本发明提供了一种基于Ga2O3‑少层MXenes异质结的日盲紫外光电探测器及其制备方法，制备方法包括：制备多层MXenes材料；对制备的多层MXenes材料进行插层处理后，得到插层MXenes材料；对制备的插层MXenes材料进行超声处理后，离心、取上层清液，获得少层MXenes悬浮液；在衬底上生长Ga2O3纳米线；将少层MXenes悬浮液滴在Ga2O3纳米线的表面，并在惰性气体氛围下，经退火处理，获得Ga2O3‑少层MXenes异质结极片；在Ga2O3‑MXenes少层异质结极片上加工电极，以形成基于Ga2O3‑少层MXenes异质结的日盲紫外光电探测器。本发明利用少层MXenes材料的高导电性和大的异质结接触面积，提高日盲紫外光电探测器的性能。