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公开(公告)号：CN113785243A
公开(公告)日：2021-12-10
申请号：CN202080032980.7
申请日：2020-03-27
申请人： 日产化学株式会社
摘要： 本发明的课题是提供一种组合物以及使用该组合物的抗蚀剂图案的金属化方法，其能够通过使抗蚀剂图案的抗蚀剂金属化来改善抗蚀剂图案的粗糙度或塌陷，并提高耐蚀刻性。本发明是一种用于抗蚀剂图案金属化工艺的组合物以及使用该组合物提供于抗蚀剂中渗透有前述组合物成分的抗蚀剂图案的抗蚀剂图案金属化方法，所述组合物含有(A)成分：选自金属氧化物(1)、水解性硅烷化合物(2)、前述水解性硅烷化合物的水解物(3)、及前述水解性硅烷化合物的水解缩合物(4)中的至少一种；(B)成分：不含有羧基(‑‑COOH)的酸化合物；及(C)成分：水性溶剂。
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公开(公告)号：CN118647935A
公开(公告)日：2024-09-13
申请号：CN202380020468.4
申请日：2023-02-17
申请人： 日产化学株式会社
IPC分类号： G03F7/11 , C08G77/20 , H01L21/027
摘要： 一种含有硅的抗蚀剂下层膜形成用组合物，其用于形成在含有金属的抗蚀剂膜与基板之间形成的含有硅的抗蚀剂下层膜，所述含有硅的抗蚀剂下层膜形成用组合物含有：[A]成分：聚硅氧烷；以及[C]成分：溶剂，上述聚硅氧烷包含来源于下述式(A‑1)所示的水解性硅烷(A)的结构单元。(在式(A‑1)中，a表示1～3的整数。b表示0～2的整数。a+b表示1～3的整数。R1表示具有不饱和键并且具有环结构的有机基。)#imgabs0#
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公开(公告)号：CN116868318A
公开(公告)日：2023-10-10
申请号：CN202280015569.8
申请日：2022-02-21
申请人： 日产化学株式会社
IPC分类号： H01L21/312
摘要： 本发明涉及一种具有薄膜的基板，该基板具有：所述薄膜，具有下述式(1)所示的化合物中的Si‑R1基；以及所述基板，在其表面配置有具有所述Si‑R1基的所述薄膜。Si(R1)(R2)n(R3)3‑n…式(1)(所述式(1)中，R1表示与Si键合的一价有机基团，R2表示与Si键合的一价有机基团，R3表示与Si键合的烷氧基、酰氧基或卤素原子，n表示0～2的整数，在n为2的情况下，R2可以相同也可以不同，在n为0或1的情况下，R3可以相同也可以不同。在n为1的情况下，R1和R2可以一起形成环结构)。
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公开(公告)号：CN116547781A
公开(公告)日：2023-08-04
申请号：CN202180079667.3
申请日：2021-11-26
申请人： 日产化学株式会社
IPC分类号： H01L21/027
摘要： 本发明的课题是提供可以抑制在形成涂布膜时可能发生的微小粒子等引起的缺陷产生的抗蚀剂下层膜形成用组合物。解决手段是一种含有硅的抗蚀剂下层膜形成用组合物，其含有：[A]聚硅氧烷；[B]标准沸点为230.0℃以上，并且，下述式(1)所示的二醇化合物：(式中，R1和R2各自独立地表示氢原子、碳原子数1～4的烷基或碳原子数3～4的酰基，n表示3以上的整数)；以及[C]溶剂(但是相当于[B]化合物的化合物除外)。
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公开(公告)号：CN113906084A
公开(公告)日：2022-01-07
申请号：CN202080038844.9
申请日：2020-03-25
申请人： 日产化学株式会社
IPC分类号： C08G77/04 , C09D5/00 , C08L83/04 , C09D183/06 , C09D183/08 , G03F7/11 , C09D7/63
摘要： 本发明的课题是提供适合作为可以形成兼具对EUV抗蚀剂的良好的密合性、与良好的蚀刻加工性的抗蚀剂下层膜的抗蚀剂下层膜形成用组合物的、膜形成用组合物。解决手段是一种膜形成用组合物，其包含：在碱性水解催化剂的存在下生成的水解性硅烷化合物的水解缩合物(A)；在酸性水解催化剂的存在下生成的水解性硅烷化合物的水解缩合物(B)；以及溶剂。
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公开(公告)号：CN115398342A
公开(公告)日：2022-11-25
申请号：CN202180026228.6
申请日：2021-03-31
申请人： 日产化学株式会社
摘要： 本发明的课题是提供获得能够作为具有对作为上层而形成的抗蚀剂膜用的组合物的溶剂的耐性、针对氟系气体的良好的蚀刻特性、进一步良好的光刻特性的抗蚀剂下层膜而良好地起作用的膜的组合物。解决手段是一种膜形成用组合物，其特征在于，包含使用2种以上酸性化合物进行水解性硅烷化合物的水解和缩合而获得的水解缩合物、和溶剂，上述水解性硅烷化合物包含下述式(1)所示的含有氨基的硅烷。(在式(1)中，R1为与硅原子结合的基团，彼此独立地表示包含氨基的有机基，R2为与硅原子结合的基团，表示可以被取代的烷基、可以被取代的芳基、可以被取代的芳烷基、可以被取代的卤代烷基、可以被取代的卤代芳基、可以被取代的卤代芳烷基、可以被取代的烷氧基烷基、可以被取代的烷氧基芳基、可以被取代的烷氧基芳烷基、或可以被取代的烯基，或表示包含环氧基、丙烯酰基、甲基丙烯酰基、巯基或氰基的有机基，R3为与硅原子结合的基团或原子，彼此独立地表示烷氧基、芳烷基氧基、酰氧基或卤原子，a为1～2的整数，b为0～1的整数，且满足a+b≤2。)R1aR2bSi(R3)4‑(a+b)(1)。
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