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公开(公告)号：CN117099188A
公开(公告)日：2023-11-21
申请号：CN202280024747.3
申请日：2022-03-31
申请人： 东京毅力科创株式会社
IPC分类号： H01L21/3065
摘要： 提供控制在被蚀刻膜上形成的开口的尺寸和/或形状的技术。本公开涉及的基板处理方法包含准备基板的工序，所述基板具有(a)被蚀刻膜、(b)在所述被蚀刻膜上形成且在所述被蚀刻膜上具有规定至少一个开口的侧壁的掩模膜、和(c)在所述掩模膜之中的至少所述侧壁上包围所述开口而形成且包含从由硼、磷、硫以及锡构成的组中选择的至少一种元素的保护膜；以及将所述保护膜以及所述掩模膜作为掩模蚀刻所述被蚀刻膜的工序。
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公开(公告)号：CN117096027A
公开(公告)日：2023-11-21
申请号：CN202310564019.8
申请日：2023-05-18
申请人： 东京毅力科创株式会社
IPC分类号： H01L21/311 , H01L21/67 , H01J37/32
摘要： 提供适当地蚀刻包含含金属膜的基板的技术。本公开涉及的等离子体处理方法为在等离子体处理装置中执行的等离子体处理方法，所述等离子体处理方法包含(a)在腔室内的基板支持部上准备基板的工序，所述基板具有包含第一含硅膜的蚀刻对象膜和所述蚀刻对象膜上的第一含金属膜，所述第一含金属膜包含开口图案；以及(b)蚀刻所述蚀刻对象膜的工序。所述(b)包含向所述腔室内供给包含含碳、氢以及氟的一种以上的气体的处理气体，在所述腔室内由所述处理气体生成等离子体，蚀刻所述第一含硅膜而在所述第一含硅膜上形成所述开口图案的工序，所述处理气体所包含的氢原子的数量与氟原子的数量的比例为0.3以上。还提供一种等离子体处理系统。
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公开(公告)号：CN117121170A
公开(公告)日：2023-11-24
申请号：CN202280027729.0
申请日：2022-03-10
申请人： 东京毅力科创株式会社
IPC分类号： H01L21/3065
摘要： 本公开提供改良基板上的含锡膜的技术。本公开涉及的基板处理方法包含：在腔室内准备基板的工序，所述基板具有被蚀刻膜和在被蚀刻膜上规定至少一个开口的含锡膜；以及向腔室供给包含含卤素气体或者含氧气体的处理气体，在含锡膜的表面形成改良膜的工序。
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公开(公告)号：CN113097061A
公开(公告)日：2021-07-09
申请号：CN202011447487.X
申请日：2020-12-09
申请人： 东京毅力科创株式会社
IPC分类号： H01L21/3065 , H01L21/311 , H01L21/67
摘要： 所公开的蚀刻方法包括在基板上划分开口的侧壁表面上形成保护层的工序。保护层含有磷。蚀刻方法还包括在形成保护层的工序之后，为了增加开口的深度而对基板的膜进行蚀刻的工序。
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公开(公告)号：CN117316758A
公开(公告)日：2023-12-29
申请号：CN202310694554.5
申请日：2023-06-13
申请人： 东京毅力科创株式会社
IPC分类号： H01L21/033 , H01L21/67 , H01J37/32 , C23C16/505 , C23C16/515 , C23C16/52 , C23C16/04 , C23C16/14
摘要： 提供能够控制基板的开口尺寸的技术。提供在具有腔室的等离子体处理装置中执行的等离子体处理方法。该方法包含：(a)在腔室内的基板支持部上准备基板的工序，所述基板具备蚀刻对象膜和形成在所述蚀刻对象膜上且具有在所述蚀刻对象膜上规定至少一个开口的侧面的含金属膜；(b)使用由第一处理气体生成的等离子体在含金属膜的表面的至少一部分上形成沉积膜的工序，所述第一处理气体包含含硅、碳或者金属的气体；以及(c)使用由第二处理气体生成的等离子体除去含金属膜的所述侧面的至少一部分的工序。还提供一种等离子体处理系统。
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公开(公告)号：CN116897413A
公开(公告)日：2023-10-17
申请号：CN202280015254.3
申请日：2022-02-24
申请人： 东京毅力科创株式会社
IPC分类号： H01L21/3065
摘要： 对包含含锡膜的基板进行适当地蚀刻。在一个示例性实施方式中，提供一种基板处理方法。基板处理方法具备：准备基板的准备工序，所述基板具备含碳膜、设置在含碳膜上的中间膜和设置在中间膜上且具有开口图案的含锡膜；第一蚀刻工序，将含锡膜作为掩模蚀刻中间膜而将开口图案转印在中间膜上；以及第二蚀刻工序，使用由包含氢、卤素或者碳和氧的处理气体生成的等离子体除去含锡膜并且将中间膜作为掩模蚀刻含碳膜。
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公开(公告)号：CN116072538A
公开(公告)日：2023-05-05
申请号：CN202211308033.3
申请日：2022-10-25
申请人： 东京毅力科创株式会社
IPC分类号： H01L21/311 , H01L21/033 , H01L21/67
摘要： 本公开提供一种等离子体处理方法和等离子体处理装置，能够控制开口尺寸。等离子体处理方法包括以下工序：工序(a)，提供具备蚀刻对象膜和掩模膜的基板，掩模膜形成于蚀刻对象膜的上表面，掩模膜具有在蚀刻对象膜的上表面规定出至少一个开口的侧面和从侧面延伸出到蚀刻对象膜的上表面的至少一部分的延伸部；工序(b)，在掩模膜的至少侧面形成沉积膜；以及工序(c)，使用由第一处理气体生成的等离子体，至少对沉积膜的一部分进行蚀刻来使沉积膜的厚度减少，其中，第一处理气体包含用于对蚀刻对象膜进行蚀刻的气体，执行工序(c)直到在深度方向上蚀刻对象膜的一部分被蚀刻以使得延伸部被去除为止。
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公开(公告)号：CN113823559A
公开(公告)日：2021-12-21
申请号：CN202110654318.1
申请日：2021-06-11
申请人： 东京毅力科创株式会社
IPC分类号： H01L21/3065 , H01J37/32 , H01L21/308 , H01L21/67
摘要： 本发明提供一种为了对基片进行蚀刻而形成保护膜的技术。所公开的蚀刻方法包括：在基片的表面上形成保护膜的步骤。基片具有要蚀刻的区域和设置在该区域上的掩模。保护膜包含锡原子。蚀刻方法还包括：蚀刻基片内的区域的步骤。
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公开(公告)号：CN113270315A
公开(公告)日：2021-08-17
申请号：CN202110067048.4
申请日：2021-01-19
申请人： 东京毅力科创株式会社
IPC分类号： H01L21/3065 , H01L21/308 , H01J37/32
摘要： 本发明提供能够在基片内的区域的蚀刻中抑制掩模的开口的封闭的蚀刻方法、基片处理装置和基片处理系统。例示的实施方式的蚀刻方法包括在基片的表面上形成膜的步骤。基片具有要蚀刻的区域和掩模。掩模形成于基片的区域上，并提供使该区域部分地露出的开口。膜由与基片的区域的材料相同种类的材料形成。蚀刻方法还包括对基片的区域进行蚀刻的步骤。
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