发明公开
CN117135914A 半导体器件及其制造方法
审中-实审
- 专利标题: 半导体器件及其制造方法
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申请号: CN202310408932.9申请日: 2023-04-17
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公开(公告)号: CN117135914A公开(公告)日: 2023-11-28
- 发明人: 朴硕汉 , 李基硕 , 申硕浩 , 崔贤根 , 刘宝元
- 申请人: 三星电子株式会社
- 申请人地址: 韩国京畿道
- 专利权人: 三星电子株式会社
- 当前专利权人: 三星电子株式会社
- 当前专利权人地址: 韩国京畿道
- 代理机构: 中科专利商标代理有限责任公司
- 代理商 张霞; 倪斌
- 优先权: 10-2022-0065188 2022.05.27 KR
- 主分类号: H10B12/00
- IPC分类号: H10B12/00
摘要:
半导体器件包括在衬底上的位线结构。每个位线结构沿第二方向延伸,并且位线结构在第一方向上彼此间隔开。半导体器件还包括在位线结构中的每一个上在第二方向上彼此间隔开的半导体图案、半导体图案中的在第一方向上相邻的半导体图案之间的层间绝缘图案、以及在位线结构上在第二方向上彼此间隔开的字线。每条字线邻近半导体图案沿第一方向延伸。半导体器件还包括分别设置在半导体图案上并电连接到半导体图案的电容器。沿第二方向延伸的接缝形成在层间绝缘图案中的每一个中。