发明公开
- 专利标题: 基板处理方法以及基板处理装置
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申请号: CN202280024747.3申请日: 2022-03-31
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公开(公告)号: CN117099188A公开(公告)日: 2023-11-21
- 发明人: 石川慎也 , 小野健太 , 本田昌伸
- 申请人: 东京毅力科创株式会社
- 申请人地址: 日本东京
- 专利权人: 东京毅力科创株式会社
- 当前专利权人: 东京毅力科创株式会社
- 当前专利权人地址: 日本东京
- 代理机构: 北京市铸成律师事务所
- 代理商 卜晨; 王艳波
- 优先权: 2021-062935 2021.04.01 JP
- 国际申请: PCT/JP2022/016672 2022.03.31
- 国际公布: WO2022/211057 JA 2022.10.06
- 进入国家日期: 2023-09-26
- 主分类号: H01L21/3065
- IPC分类号: H01L21/3065
摘要:
提供控制在被蚀刻膜上形成的开口的尺寸和/或形状的技术。本公开涉及的基板处理方法包含准备基板的工序,所述基板具有(a)被蚀刻膜、(b)在所述被蚀刻膜上形成且在所述被蚀刻膜上具有规定至少一个开口的侧壁的掩模膜、和(c)在所述掩模膜之中的至少所述侧壁上包围所述开口而形成且包含从由硼、磷、硫以及锡构成的组中选择的至少一种元素的保护膜;以及将所述保护膜以及所述掩模膜作为掩模蚀刻所述被蚀刻膜的工序。