发明公开
- 专利标题： 一种增强型GaN基HEMT器件结构及其制备方法
-
申请号： CN202310545127.0申请日： 2023-05-15
-
公开(公告)号： CN116722040A公开(公告)日： 2023-09-08
- 发明人: 曹艳荣 , 马毛旦 , 吕航航 , 王志恒 , 张新祥 , 陈川 , 吴琳姗 , 吕玲 , 郑雪峰 , 马晓华 , 郝跃
- 申请人： 西安电子科技大学
- 申请人地址： 陕西省西安市太白南路2号
- 专利权人： 西安电子科技大学
- 当前专利权人： 西安电子科技大学
- 当前专利权人地址： 陕西省西安市太白南路2号
- 代理机构： 西安嘉思特知识产权代理事务所
- 代理商 辛菲
- 主分类号： H01L29/778
- IPC分类号： H01L29/778 ; H01L29/36 ; H01L29/06 ; H01L21/335 ; H01L29/423
摘要：
本发明公开了一种增强型GaN基HEMT器件结构及其制备方法，包括：依次位于SiC衬底层上的AlN成核层和GaN缓冲层；N+GaN区，位于GaN缓冲层中；GaN凸台，位于GaN缓冲层上，且其紧接N+GaN区；源电极和漏电极，分别位于GaN缓冲层两端的表面；AlGaN势垒层，位于源电极和漏电极之间的GaN缓冲层、GaN凸台和N+GaN区上；SiN钝化层，位于源电极和漏电极之间的AlGaN势垒层上；栅电极，贯穿SiN钝化层位于AlGaN势垒层上，且与GaN凸台正相对；其中，N+GaN区，位于漏电极和栅电极之间的GaN缓冲层中。本发明是一种新型的增强型GaN基HEMT器件结构，具有较高的器件性能。
IPC分类:
