公开(公告)号：CN116799001A

公开(公告)日：2023-09-22

申请号：CN202310229884.7

申请日：2023-03-10

申请人： 艾普凌科株式会社

发明人： 津村和宏

IPC分类号： H01L27/02

摘要： 本发明提供一种与被保护电路的运行电压及破坏电压对应的ESD保护电路及半导体装置。一种ESD保护电路(100)，连接于VDD端子与VSS端子之间，与在运行电压下运行并且在破坏电压以上的电压下被破坏的内部电路(C)并联连接，而保护内部电路(C)不受静电放电的影响，所述ESD保护电路(100)具有串联连接的多个ESD保护元件(110、120)，多个ESD保护元件(110、120)是晶体管、二极管元件或者它们的组合，比运行电压高的电压下的多个ESD保护元件(110、120)的电流‑电压特性的总和比运行电压高且比破坏电压低，直至达到能够保护内部电路(C)的放电电流值以上。

公开(公告)号：CN116936569A

公开(公告)日：2023-10-24

申请号：CN202310254079.X

申请日：2023-03-16

申请人： 艾普凌科株式会社

发明人： 津村和宏

IPC分类号： H01L27/02 ,  H01L29/73 ,  H01L29/06 ,  H01L29/10 ,  H01L29/423

摘要： 本发明提供一种可减小电性特性的偏差的双极晶体管及半导体装置。一种双极晶体管(100)，具有：集电极区域(150)，是P型半导体基板(110)中的规定区域；基极区域(140)，形成在集电极区域(150)内且是N型阱区域；多晶硅(130)，隔着绝缘膜(131)形成在基极区域(140)上，且俯视时的外周呈矩形的环状；以及P型发射极区域(120)，被多晶硅(130)包围且形成在基极区域(140)内，多晶硅(130)包括延伸部(130a)，所述延伸部(130a)向基极区域(140)的接触区域(141)的内侧延伸并与基极区域(140)电性连接。