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公开(公告)号：CN117467929A
公开(公告)日：2024-01-30
申请号：CN202311834567.4
申请日：2023-12-28
申请人： 核工业西南物理研究院
摘要： 本发明涉及高分子材料表面处理技术领域，具体公开了一种高分子材料表面金属化处理方法，包括以下步骤：S1、高分子基材表面的离子束溅射清洗：采用低能射频气体离子源对高分子基材表面进行离子束溅射清洗；S2、高分子基材表面的高能气体离子注入：采用高能气体离子源对高分子基材表面进行高能气体离子注入；S3、高分子基材的表面金属化处理。本发明采用高、低能气体离子源综合处理高分子基材，能够大幅提高高分子基材的表面自由能，使表面金属膜层与高分子基材具有较高的剥离强度和附着力，使处理后的高分子基材粘结强度高、性能稳定，且该处理方法具有工艺简单、生产效率高、成本低的优点。
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公开(公告)号：CN117385324A
公开(公告)日：2024-01-12
申请号：CN202311356160.5
申请日：2023-10-19
申请人： 核工业西南物理研究院
摘要： 本发明公开了减摩抗咬合涂层、螺纹件及其制作方法和应用，减摩抗咬合涂层包括依次沉积的Cr层、CrN层、CrN‑CrC‑DLC层以及CrC‑DLC层，减摩抗咬合涂层中的Cr层和工件本体具有良好的结合力，在螺纹件反复使用过程中具有良好的抗咬合性能、耐腐蚀性能以及摩擦系数低，适宜在高温、高压和腐蚀性环境等恶劣工况下服役。
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公开(公告)号：CN117467929B
公开(公告)日：2024-03-26
申请号：CN202311834567.4
申请日：2023-12-28
申请人： 核工业西南物理研究院
摘要： 本发明涉及高分子材料表面处理技术领域，具体公开了一种高分子材料表面金属化处理方法，包括以下步骤：S1、高分子基材表面的离子束溅射清洗：采用低能射频气体离子源对高分子基材表面进行离子束溅射清洗；S2、高分子基材表面的高能气体离子注入：采用高能气体离子源对高分子基材表面进行高能气体离子注入；S3、高分子基材的表面金属化处理。本发明采用高、低能气体离子源综合处理高分子基材，能够大幅提高高分子基材的表面自由能，使表面金属膜层与高分子基材具有较高的剥离强度和附着力，使处理后的高分子基材粘结强度高、性能稳定，且该处理方法具有工艺简单、生产效率高、成本低的优点。
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公开(公告)号：CN117542718A
公开(公告)日：2024-02-09
申请号：CN202311487217.5
申请日：2023-11-09
申请人： 核工业西南物理研究院
摘要： 本发明公开了一种用于等离子刻蚀的中性粒子束产生装置，包括放电仓和中性粒子束产生机构，放电仓外设有射频天线，射频天线连有脉冲射频电源，以使放电仓内形成等离子体；中性粒子束产生机构包括气路电极、引出产生栅极及偏压电源组，气路电极和引出产生栅极通过偏压电源组连接，并分别设于放电仓相对的两侧，以对等离子体中的负离子加速，使负离子通过引出产生栅极射出形成中性粒子束；引出产生栅极能够对负离子进行减速及中性化处理。其能够解决等离子刻蚀时会使基片表面产生损伤或缺陷的问题。
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公开(公告)号：CN117510097A
公开(公告)日：2024-02-06
申请号：CN202311850486.3
申请日：2023-12-29
申请人： 核工业西南物理研究院
摘要： 本申请涉及硅基陶瓷材料，提供了一种硅基陶瓷表面金属化方法及应用，硅基陶瓷表面金属化方法包括硅基陶瓷表面除脂除油、硅基陶瓷表面等离子体预刻蚀活化、硅基陶瓷表面氧气等离子体深度活化以及硅基陶瓷表面真空镀膜和/或电镀增厚；其中，硅基陶瓷表面等离子体预刻蚀活化中刻蚀气体为NF3、CF4、SF6、CHF3、CH2F2、C2F6、C2H4F2、C4F6、C4F8以及C5F8中至少一种，活化气体为氧气。膜层和硅基陶瓷具有优良的膜基结合力。先采用含氟气体与O2的混合等离子体对镀前硅基陶瓷表面进行刻蚀活化，后采用纯O2等离子体对硅基陶瓷表面进一步深度清洗活化，经过深度刻蚀与活化后，膜层与玻璃基体具有优良的膜基结合力。
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公开(公告)号：CN113913763A
公开(公告)日：2022-01-11
申请号：CN202110997201.3
申请日：2021-08-27
申请人： 核工业西南物理研究院
摘要： 本发明属于薄膜材料技术领域，具体公开了一种身管抗烧蚀磨损涂层的制备方法，该方法包括步骤(1)、身管超声清洗；步骤(2)、身管自辉光溅射清洗；步骤(3)、采用高功率脉冲磁控溅射或阴极弧沉积(Ta/TaN)n梯度涂层，其中n＝1，2，……，30。本发明方法制备的(Ta/TaN)n身管涂层具有膜层薄、硬度高、附着力好、抗烧蚀磨损性能好等优点。
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公开(公告)号：CN108611590A
公开(公告)日：2018-10-02
申请号：CN201611145210.5
申请日：2016-12-13
申请人： 核工业西南物理研究院 , 成都同创材料表面新技术工程中心
摘要： 本发明属于低温等离子体材料表面处理技术领域，具体涉及一种Ti合金工件防咬死的方法。本方法包括九个步骤，本方法实现Ti合金工件烘烤除气、离子束溅射清洗和原位离子束辅助磁控溅射沉积Ti-TiN周期复合涂层的制备工艺，以得到均匀致密、结合性能良好的Ti-TiN周期复合涂层。提高工件耐磨、抗疲劳和微动磨损等性能，达到防咬死和耐磨的要求。在Ti合金紧固件内螺纹表面制备的Ti-TiN周期复合涂层，纯度高、膜基结合性能好、膜层均匀致密、界面处无孔隙，处理后的Ti合金紧固件达到耐磨、防咬死、抗微动磨损等要求，防咬死性能较未处理工件至少提高了2倍，满足某型号装备使用要求，大大降低了成本，提高了装备的整体使用稳定性和使用寿命。
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公开(公告)号：CN105152689A
公开(公告)日：2015-12-16
申请号：CN201510346890.6
申请日：2015-06-23
申请人： 核工业西南物理研究院 , 武汉光谷创元电子有限公司
IPC分类号： C04B41/90
摘要： 本发明公开了一种陶瓷基覆铜板的制造方法，所述方法包括：陶瓷基板清洗、离子束清洗活化、金属离子注入、真空镀膜、电镀增厚铜膜，真空镀膜根据产品的要求，可采用两种膜系：①金属沉积层/铜沉积层；②金属氧化物沉积层/金属沉积层/铜沉积层。本发明的生产效率高、质量稳定、成本低，制造的陶瓷基覆铜板具有孔隙率低、热导率高、剥离强度高、稳定性好等特点。
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公开(公告)号：CN118241169A
公开(公告)日：2024-06-25
申请号：CN202211667228.7
申请日：2022-12-23
申请人： 核工业西南物理研究院
摘要： 本发明涉及低温等离子体技术和薄膜材料制备技术领域，具体涉及一种等离子体射流触发脉冲阴极弧源，包括：水冷阴极靶、磁流体、齿轮减速器、冷却水进出嘴、阴极靶电机、运动模组电机、磁场线圈、屏蔽壳、运动机械模组和等离子体电弧射流炬；本发明可以在高沉积速率条件下制备大面积高致密涂层，本发明装置利用脉冲等离子体产生炬产生的脉冲射流为阴极电弧靶点火，并结合阴极弧靶上脉冲电压和功率调节，控制阴极弧能量，来抑制电弧等离子体中含有的大颗粒缺陷，同时利用阴极弧靶和脉冲等离子体炬移动或转动，来实现阴极靶的均匀烧蚀和高均匀性膜层镀制。
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公开(公告)号：CN118042696A
公开(公告)日：2024-05-14
申请号：CN202410144101.X
申请日：2024-02-01
申请人： 核工业西南物理研究院
摘要： 本发明公开了一种长寿命大功率强流束源，包括辅助启辉射频放电腔，辅助启辉射频放电腔的上端设置有等离子体放电腔，辅助启辉射频放电腔的下端连有气路，辅助启辉射频放电腔的外部缠绕有辅助启辉射频天线；等离子体放电腔靠近辅助启辉射频放电腔侧的下端外缠绕有辅助启辉端磁场线圈，等离子体放电腔靠近出口侧的上端外缠绕有出口端磁场线圈组，等离子体放电腔的中部外环绕设置有高磁导率磁芯，高磁导率磁芯上缠绕有射频放电耦合线圈。本发明的等离子体束源，基于磁增强高效射频感应耦合技术产生平行于放电腔轴向的强电场，加速电子实现高电离率等离子体放电，具有结构紧凑，价格低廉、拆装方便、易维护、长寿命等特点。
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