本发明涉及半导体集成电路制造领域，特别涉及一种屏蔽栅功率器件结构及制造方法，制造方法包括：提供半导体层；于所述半导体层上形成沟槽；于半导体层表面形成场氧化层；刻蚀部分所述场氧化层，使场氧化层的高度低于沟槽顶面高度，以形成屏蔽栅介质层；于屏蔽栅介质层上方形成第一栅极结构；于沟槽内形成屏蔽栅极结构；部分刻蚀屏蔽栅极结构，以在屏蔽栅极结构上形成刻蚀区域；于所述屏蔽栅极结构上的刻蚀区域上形成第二栅极结构；其中，至少部分屏蔽栅极结构位于所述第一栅极结构和所述第二栅极结构之间；本发明通过提高两极间电容来提高器件输入电容，减缓器件的开关速度，避免器件关断过快导致的电压波动，提高电路的稳定及可靠性。