本申请涉及半导体制作领域，公开了一种单光子雪崩二极管器件及其制作方法，包括：在衬底的表面形成依次层叠的第一介质层和图形化第二介质层；利用图形化第二介质层的遮挡，对衬底依次进行N型掺杂和P型掺杂，形成PN结；N型掺杂区域和P型掺杂区域沿衬底的厚度方向分布；腐蚀图形化第二介质层，形成开口变大的图形化第二介质层；利用开口变大的图形化第二介质层，对衬底进行N型轻掺杂，形成保护环；去除第一介质层和图形化第二介质层；进行后续工艺处理，得到单光子雪崩二极管器件。本申请在制作保护环时直接腐蚀图形化第二介质层，使图形化第二介质层的开口变大，进而制作出保护环，不需通过制作光刻胶来制作保护环，降低制作成本。