基于Ga2O3-少层MXenes异质结的日盲紫外光电探测器及其制备方法

    公开(公告)号:CN116779725A

    公开(公告)日:2023-09-19

    申请号:CN202310878682.5

    申请日:2023-07-17

    发明人: 陆文强 朱希

    摘要: 本发明提供了一种基于Ga2O3‑少层MXenes异质结的日盲紫外光电探测器及其制备方法,制备方法包括:制备多层MXenes材料;对制备的多层MXenes材料进行插层处理后,得到插层MXenes材料;对制备的插层MXenes材料进行超声处理后,离心、取上层清液,获得少层MXenes悬浮液;在衬底上生长Ga2O3纳米线;将少层MXenes悬浮液滴在Ga2O3纳米线的表面,并在惰性气体氛围下,经退火处理,获得Ga2O3‑少层MXenes异质结极片;在Ga2O3‑MXenes少层异质结极片上加工电极,以形成基于Ga2O3‑少层MXenes异质结的日盲紫外光电探测器。本发明利用少层MXenes材料的高导电性和大的异质结接触面积,提高日盲紫外光电探测器的性能。