本发明属于微电子器件技术领域，公开了一种双栅极场效应晶体管及其制备方法。本发明的场效应晶体管包括：衬底自下而上依次设置基底层和第一氧化物层；底部栅极自下而上依次设置第一金属层、第一氧化铪基负电容层及第二氧化物层；半导体层包含源极、沟道、漏极；顶部栅极自下而上依次设置第三氧化物层、第二氧化铪基负电容层及第二金属层。本发明利用两个栅极负电容层的共同作用，实现更强的栅控能力，大幅稳定场效应晶体管的负电容效应，获得更稳定的超低亚阈值摆幅，大幅降低器件工作电压，有望满足先进微电子器件的发展需求。