本发明涉及半导体技术领域，具体而言，涉及一种SiC刻蚀方法和设备，SiC刻蚀方法包括：去除预设沟槽的底部的硬壳层、以及单步刻蚀或多步刻蚀；去除预设沟槽的底部的硬壳层的步骤，包括：利用CF4气体去除预设沟槽的底部的硬壳层；单步刻蚀或多步刻蚀的步骤，包括：利用主刻蚀气体SF6和辅助刻蚀气体，对SiC衬底进行刻蚀，其中，辅助刻蚀气体包括CBr4气体，以生成SiBr4附着在SiC衬底上刻蚀得到的沟槽的侧壁，以增强侧壁保护，降低侧壁的粗糙度。该刻蚀方法能够在转移图形的过程中降低SiC衬底刻蚀出的沟槽的侧壁的粗糙度，同时降低沟槽栅氧的击穿的可能性，进而提高半导体器件的可靠性。