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公开(公告)号：CN116741614B
公开(公告)日：2023-10-31
申请号：CN202311021024.0
申请日：2023-08-15
申请人： 无锡邑文电子科技有限公司
IPC分类号： H01J37/32 , H01J37/305 , H01L21/67
摘要： 本发明涉及半导体技术领域，具体而言，涉及一种刻蚀设备，其包括反应室、等离子体发生室、气体分流盘和隔离件，等离子体发生室包括外壳、屏蔽罩和第一电磁感应线圈，屏蔽罩设置于外壳内、且具有第二腔室，外壳设置有进气孔，进气孔与第二腔室连通；第一电磁感应线圈设置于外壳，且绕屏蔽罩的周向分布；气体分流盘设置于等离子体发生室和反应室之间，气体分流盘设置有用于使反应室的第一腔室和第二腔室连通的气孔组件；隔离件设置于第二腔室内，且隔离件分隔在进气孔和气孔组件的进气口之间，以使从进气孔进入第二腔室的气体绕隔离件流动后经过气孔组件进入第一腔室。该设备能够保证足量的等离子体和活性自由基，以便于充分地进行刻蚀反应。
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公开(公告)号：CN116721963A
公开(公告)日：2023-09-08
申请号：CN202310631254.2
申请日：2023-05-31
申请人： 无锡邑文电子科技有限公司 , 江苏邑文微电子科技有限公司
IPC分类号： H01L21/687 , H01L21/67 , H01L21/677 , F27B17/00 , F27D1/18 , F27D3/12
摘要： 本发明的实施例提供了一种退火炉及退火设备，涉及半导体技术领域。该退火炉及退火设备包括反应室、炉盖、托架、晶圆托盘、升降驱动装置以及托脚；炉盖设置于反应室的顶部；升降驱动装置设置于反应室上，并与托架连接，用于驱使托架升降；托脚设置于托架的顶部；晶圆托盘设置于反应室内，用于承载晶圆，晶圆托盘上开设有通孔，通孔用于供托脚穿过，以便托脚在上升的情况下顶升晶圆或者在下降的情况下放置晶圆至晶圆托盘，具有便于拿取或放置晶圆的效果。
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公开(公告)号：CN116661240A
公开(公告)日：2023-08-29
申请号：CN202310944835.1
申请日：2023-07-31
申请人： 无锡邑文电子科技有限公司
摘要： 本发明涉及半导体技术领域，具体而言，涉及纳米圆台偏振结构的超表面透镜的制备方法，包括：嵌套压印、圆台化刻蚀处理、图形转移刻蚀处理，其中，嵌套压印步骤可以形成多层嵌套的压印柱体，而且从内向外的第一压印胶层制得的圆柱、第二压印胶层和第三压印胶层的耐蚀性逐渐降低，在后续的圆台化刻蚀处理的步骤中，能够使外层的压印胶先被刻蚀，而且压印胶层远离基板处的刻蚀的速率快于压印胶层靠近基板处的刻蚀速率，故能够在圆台化刻蚀处理的步骤中，使各层压印胶层远离基板的一端先被刻蚀，并逐渐刻蚀形成类似圆台状的柱体，在后续的图形转移刻蚀处理时，则能够制得具有对应的纳米圆台偏振结构的超表面透镜。
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公开(公告)号：CN116594695A
公开(公告)日：2023-08-15
申请号：CN202310518853.3
申请日：2023-05-09
申请人： 无锡邑文电子科技有限公司 , 江苏邑文微电子科技有限公司
摘要： 本申请提供一种串口指令处理方法、电子设备及计算机可读存储介质，涉及软件工程技术领域。该串口指令处理方法包括：首先获取多个下位机对应的命令集合，对命令集合中处理指令集合进行判断，若处理指令集合不为空，则将处理指令集合中的处理指令添加到每个下位机对应的命令数组中；进而根据命令数组的处理指令加入顺序，依次执行命令数组中的处理指令，以实现与每个下位机进行串口通信。很好的解决了上位机与多个下位机进行串口通信时多线程、多任务处理是实现难度大，代码复杂的问题，提升了通信的灵活性，实现高效率、高可靠性、维护简单的串口指令处理。
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公开(公告)号：CN114850139B
公开(公告)日：2023-07-07
申请号：CN202210498065.8
申请日：2022-05-09
申请人： 无锡邑文电子科技有限公司
摘要： 本发明的实施例提供了一种去胶方法及去胶设备,该去胶方法包括：步骤一，在等离子产生室内中通入氧气；步骤二，向等离子产生室内通入第一气体；步骤三，将第一气体电离为第一等离子体；步骤四，将第一等离子体与载气装置通入的载气混合后通入去胶反应室；步骤五，在等离子产生室内通入氧气；步骤六，向等离子产生室内通入第二气体；步骤七，将第二气体电离为第二等离子体；步骤八，将第二等离子体与载气装置通入的载气混合后通入去胶反应室，其能够减轻等离子体对晶圆造成的损伤，提高产品良率。
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公开(公告)号：CN116219406A
公开(公告)日：2023-06-06
申请号：CN202310188434.8
申请日：2023-03-01
申请人： 无锡邑文电子科技有限公司
IPC分类号： C23C16/455 , H01L21/677
摘要： 本发明的实施例提供了一种上下传输装置，涉及半导体技术领域，应用于ALD镀膜设备，ALD镀膜设备至少包括真空腔室和在真空腔室内部设置的反应腔，所述反应腔包括覆盖所述反应腔上方开口的内腔盖，所述内腔盖的底部连接有可拆卸的晶圆托架。该上下传输装置包括驱动机构，驱动机构设置于真空腔室上，驱动机构与所述内腔盖相连接，用于通过带动内腔盖在竖直方向进行升降，以将晶圆托架移动至反应腔内部或者将晶圆托架从反应腔内部取出，能够便于晶圆托架移动以提升镀膜效率。
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公开(公告)号：CN116043195A
公开(公告)日：2023-05-02
申请号：CN202310189792.0
申请日：2023-03-01
申请人： 无锡邑文电子科技有限公司
IPC分类号： C23C16/455
摘要： 本发明的实施例提供了一种加热装置及ALD设备，涉及镀膜技术领域。该加热装置包括容置容器、反应腔以及加热组件。反应腔设置于容置容器内，反应腔用于镀膜，加热组件设置于容置容器内，并围绕于反应腔的所有外表面，以对反应腔的整体进行均匀地加热，提高加热效率，从而提升镀膜效率及镀膜质量。
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公开(公告)号：CN115295461B
公开(公告)日：2023-04-14
申请号：CN202211219788.6
申请日：2022-10-08
申请人： 无锡邑文电子科技有限公司
IPC分类号： H01L21/67
摘要： 本申请提供一种工艺环境配置过程的中断恢复方法和装置，所述方法包括：在机台工艺异常中断的情况下，确定工艺腔室中晶圆的当前工艺步骤以及工艺腔室中反应气体的当前种类和含量，工艺腔室中反应气体的当前种类和含量是基于质量流量控制器中各气路的开闭情况以及流量信息确定的，基于预设工艺流程确定工艺腔室当前工艺步骤对应的目标压力、反应气体种类以及各类反应气体的比例，基于目标压力和各类反应气体的比例确定工艺腔室当前工艺步骤对应的各类反应气体的目标含量，在异常排除的情况下基于工艺腔室中反应气体的当前种类和含量以及当前工艺步骤对应的各类反应气体的目标含量，对工艺腔室进行工艺环境配置过程中断恢复，能够提高晶圆良品率。
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公开(公告)号：CN115874167A
公开(公告)日：2023-03-31
申请号：CN202310147056.9
申请日：2023-02-22
申请人： 江苏邑文微电子科技有限公司 , 无锡邑文电子科技有限公司
IPC分类号： C23C16/52 , C23C16/455
摘要： 本申请提供一种多工序PECVD设备的喷淋组件自动调平方法与装置，涉及半导体加工技术领域，多工序PECVD设备包括由多个喷淋头构成的喷淋组件、加热盘、与多个喷淋头一一对应的多个调平组件，各调平组件包括至少三个与对应喷淋头连接的调节件，加热盘包括与喷淋头数量相同的多个晶圆放置区域；所述方法包括：基于预设测量节点对应的水平度信息，确定匹配的喷淋头需要调平的目标晶圆放置区域以及对应的喷淋头调平参数；基于实时工艺进度确定不同工序目标喷淋头匹配的晶圆放置区域是否为目标晶圆放置区域，若是，基于目标喷淋头匹配的晶圆放置区域对应的喷淋头调平参数对目标喷淋头对应的调节件进行调节，能避免晶圆薄膜质量不达标的问题。
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公开(公告)号：CN115376976B
公开(公告)日：2023-03-24
申请号：CN202211306401.0
申请日：2022-10-25
申请人： 无锡邑文电子科技有限公司
IPC分类号： H01L21/67 , H01L21/683 , G05D23/30
摘要： 本申请提供一种用于半导体加工设备的加热冷却复合盘及其控制方法，涉及半导体技术领域。加热冷却复合盘包括加热盘、腔体和冷却盘，腔体连接于加热盘的一侧，腔体与加热盘围成容置腔室；冷却盘滑动设置于容置腔室内，冷却盘、腔体的侧壁以及加热盘围成第一容置子腔室，冷却盘、腔体的侧壁和底壁围成第二容置子腔室；通过控制第一容置子腔室与第二容置子腔室中的气压，可调节冷却盘与加热盘之间的距离。能够提高晶圆的整体工艺效率，降低操作不当造成晶圆或半导体加工设备损坏的风险，并能最大限度缩小半导体加工设备体积，降低成本。同时还能实现降温速率的精确调节，提高产品合格率。
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