发明公开
CN116936569A 双极晶体管及半导体装置
审中-公开
- 专利标题： 双极晶体管及半导体装置
-
申请号： CN202310254079.X申请日： 2023-03-16
-
公开(公告)号： CN116936569A公开(公告)日： 2023-10-24
- 发明人: 津村和宏
- 申请人： 艾普凌科株式会社
- 申请人地址： 日本长野县北佐久郡御代田町大字御代田4106-73(邮递区号:389-0293)
- 专利权人： 艾普凌科株式会社
- 当前专利权人： 艾普凌科株式会社
- 当前专利权人地址： 日本长野县北佐久郡御代田町大字御代田4106-73(邮递区号:389-0293)
- 代理机构： 北京同立钧成知识产权代理有限公司
- 代理商 李敏灵; 刘芳
- 优先权： 2022-208377 20221226 JP 2022-208377 20221226 JP
- 主分类号： H01L27/02
- IPC分类号： H01L27/02 ; H01L29/73 ; H01L29/06 ; H01L29/10 ; H01L29/423
摘要：
本发明提供一种可减小电性特性的偏差的双极晶体管及半导体装置。一种双极晶体管(100)，具有：集电极区域(150)，是P型半导体基板(110)中的规定区域；基极区域(140)，形成在集电极区域(150)内且是N型阱区域；多晶硅(130)，隔着绝缘膜(131)形成在基极区域(140)上，且俯视时的外周呈矩形的环状；以及P型发射极区域(120)，被多晶硅(130)包围且形成在基极区域(140)内，多晶硅(130)包括延伸部(130a)，所述延伸部(130a)向基极区域(140)的接触区域(141)的内侧延伸并与基极区域(140)电性连接。