公开(公告)号：CN110690192A

公开(公告)日：2020-01-14

申请号：CN201910603873.4

申请日：2019-07-05

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 李周益 ,  金东完 ,  申硕浩 ,  韩正勳 ,  朴商五

IPC分类号： H01L23/498 ,  H01L25/18

摘要： 提供了一种半导体装置，所述半导体装置可以包括半导体基底和位于半导体基底上的连接基体柱。绝缘层可以位于半导体基底上，绝缘层可以包括位于绝缘层中的开口，连接基体柱穿过开口延伸，其中，绝缘层的限定开口的侧壁包括位于比连接基体柱的最上部分低的水平处的水平台阶。

公开(公告)号：CN110060969A

公开(公告)日：2019-07-26

申请号：CN201910049167.X

申请日：2019-01-18

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 申硕浩 ,  具本辉 ,  权慧卿 ,  金成镇 ,  金周东 ,  李在弼 ,  林东源

IPC分类号： H01L23/485 ,  H01L23/488 ,  H01L21/60

摘要： 一种半导体器件包括：半导体衬底，具有芯片区域和边缘区域；多个连接结构，提供在边缘区域的下绝缘层中并在第一方向上以第一间隔布置；覆盖连接结构的上绝缘层；以及多个再分配焊盘，设置在上绝缘层上并分别连接到连接结构。每个再分配焊盘包括提供在芯片区域上的焊盘部分。当在平面图中观看时，再分配焊盘的焊盘部分在与第一方向相交的第二方向上与连接结构间隔开第一距离。

公开(公告)号：CN117715413A

公开(公告)日：2024-03-15

申请号：CN202311163952.0

申请日：2023-09-11

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 崔贤根 ,  申硕浩 ,  慎重赞 ,  李基硕 ,  金根楠 ,  朴硕汉 ,  张殷硕 ,  韩珍优

IPC分类号： H10B12/00 ,  H10B63/00

摘要： 一种半导体器件可以包括基板、在基板上沿第一方向延伸的位线以及在位线上的有源图案。该半导体器件可以包括在有源图案的一侧旁边在垂直于第一方向的第二方向上延伸跨过位线的背栅电极，以及在有源图案的另一侧旁边在第二方向上延伸的字线。有源图案在第二方向上的长度可以大于位线在第二方向上的长度。

公开(公告)号：CN117641900A

公开(公告)日：2024-03-01

申请号：CN202311072951.5

申请日：2023-08-24

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 金泰赫 ,  姜泰逵 ,  申硕浩 ,  李基硕 ,  李相昊 ,  金根楠 ,  朴硕汉 ,  慎重赞 ,  郑文泳 ,  赵银珠

IPC分类号： H10B12/00

摘要： 一种半导体装置包括：衬底；在第一方向上在衬底上延伸的位线；位线上的第一有源图案和第二有源图案；背栅电极，其在第一有源图案和第二有源图案之间并且在垂直于第一方向的第二方向上与位线交叉地延伸；第一字线，其在第一有源图案的一侧在第二方向上延伸；第二字线，其在第二有源图案的另一侧在第二方向上延伸；以及接触图案，其连接至第一有源图案和第二有源图案中的每一个，其中，接触图案顺序地包括外延生长层、掺杂的多晶硅层和硅化物层。

公开(公告)号：CN111223862A

公开(公告)日：2020-06-02

申请号：CN201910830939.3

申请日：2019-09-04

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 全宰贤 ,  朴世根 ,  朴桐湜 ,  申硕浩

IPC分类号： H01L27/108

摘要： 提供了半导体装置以及制造其的方法。半导体装置包括基底，基底包括在一方向上纵向延伸的多个有源区和使所述多个有源区彼此电隔离的隔离区。半导体装置包括延伸穿过所述多个有源区和隔离区的栅极沟槽。半导体装置包括在栅极沟槽中延伸的栅极结构。半导体装置包括在所述多个有源区中的每个中位于栅极沟槽和栅极结构之间的栅极介电层。栅极结构在所述多个有源区中的每个有源区中具有在所述方向上的第一宽度，并且在隔离区中具有在所述方向上的不同于第一宽度的第二宽度。

公开(公告)号：CN118076101A

公开(公告)日：2024-05-24

申请号：CN202311536413.7

申请日：2023-11-16

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 慎重赞 ,  李基硕 ,  朴硕汉 ,  申硕浩

IPC分类号： H10B12/00

摘要： 一种半导体器件包括竖直沟道晶体管，该竖直沟道晶体管包括沿竖直方向延伸的竖直沟道区域和面向竖直沟道区域的第一侧表面的单元栅电极。位线在比竖直沟道晶体管的高度低的高度处电连接到竖直沟道晶体管。外围半导体主体的至少一部分设置在与竖直沟道区域相同的高度。外围源/漏区设置在外围半导体主体中，并且在水平方向上彼此间隔开。外围沟道区域在外围半导体主体中设置在外围源/漏区之间。外围栅极设置在外围半导体主体下方。外围栅极的至少一部分设置在与位线的至少一部分相同的高度。

公开(公告)号：CN117956798A

公开(公告)日：2024-04-30

申请号：CN202311408358.3

申请日：2023-10-26

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 金根义 ,  李基硕 ,  张殷硕 ,  朴硕韩 ,  申硕浩 ,  慎重赞 ,  郑文泳

IPC分类号： H10B41/27 ,  H10B41/30 ,  H10B43/27 ,  H10B43/30

摘要： 一种半导体存储器件可以包括：衬底；在衬底上在第一方向上延伸的位线；在第二方向上延伸以与位线交叉的第一字线和第二字线；在第一字线和第二字线之间在第二方向上延伸的背栅电极；设置在第一和第二字线与背栅电极之间并且连接到位线的第一和第二有源图案；分别联接到第一和第二有源图案的接触图案；在接触图案和背栅电极之间的第一背栅极覆盖图案；以及在接触图案与第一和第二字线之间的第一栅极覆盖图案。第一背栅极覆盖图案和第一栅极覆盖图案可以具有第一接缝和第二接缝，第一接缝和第二接缝在第二方向上延伸并且位于不同的垂直水平处。

公开(公告)号：CN117956797A

公开(公告)日：2024-04-30

申请号：CN202311400546.1

申请日：2023-10-26

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 姜泰逵 ,  金泰赫 ,  申硕浩 ,  金根楠 ,  朴硕韩 ,  慎重赞 ,  李基硕

IPC分类号： H10B41/27 ,  H10B41/30 ,  H10B43/27 ,  H10B43/30 ,  H10B43/40 ,  H10B41/40

摘要： 一种半导体存储器件可以包括：包括单元阵列区和外围电路区的衬底；在衬底的单元阵列区上的有源图案；在衬底的外围电路区上的外围有源图案；设置在外围有源图案的顶表面上的外围栅电极；提供在单元阵列区上以覆盖有源图案的顶表面的第一层间绝缘图案；以均匀的厚度覆盖第一层间绝缘图案和外围栅电极的第一蚀刻停止层；以及设置在第一蚀刻停止层上和外围电路区中的第二层间绝缘图案。在单元阵列区中，第二层间绝缘图案可以具有与第一蚀刻停止层的顶表面位于基本相同的水平的顶表面。

公开(公告)号：CN117135914A

公开(公告)日：2023-11-28

申请号：CN202310408932.9

申请日：2023-04-17

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 朴硕汉 ,  李基硕 ,  申硕浩 ,  崔贤根 ,  刘宝元

IPC分类号： H10B12/00

摘要： 半导体器件包括在衬底上的位线结构。每个位线结构沿第二方向延伸，并且位线结构在第一方向上彼此间隔开。半导体器件还包括在位线结构中的每一个上在第二方向上彼此间隔开的半导体图案、半导体图案中的在第一方向上相邻的半导体图案之间的层间绝缘图案、以及在位线结构上在第二方向上彼此间隔开的字线。每条字线邻近半导体图案沿第一方向延伸。半导体器件还包括分别设置在半导体图案上并电连接到半导体图案的电容器。沿第二方向延伸的接缝形成在层间绝缘图案中的每一个中。

公开(公告)号：CN110060969B

公开(公告)日：2021-07-27

申请号：CN201910049167.X

申请日：2019-01-18

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 申硕浩 ,  具本辉 ,  权慧卿 ,  金成镇 ,  金周东 ,  李在弼 ,  林东源

IPC分类号： H01L23/485 ,  H01L23/488 ,  H01L21/60

摘要： 一种半导体器件包括：半导体衬底，具有芯片区域和边缘区域；多个连接结构，提供在边缘区域的下绝缘层中并在第一方向上以第一间隔布置；覆盖连接结构的上绝缘层；以及多个再分配焊盘，设置在上绝缘层上并分别连接到连接结构。每个再分配焊盘包括提供在芯片区域上的焊盘部分。当在平面图中观看时，再分配焊盘的焊盘部分在与第一方向相交的第二方向上与连接结构间隔开第一距离。