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公开(公告)号：CN114520137B
公开(公告)日：2024-09-10
申请号：CN202011296811.2
申请日：2020-11-18
申请人： 中国科学院微电子研究所 , 真芯(北京)半导体有限责任公司
IPC分类号： H01J37/32 , H01L21/683 , H01L21/67
摘要： 本发明涉及一种去除刻蚀设备静电卡盘表面颗粒的装置及方法，属于半导体制造设备领域，解决了现有技术中现有半导体生产设备中，在刻蚀工艺微颗粒附着在静电卡盘表面，进而造成产品良品率下滑，预防性检修增多，停机时间增加，生产效率下滑的问题。本发明公开了一种去除刻蚀设备静电卡盘表面颗粒的装置，包括：气体供应装置、调节阀门、主供气管、支供气管和喷嘴组成；支供气管沿刻蚀腔内壁设置，连接主供气管和喷嘴；喷嘴的设置位置高于静电卡盘上表面；调节阀门用于调节气体的流量；气体供应装置供应吹扫气体。本发明的装置及方法实现了半导体制造设备中刻蚀设备静电卡盘表面颗粒的自动、有效去除。
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公开(公告)号：CN114496691B
公开(公告)日：2024-07-12
申请号：CN202011173116.7
申请日：2020-10-28
申请人： 中国科学院微电子研究所 , 真芯(北京)半导体有限责任公司
IPC分类号： H01J37/32 , H01L21/683 , H01L21/67
摘要： 本发明涉及一种静电卡盘固定结构，涉及半导体制造技术领域，用于解决聚焦环可能会发生物理性偏移的问题。该静电卡盘固定结构由聚焦环和基底组成；所述基底工作侧上设置有第一连接部；所述聚焦环的环平面上设置第二连接部；所述聚焦环包覆静电卡盘的边缘；所述基底和所述聚焦环通过所述第一连接部与所述第二连接部卡合连接。本发明能够防止聚焦环在长时间工艺流片中发生物理性偏移，进而保证刻蚀后不会发生图形漂移，从而提高蚀刻过程中晶圆的良率。
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公开(公告)号：CN114964349B
公开(公告)日：2024-07-02
申请号：CN202110188872.5
申请日：2021-02-19
申请人： 中国科学院微电子研究所 , 真芯(北京)半导体有限责任公司
摘要： 本发明公开了一种腔室压力测量装置、测量方法及半导体制造设备，属于半导体制造技术领域，解决了现有技术中腔室内部压力测量不精确的问题。本发明腔室压力测量装置，包括压力计和温度调节单元；所述温度调节单元设置在所述压力计上，用于将所述压力计内的温度调节至与所述腔室内的温度一致；所述压力计设置在腔室壁上，且与腔室连通，用于测量腔室内部压力。本发明实现了腔室压力的精准测量。
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公开(公告)号：CN113948359B
公开(公告)日：2024-04-19
申请号：CN202010695475.2
申请日：2020-07-17
申请人： 中国科学院微电子研究所 , 真芯(北京)半导体有限责任公司
IPC分类号： H01J37/32 , H01L21/683 , H01L21/67
摘要： 本发明提供一种静电吸盘，所述静电吸盘包括：一电介质层，该电介质层中设置有正电极和负电极，所述静电吸盘还包括供电系统，该供电系统包括基本电压源、基本电压控制器以及自偏压传感器，其中，基本电压源连接于正电极和负电极之间，用于供应正电极和负电极各自需要的电荷；自偏压传感器用于对自偏压进行检测，自偏压为静电吸盘所吸附的晶圆的表面在等离子体环境下形成的负的电压；基本电压控制器用于根据自偏压的值对基本电压源的输出电压进行控制，以使自偏压与静电吸盘的正电极电压之间的电压差无法形成电弧。本发明能够防止静电吸盘出现拉弧。
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公开(公告)号：CN111900166B
公开(公告)日：2023-12-05
申请号：CN202010575383.0
申请日：2020-06-22
申请人： 中国科学院微电子研究所 , 真芯(北京)半导体有限责任公司
摘要： 本公开提供一种半导体结构及其制造方法，该半导体结构包括：半导体基底；位于所述半导体基底上的复数条线形功能部；位于所述线形功能部的两侧的空气隙；其中，所述空气隙由竖直部分和水平部分组成，具有“L”型的垂直截面形状，所述竖直部分位于所述线形功能部的侧壁外。半导体结构中的线形功能部件，其侧壁外具有空气隙，能够有效降低寄生电容，同时空气隙的制备步骤少，工艺简单，能够很好地降低成本、提高产率。
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公开(公告)号：CN117042439A
公开(公告)日：2023-11-10
申请号：CN202210462362.7
申请日：2022-04-28
申请人： 中国科学院微电子研究所 , 真芯(北京)半导体有限责任公司
IPC分类号： H10B12/00
摘要： 本发明提供一种半导体器件的制备方法及半导体器件，包括：提供半导体衬底，半导体衬底上形成有源区；在有源区上方形成栅位线，栅位线上形成有氧化阻挡层；去除氧化阻挡层；在去除氧化阻挡层之后的栅位线侧壁上沉积间隔氧化物；如此，在前序工艺中，氧化阻挡层会受到损伤，因此将氧化阻挡层去除之后，再在栅位线侧壁上重新沉积一层新的间隔氧化物时，可以避免因损伤的氧化阻挡层厚度不均匀导致间隔氧化物厚度不均匀等缺陷，进而提高氧化物的均匀性，减少缺陷；由于去除氧化阻挡层去除之后，栅位线侧壁上氧化物的整体厚度会减薄，各栅位线之间的间隔会增大，后续在填充间隔沟槽时，填充能力及填充膜层的均匀性也能得到改善，提高器件的整体性能。
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公开(公告)号：CN111430281B
公开(公告)日：2023-03-31
申请号：CN202010450153.1
申请日：2020-05-25
申请人： 中国科学院微电子研究所 , 真芯(北京)半导体有限责任公司
IPC分类号： H01L21/67
摘要： 本发明涉及半导体加工技术领域，尤其涉及一种反应腔室、反应腔室的控制方法及半导体加工设备，该反应腔室包括：出气口；第一吸附过滤单元，设置于出气口处，用于对工艺过程中产生的副产物进行吸附；第一吸附过滤单元包括两个子过滤单元以及分别连接两个子过滤单元的马达，两个子过滤单元拼接处形成一个以上的排气口；马达用于驱动所述两个子过滤单元进行移动，以调整一个以上的排气口大小，一个以上的排气口大小的变化规则由工艺类型所确定，进而通过调整两个子过滤单元之间的距离，以实现对排气口大小的调整，进而针对不同工艺类型中副产物量的不同来适应性调整该排气口大小，以提高反应腔室内对副产物的过滤效果，并兼顾抽气效率。
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公开(公告)号：CN115332034A
公开(公告)日：2022-11-11
申请号：CN202110507244.9
申请日：2021-05-10
申请人： 中国科学院微电子研究所 , 真芯(北京)半导体有限责任公司
摘要： 本发明涉及一种刻蚀腔室清洁系统、清洁方法及半导体刻蚀设备，属于集成电路制造技术领域，解决了现有刻蚀腔室环境稳定性差导致的刻蚀工艺漂移的问题。本发明的刻蚀腔室清洁系统，包括用户操作单元、晶圆工艺采集单元和刻蚀腔室清洁单元，晶圆工艺采集单元与刻蚀设备连接，用于收集晶圆刻蚀过程中的工艺参数；用户操作单元能够根据晶圆工艺采集单元收集的数据，设定刻蚀腔室清洁参数；刻蚀腔室清洁单元与刻蚀设备连接，用于控制刻蚀设备执行腔室刻蚀清洁过程。本申请能够有效去除刻蚀腔室内部的颗粒物，维持刻蚀腔室的环境一致性，保证晶圆的刻蚀速率及刻蚀均匀性等工艺参数的稳定性，避免刻蚀工艺的漂移，有效提高了晶圆良率。
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公开(公告)号：CN115332033A
公开(公告)日：2022-11-11
申请号：CN202110507228.X
申请日：2021-05-10
申请人： 中国科学院微电子研究所 , 真芯(北京)半导体有限责任公司
摘要： 本发明提供了一种刻蚀流程控制方法和装置，涉及蚀刻技术领域，用于解决由于固有误差以及等离子气体对阀门的腐蚀而引发的晶圆良率降低的问题。其中，所述方法包括：接收刻蚀启动指令；根据所述刻蚀启动指令，从终阀获取第一气流量数据，以及从预设的检测节点获取第二气流量数据；根据所述第一气流量数据和所述第二气流量数据，确定理论气流量与实际气流量的流量偏差；根据所述流量偏差与预设取值范围的关系，控制当前刻蚀流程。本发明提供的技术方案能够提高晶圆良率。
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公开(公告)号：CN115206827A
公开(公告)日：2022-10-18
申请号：CN202110396417.4
申请日：2021-04-13
申请人： 中国科学院微电子研究所 , 真芯(北京)半导体有限责任公司
IPC分类号： H01L21/67
摘要： 本发明公开一种半导体处理系统，涉及半导体加工技术领域，用以提高晶圆边缘的平整度，进而提高晶圆产品的质量。该半导体处理系统包括：控制器，与所述控制器通信的旋转设备及至少一个激光设备；所述旋转设备用于承载所述晶圆；所述控制器用于控制所述旋转设备带动所述晶圆旋转，还用于在所述旋转设备带动所述晶圆旋转的过程中，控制所述激光设备对所述晶圆边缘区域的副产物进行刻蚀处理。
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