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公开(公告)号：CN116913849A
公开(公告)日：2023-10-20
申请号：CN202310678768.3
申请日：2023-06-08
Applicant: 无锡邑文电子科技有限公司 , 江苏邑文微电子科技有限公司
IPC: H01L21/687
Abstract: 本发明的实施例提供了一种顶升机构和晶圆加工设备，涉及半导体技术领域。顶升机构包括伸缩驱动件、安装板、顶针和反应腔体。反应腔体具有用于加工晶圆的反应腔，反应腔的底壁设置有开孔。顶针可移动地设置于开孔。安装板与伸缩驱动件传动连接，且安装板位于顶针的底部。伸缩驱动件用于在处于伸长状态时，带动安装板上升与顶针抵接以推动顶针向上移动从而顶升晶圆托架。伸缩驱动件处还用于在缩短状态时，带动安装板下移以便顶针向下移动。可以避免顶针在伸缩驱动件震动时发生形变，及易于顶针的维护和更换。
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公开(公告)号：CN116631850B
公开(公告)日：2023-10-03
申请号：CN202310904578.9
申请日：2023-07-24
Applicant: 无锡邑文电子科技有限公司
Abstract: 本发明涉及半导体技术领域，具体而言，涉及低损伤碳化硅界面的处理方法，包括清洗，去除碳化硅晶圆表面的浆液层；利用第一刻蚀气体刻蚀C原子层，第一刻蚀气体包括Ar和O2；利用第二刻蚀气体刻蚀Si原子层，第二刻蚀气体包括SF6；重复交替进行刻蚀C原子层的步骤和刻蚀Si原子层的步骤。本发明的处理方法能够进一步有效地提高碳化硅晶圆的表面质量。
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公开(公告)号：CN116721915A
公开(公告)日：2023-09-08
申请号：CN202310973991.0
申请日：2023-08-04
Applicant: 无锡邑文电子科技有限公司
IPC: H01L21/308 , H01L21/3065 , H01L21/67 , H01J37/32
Abstract: 本发明涉及半导体技术领域，具体而言，涉及一种SiC刻蚀方法和设备，SiC刻蚀方法包括：去除预设沟槽的底部的硬壳层、以及单步刻蚀或多步刻蚀；去除预设沟槽的底部的硬壳层的步骤，包括：利用CF4气体去除预设沟槽的底部的硬壳层；单步刻蚀或多步刻蚀的步骤，包括：利用主刻蚀气体SF6和辅助刻蚀气体，对SiC衬底进行刻蚀，其中，辅助刻蚀气体包括CBr4气体，以生成SiBr4附着在SiC衬底上刻蚀得到的沟槽的侧壁，以增强侧壁保护，降低侧壁的粗糙度。该刻蚀方法能够在转移图形的过程中降低SiC衬底刻蚀出的沟槽的侧壁的粗糙度，同时降低沟槽栅氧的击穿的可能性，进而提高半导体器件的可靠性。
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公开(公告)号：CN116162907B
公开(公告)日：2023-08-01
申请号：CN202310430531.3
申请日：2023-04-21
Applicant: 无锡邑文电子科技有限公司
Abstract: 本发明属于专用于半导体器件的PLD镀膜技术领域，具体涉及一种专用于半导体器件的PLD镀膜装置，包括靶材安装机构、激光发射机构和镀膜基底机构，靶材安装机构包括：具有若干开孔的靶材基座，用于安装靶材的若干靶材安装座，膜厚仪；靶材安装机构还包括：若干靶材角度调节器，其与若干靶材安装座一一对应，且其第一端转动连接在对应的靶材安装座上，其第二端铰接在靶材基座上；若干柔性连接器，其与若干靶材安装座一一对应，且其一端连接在所述靶材安装座上，另一端连接在第二驱动机构上。本发明能够实现单独精密调节单个靶材的溅射角度，保证了每次溅射的一致性，并能实时根据检测的膜厚调整靶材的溅射角度，利于提升沉积膜层厚度均匀性。
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公开(公告)号：CN116288272A
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN202310197160.9
申请日：2023-03-01
Applicant: 无锡邑文电子科技有限公司
IPC: C23C16/455 , C23C16/48
Abstract: 本发明公开了一种原子层沉积设备，涉及半导体领域。该原子层沉积设备包括进气装置、预热装置、反应炉及加热装置；进气装置设置在反应炉上并与反应炉内部连通，用于将反应气体引入反应炉；预热装置设置于进气装置上，用于对反应气体进行预热；加热装置围成加热空间，反应炉容置于加热空间内，加热装置用于从多个方向上对反应炉进行加热。本发明提供的原子层沉积设备能够快速提升反应气体的温度，提升镀膜效率，并能够保证炉内温度均衡，提升镀膜质量。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116162923A
公开(公告)日：2023-05-26
申请号：CN202310190466.1
申请日：2023-03-01
Applicant: 无锡邑文电子科技有限公司
IPC: C23C16/458 , C23C16/455 , H01L21/673
Abstract: 本发明的实施例提供了一种晶圆托架及ALD设备，涉及镀膜技术领域。晶圆托架包括顶板、底板以及多个支撑组件。多个支撑组件的两端均与顶板和底板连接。支撑组件、顶板以及底板共同围成容置单元，容置单元用于容置晶圆。多个支撑组件均开设有凹槽，凹槽用于承载晶圆。多个支撑组件和顶板与底板组成多个容置单元，并通过设置于支撑组件的凹槽承载晶圆，以使得每个容置单元可容纳放置多个晶圆，从而提高晶圆托架的空间利用率，可一次性对放置于晶圆托架上的多个晶圆进行镀膜，提高镀膜效率。
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公开(公告)号：CN116162921A
公开(公告)日：2023-05-26
申请号：CN202310186721.5
申请日：2023-03-01
Applicant: 无锡邑文电子科技有限公司
IPC: C23C16/455 , C23C16/44
Abstract: 本发明的实施例提供了一种进气装置和原子层沉积设备，涉及半导体技术领域。进气装置包括主管道、密封壁、加热件和多个分支管道。主管道包括相对设置的第一端体和第二端体，第一端体包括第一管壁和由第一管壁形成的第一空腔。第二端体包括第二管壁和第二空腔。密封壁设置于第二端体远离第一端体的端部，以对第二空腔远离第一端体的一侧进行密封，密封壁上凹设有安装腔，安装腔依次由密封壁、第二管壁延伸至第一管壁内，且安装腔不贯通第一管壁。多个分支管道分别安装于第二端体，且均与第二空腔连通，分支管道用于向第二空腔输送前驱体源，加热件安装于安装腔，加热件用于给前驱体源加热。通过加热件给前驱体源加热，可以提高晶圆镀膜的效率。
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公开(公告)号：CN115786885B
公开(公告)日：2023-04-25
申请号：CN202310065466.9
申请日：2023-02-06
Applicant: 江苏邑文微电子科技有限公司 , 无锡邑文电子科技有限公司
Abstract: 本发明的实施例提供了一种化学气相沉积腔体设备，涉及半导体技术领域。化学气相沉积腔体设备包括支架、腔体、伸缩动力装置和导向装置。腔体包括下盖体和上盖体，下盖体安装在支架上，上盖体活动设置在下盖体上；伸缩动力装置包括动力装置和与动力装置连接的伸缩电缸，动力装置安装在下盖体的下侧，伸缩电缸安装在支架和上盖体上，动力装置用于驱动伸缩电缸，伸缩电缸用于带动上盖体相对于下盖体升降；导向装置安装在支架和上盖体上，导向装置用于限制上盖体在竖直方向移动。这样，化学气相沉积腔体设备结构紧凑，整体高度低，且占地面积小，而且，上盖板升降平稳，上盖板回落至腔体上时，能够满足的工艺条件。
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公开(公告)号：CN115784774B
公开(公告)日：2023-04-25
申请号：CN202310065487.0
申请日：2023-02-06
Applicant: 江苏邑文微电子科技有限公司 , 无锡邑文电子科技有限公司
IPC: H01L21/3065
Abstract: 本发明的实施例提供了一种改善SiC Mos界面特性的方法，涉及碳化硅制备领域。该改善SiC Mos界面特性的方法包括碳化硅表面清洗；在碳化硅表面制备阻挡层；利用等离子体对碳化硅表面进行处理，等离子体中的带电离子被阻挡层隔离，等离子体中的中性活性自由基穿过阻挡层到达碳化硅的表面进行修补；去除碳化硅表面的阻挡层；对碳化硅表面进行氧化形成SiC/SiO2。在对碳化硅表面的缺陷进行修复处理之前先在碳化硅的表面制备阻挡层，使得等离子体中的带电离子被阻挡层隔离，等离子体中的中性活性自由基穿过阻挡层到达碳化硅的表面进行修补，降低了到达碳化硅表面的带电离子的数量，缓解带电离子对碳化硅表面造成损伤的问题。
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公开(公告)号：CN115494568B
公开(公告)日：2023-04-25
申请号：CN202211461501.0
申请日：2022-11-17
Applicant: 江苏邑文微电子科技有限公司 , 无锡邑文电子科技有限公司
Abstract: 本发明提供了一种微透镜阵列的制备方法及其微透镜阵列、应用，涉及光电器件技术领域；该制备方法包括：在基板上形成第一压印胶层；利用压印、刻蚀工艺将纳米压印模板上的图案转移到基板上，形成阵列的微透镜单元；去除第一压印胶层，获取阵列的微透镜单元；在阵列的微透镜单元表面形成介质层，得到所需的微透镜阵列；其中，介质层的厚度和材料根据微透镜阵列应用的器件的焦距和/或折射率的需求获取；刻蚀工艺中，根据待得到的微透镜单元的底面直径D与中心厚度d与的比值，调整刻蚀工艺中所采用的处理气体中卤化氢和和氟化物的比例。本申请还提供一种微透镜阵列。本申请提供的微透镜阵列的制备方法及其微透镜阵列精度高，参数灵活可调。
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