本发明提供一种半导体器件的制备方法及半导体器件，包括：提供半导体衬底，半导体衬底上形成有源区；在有源区上方形成栅位线，栅位线上形成有氧化阻挡层；去除氧化阻挡层；在去除氧化阻挡层之后的栅位线侧壁上沉积间隔氧化物；如此，在前序工艺中，氧化阻挡层会受到损伤，因此将氧化阻挡层去除之后，再在栅位线侧壁上重新沉积一层新的间隔氧化物时，可以避免因损伤的氧化阻挡层厚度不均匀导致间隔氧化物厚度不均匀等缺陷，进而提高氧化物的均匀性，减少缺陷；由于去除氧化阻挡层去除之后，栅位线侧壁上氧化物的整体厚度会减薄，各栅位线之间的间隔会增大，后续在填充间隔沟槽时，填充能力及填充膜层的均匀性也能得到改善，提高器件的整体性能。