发明授权
- 专利标题: 一种高分子材料表面金属化处理方法
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申请号: CN202311834567.4申请日: 2023-12-28
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公开(公告)号: CN117467929B公开(公告)日: 2024-03-26
- 发明人: 祝土富 , 李炯 , 但敏
- 申请人: 核工业西南物理研究院
- 申请人地址: 四川省成都市双流区西南航空港黄荆路5号
- 专利权人: 核工业西南物理研究院
- 当前专利权人: 核工业西南物理研究院
- 当前专利权人地址: 四川省成都市双流区西南航空港黄荆路5号
- 代理机构: 成都行之专利代理有限公司
- 代理商 唐邦英
- 主分类号: C23C14/02
- IPC分类号: C23C14/02 ; C23C14/48
摘要:
本发明涉及高分子材料表面处理技术领域,具体公开了一种高分子材料表面金属化处理方法,包括以下步骤:S1、高分子基材表面的离子束溅射清洗:采用低能射频气体离子源对高分子基材表面进行离子束溅射清洗;S2、高分子基材表面的高能气体离子注入:采用高能气体离子源对高分子基材表面进行高能气体离子注入;S3、高分子基材的表面金属化处理。本发明采用高、低能气体离子源综合处理高分子基材,能够大幅提高高分子基材的表面自由能,使表面金属膜层与高分子基材具有较高的剥离强度和附着力,使处理后的高分子基材粘结强度高、性能稳定,且该处理方法具有工艺简单、生产效率高、成本低的优点。
公开/授权文献
- CN117467929A 一种高分子材料表面金属化处理方法 公开/授权日:2024-01-30
IPC分类: