本发明提供一种半导体结构。所述半导体结构包括至少一第一井区设置在一半导体基底中，并具有一第一导电类型。一晶体管的至少一栅极设置在所述第一井区上方且沿一第一方向延伸。至少一第二井区和至少一第三井区设置在所述第一井区的相对两侧且沿所述第一方向延伸。所述第二井区与所述第三井区具有一第二导电类型，而所述第二导电类型与所述第一导电类型互补。一第一屏蔽结构设置于所述栅极的至少一端且于一垂直投影方向上与所述第一井区部分重叠。所述第一屏蔽结构分离于所述栅极的所述端。一块体环设置在所述半导体基底中，且围绕所述栅极、所述第二井区、所述第三井区与所述第一屏蔽结构。