集成退火系统及其制造集成电路与场效晶体管的方法

Invention Publication

CN116779438A 集成退火系统及其制造集成电路与场效晶体管的方法审中-实审

Abstract:

本揭露提供一种集成退火系统及其制造集成电路与场效晶体管的方法。制造集成电路(IC)的方法包括以下步骤：提供基板；在基板中形成p型井区；在基板中形成n型井区；在第一温度下进行微波退火；在微波退火之后，在高于第一温度的第二温度下进行补充退火；及在p型井区及n型井区中制造多个场效晶体管(FET)。

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IPC分类:

H	电学
H01	基本电气元件
H01L	半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中使用的半导体器件见应用相关的小类）
H01L21/00	专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02	.半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04	..至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18	...器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/30	....用H01L21/20至H01L21/26各组不包含的方法或设备处理半导体材料的（在半导体材料上制作电极的入H01L21/28）
H01L21/324	.....用于改善半导体材料性能的热处理，例如退火、烧结（H01L21/20至H01L21/288，H01L21/302至H01L21/322优先）