发明公开
- 专利标题: 一种硒化钨/碲化铋室温红外双波段探测器及其制备方法
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申请号: CN202310818982.4申请日: 2023-07-05
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公开(公告)号: CN116914014A公开(公告)日: 2023-10-20
- 发明人: 王东博 , 刘东昊 , 方铉 , 曹伽牧 , 刘思航 , 王金忠 , 曲平
- 申请人: 哈尔滨工业大学
- 申请人地址: 黑龙江省哈尔滨市南岗区西大直街92号
- 专利权人: 哈尔滨工业大学
- 当前专利权人: 哈尔滨工业大学
- 当前专利权人地址: 黑龙江省哈尔滨市南岗区西大直街92号
- 代理机构: 哈尔滨龙科专利代理有限公司
- 代理商 李智慧
- 主分类号: H01L31/109
- IPC分类号: H01L31/109 ; H01L31/18 ; H01L31/0336 ; C23C14/06 ; C23C14/16 ; C23C14/18 ; C23C14/35
摘要:
一种硒化钨/碲化铋室温红外双波段探测器及其制备方法,属于红外成像探测技术领域,所述探测器包括衬底、WSe2/Bi2Te3异质结和铬金电极,衬底上磁控溅射沉积WSe2/Bi2Te3异质结,铬金电极设置在WSe2/Bi2Te3异质结上。本发明利用在衬底上用磁控溅射技术沉积的WSe2/Bi2Te3异质结薄膜材料,制备了红外双波段探测器,短波红外探测响应峰位于1μm处,长波红外探测响应峰位于12.5μm处,材料制备工艺简单,以较低成本、实现了室温红外短、长波双波段自供能探测。