公开(公告)号：CN117467929A

公开(公告)日：2024-01-30

申请号：CN202311834567.4

申请日：2023-12-28

申请人： 核工业西南物理研究院

发明人： 祝土富 ,  李炯 ,  但敏

IPC分类号： C23C14/02 ,  C23C14/48

摘要： 本发明涉及高分子材料表面处理技术领域，具体公开了一种高分子材料表面金属化处理方法，包括以下步骤：S1、高分子基材表面的离子束溅射清洗：采用低能射频气体离子源对高分子基材表面进行离子束溅射清洗；S2、高分子基材表面的高能气体离子注入：采用高能气体离子源对高分子基材表面进行高能气体离子注入；S3、高分子基材的表面金属化处理。本发明采用高、低能气体离子源综合处理高分子基材，能够大幅提高高分子基材的表面自由能，使表面金属膜层与高分子基材具有较高的剥离强度和附着力，使处理后的高分子基材粘结强度高、性能稳定，且该处理方法具有工艺简单、生产效率高、成本低的优点。

公开(公告)号：CN117467929B

公开(公告)日：2024-03-26

申请号：CN202311834567.4

申请日：2023-12-28

申请人： 核工业西南物理研究院

发明人： 祝土富 ,  李炯 ,  但敏

IPC分类号： C23C14/02 ,  C23C14/48

摘要： 本发明涉及高分子材料表面处理技术领域，具体公开了一种高分子材料表面金属化处理方法，包括以下步骤：S1、高分子基材表面的离子束溅射清洗：采用低能射频气体离子源对高分子基材表面进行离子束溅射清洗；S2、高分子基材表面的高能气体离子注入：采用高能气体离子源对高分子基材表面进行高能气体离子注入；S3、高分子基材的表面金属化处理。本发明采用高、低能气体离子源综合处理高分子基材，能够大幅提高高分子基材的表面自由能，使表面金属膜层与高分子基材具有较高的剥离强度和附着力，使处理后的高分子基材粘结强度高、性能稳定，且该处理方法具有工艺简单、生产效率高、成本低的优点。

公开(公告)号：CN117727613A

公开(公告)日：2024-03-19

申请号：CN202311770348.4

申请日：2023-12-20

申请人： 核工业西南物理研究院 ,  中核同创(成都)科技有限公司 ,  四川轻化工大学

发明人： 唐德礼 ,  陈美艳 ,  于毅军 ,  卢燮明 ,  邹伟 ,  李炯 ,  刘旋 ,  王丁

IPC分类号： H01J37/32

摘要： 本发明公开了一种用于宽幅薄膜的连续离子刻蚀装置，包括真空室、辊组及若干气体离子源，真空室内开有刻蚀口，刻蚀口的长度稍大于宽幅薄膜的宽度，真空室内靠近刻蚀口转动设置有冷毂，冷毂的轴线与刻蚀口的长度方向平行，冷毂的毂面为圆柱面，用于撑展宽幅薄膜，真空室开有进膜口和出膜口；辊组用于使宽幅薄膜沿长度方向、从进膜口进入真空室，并从出膜口移出；气体离子源和真空室可拆卸连接，气体离子源的输出端从刻蚀口的同侧指向刻蚀口。其能够解决现有的等离子表面处理装置无法有效处理宽幅薄膜的问题。