份有限公司
摘要： 本发明涉及垂直腔面发射激光器技术领域，具体是涉及一种AuSn电极背面出光VCSEL芯片及其制备方法，该VCSEL芯片自下而上依次是背面SiN层、GaAs衬底、GaAs缓冲层、N‑DBR、氧化层、N‑限制层、多量子阱有源层、P‑限制层、P‑DBR、GaAs CaP层、P电极、SiN层、N电极、聚酰亚胺、双电极P极和双电极N极，双电极P极和双电极N极位于所述VCSEL芯片同侧，且材料均为Ti/Pt/Au/AuSn金属材料。本发明通过对芯片材料结构进行优化，同时通过优化封装材料及形式，以贴片方式封装，可有效解决VCSEL芯片的散热问题，有利于大规模生产。
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公开(公告)号：CN116314536B
公开(公告)日：2023-08-15
申请号：CN202310579390.1
申请日：2023-05-23
申请人： 南昌凯迅光电股份有限公司
摘要： 本发明涉及LED技术领域，具体是涉及一种具有氧化层结构反极性圆孔发光LED芯片及其制作方法，包括：在GaAs衬底上，生长出具有氧化层结构的外延片；依次蒸镀镜面层和第一键合层；在Si衬底上蒸镀第二键合层；将外延片和Si衬底键合在一起，并去掉GaAs衬底；在外延片表面制作N标记电极以及环形电极，在环形电极外侧蚀刻出隔离槽，得到圆形台柱；制作氧化孔；以及N焊线电极、P电极；完成后续工序，得到LED芯片。本发明通过对常规LED芯片的结构进行改进，可有效解决现有技术中无法调节光强弱、常规工艺的大出光角度以及封装焊线难的问题，适用性得到大大提高。
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公开(公告)号：CN116314536A
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN202310579390.1
申请日：2023-05-23
申请人： 南昌凯迅光电股份有限公司
摘要： 本发明涉及LED技术领域，具体是涉及一种具有氧化层结构反极性圆孔发光LED芯片及其制作方法，包括：在GaAs衬底上，生长出具有氧化层结构的外延片；依次蒸镀镜面层和第一键合层；在Si衬底上蒸镀第二键合层；将外延片和Si衬底键合在一起，并去掉GaAs衬底；在外延片表面制作N标记电极以及环形电极，在环形电极外侧蚀刻出隔离槽，得到圆形台柱；制作氧化孔；以及N焊线电极、P电极；完成后续工序，得到LED芯片。本发明通过对常规LED芯片的结构进行改进，可有效解决现有技术中无法调节光强弱、常规工艺的大出光角度以及封装焊线难的问题，适用性得到大大提高。
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公开(公告)号：CN118073491A
公开(公告)日：2024-05-24
申请号：CN202410501091.0
申请日：2024-04-25
申请人： 南昌凯迅光电股份有限公司
摘要： 本发明涉及LED技术领域，具体涉及一种点光源LED芯片及其制作方法和应用。该芯片包括从下至上依次堆叠设置的背面电极、GaAs衬底、GaAs缓冲层、N型DBR层、N型半导体层、MQW发光层、P型半导体层、氧化限制层、过渡层、GaP电流扩展层、透明导电薄膜层和正面电极；N型DBR层包括交替生长的AlAs层和AlGaAs层，正面电极具有出光孔，氧化限制层具有通过湿法氧化形成的环状的氧化限制带，氧化限制带设置于氧化限制层的外缘，且氧化限制带的氧化深度不超过出光孔边沿。本申请提供的点光源LED芯片能够在低亮度条件下实现光源亮度的精准调节。
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公开(公告)号：CN116613626A
公开(公告)日：2023-08-18
申请号：CN202310896576.X
申请日：2023-07-21
申请人： 南昌凯迅光电股份有限公司
摘要： 本发明涉及垂直腔面发射激光器技术领域，具体是涉及一种AuSn电极背面出光VCSEL芯片及其制备方法，该VCSEL芯片自下而上依次是背面SiN层、GaAs衬底、GaAs缓冲层、N‑DBR、氧化层、N‑限制层、多量子阱有源层、P‑限制层、P‑DBR、GaAs CaP层、P电极、SiN层、N电极、聚酰亚胺、双电极P极和双电极N极，双电极P极和双电极N极位于所述VCSEL芯片同侧，且材料均为Ti/Pt/Au/AuSn金属材料。本发明通过对芯片材料结构进行优化，同时通过优化封装材料及形式，以贴片方式封装，可有效解决VCSEL芯片的散热问题，有利于大规模生产。
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