发明公开
- 专利标题: 含硅抗蚀剂下层膜形成用组合物
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申请号: CN202280040250.0申请日: 2022-06-10
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公开(公告)号: CN117460995A公开(公告)日: 2024-01-26
- 发明人: 武田谕 , 加藤宏大 , 柴山亘 , 志垣修平 , 石桥谦
- 申请人: 日产化学株式会社
- 申请人地址: 日本东京都
- 专利权人: 日产化学株式会社
- 当前专利权人: 日产化学株式会社
- 当前专利权人地址: 日本东京都
- 代理机构: 北京市中咨律师事务所
- 代理商 李照明; 段承恩
- 优先权: 2021-098049 2021.06.11 JP
- 国际申请: PCT/JP2022/023396 2022.06.10
- 国际公布: WO2022/260154 JA 2022.12.15
- 进入国家日期: 2023-12-05
- 主分类号: G03F7/11
- IPC分类号: G03F7/11 ; G03F7/42 ; G03F7/26
摘要:
一种含硅抗蚀剂下层膜形成用组合物,其含有:[A]成分:聚硅氧烷、和[C]成分:溶剂。所述聚硅氧烷包含源自具有碘代烷基的水解性硅烷(A)的结构单元。
IPC分类: