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公开(公告)号：CN117510097A
公开(公告)日：2024-02-06
申请号：CN202311850486.3
申请日：2023-12-29
Applicant: 核工业西南物理研究院
Abstract: 本申请涉及硅基陶瓷材料，提供了一种硅基陶瓷表面金属化方法及应用，硅基陶瓷表面金属化方法包括硅基陶瓷表面除脂除油、硅基陶瓷表面等离子体预刻蚀活化、硅基陶瓷表面氧气等离子体深度活化以及硅基陶瓷表面真空镀膜和/或电镀增厚；其中，硅基陶瓷表面等离子体预刻蚀活化中刻蚀气体为NF3、CF4、SF6、CHF3、CH2F2、C2F6、C2H4F2、C4F6、C4F8以及C5F8中至少一种，活化气体为氧气。膜层和硅基陶瓷具有优良的膜基结合力。先采用含氟气体与O2的混合等离子体对镀前硅基陶瓷表面进行刻蚀活化，后采用纯O2等离子体对硅基陶瓷表面进一步深度清洗活化，经过深度刻蚀与活化后，膜层与玻璃基体具有优良的膜基结合力。
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公开(公告)号：CN114369733B
公开(公告)日：2022-10-21
申请号：CN202111505874.9
申请日：2021-12-10
Applicant: 核工业西南物理研究院 , 中核陕西铀浓缩有限公司
Abstract: 本发明属于铀资源技术领域，具体公开一种贫化六氟化铀直接还原转化为金属铀的装置及方法，该装置包括：真空室、放电极板、放电电源、送气口、真空泵、抽气管道和过滤系统，两个放电极板分别通过真空室的电极连接端子安装于真空室内，放电电源通过真空室的电极连接端子安装于真空室外，两个放电极板与放电电源连接，真空室顶端开设有送气口，真空室外分别连接有真空泵和抽气管道，抽气管道上安装有过滤系统。本发明方法直接一步将六氟化铀还原成金属铀，简化了传统六氟化铀转化成金属铀的流程，大大减少了相关含铀废物的产生。
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公开(公告)号：CN114302546A
公开(公告)日：2022-04-08
申请号：CN202111489702.7
申请日：2021-12-08
Applicant: 核工业西南物理研究院
IPC: H05H1/24
Abstract: 本发明属于等离子体源技术领域，具体涉及一种高效率低污染等离子体源，包括同轴放置的阴极、水冷阳极和磁轭底座，以及设于磁轭底座中心处的内磁钢、套装在内磁钢外的内屏蔽、磁轭底座的外沿上方固定安装的外磁钢和外屏蔽；所述的磁轭底座位于阴极内；所述的水冷阳极与阴极绝缘连接；所述的内磁钢和外磁钢磁力方向相反；所述的阴极、水冷阳极之间连接放电电源A。等离子体源的内、外磁极处于悬浮电位或相对于工件或真空室地分别施加不同偏压的方式，通过设计放电通道，使其电势分布，因此可以降低和控制放电等离子体对壁自溅射，从而达到提高放电电流利用率和引出离子能量目的。
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公开(公告)号：CN114288961A
公开(公告)日：2022-04-08
申请号：CN202111489705.0
申请日：2021-12-08
Applicant: 核工业西南物理研究院
Abstract: 本发明属于热等离子体应用技术领域，具体公开了一种热等离子还原氟化物的装置及方法，该装置包括：直流等离子体炬、还原反应室、反应腔室、反应室支架和收集罐，反应腔室的下部固定在反应室支架上，反应腔室的底部密封连接有收集罐，还原反应室位于反应腔室的内部，还原反应室与反应腔室密封连接，还原反应室顶部固定连接直流电弧等离子体炬。本发明具有生产效率高、工业流程短等特点，属于一步快速还原法，可解决现有氟化物处理方式的中间产物对环境进行二次污染等问题，降低了处理成本，具备工业化应用的潜力。
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公开(公告)号：CN112620847B
公开(公告)日：2022-03-22
申请号：CN202011449318.X
申请日：2020-12-09
Applicant: 核工业西南物理研究院
Abstract: 本发明属于异质材料连接技术领域，具体涉及一种增强碳基材料与铜合金钎焊连接的方法，包括：将碳基材料基体放入有机溶剂中进行超声波清洗、加热烘烤除气并抽真空；利用Ar气等离子体对碳基材料表面进行溅射清洗，同时对碳基材料进行预加热；在碳基材料基体表面上制备金属碳化物冶金层；在金属碳化物冶金层的表面沉积金属化涂层；关闭金属靶材电源，停止工作气体Ar气的充入，关闭加热，真空腔室中的真空度恢复为本底真空度，待碳基材料基体冷却后取出。本发明方法有效解决碳基材料与铜合金连接存在热膨胀系数差异大和润湿性差的问题，实现碳基材料与铜合金热沉材料之间的冶金结合。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114075657A
公开(公告)日：2022-02-22
申请号：CN202111300027.9
申请日：2021-11-04
Applicant: 核工业西南物理研究院
Abstract: 本发明属于复合材料制备领域，具体为一种提升树脂基复合材料成型构件气密性的方法，包括成型构件预处理、成型构件在真空室内挂装、真空室抽真空、等离子体活化、沉积金属涂层、成型构件取出；通过此种工艺提升气密性，金属选取Al、Ti、Cr、Ni的任意一种，显著降低树脂基复合材料的放气及极大提升树脂基复合材料抗卤素介质的腐蚀。通过树脂基复合材料表面等离子体活化及金属涂层物理气相沉积技术低温沉积实现了大厚度金属涂层与复合材料构件基体层的结合强度大于1MPa，从而能够提升树脂基复合材料特殊工况下使用的可靠形。
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公开(公告)号：CN111893453A
公开(公告)日：2020-11-06
申请号：CN202010714625.X
申请日：2020-07-21
Applicant: 四川大学 , 华中科技大学 , 核工业西南物理研究院
IPC: C23C14/58 , C23C14/48 , C23C14/35 , C23C14/18 , B23K26/362
Abstract: 本发明提出了一种在尖锥形陶瓷腔体内壁制备微细金属涂层图案的方法，涉及超材料隐身技术领域。本发明提供的在尖锥形陶瓷腔体内壁制备金属涂层微细金属涂层图案的方法，包括如下步骤，激光从尖锥形陶瓷腔体外部穿透尖锥形陶瓷腔体，对尖锥形陶瓷腔体的内壁上的金属涂层进行激光反向刻蚀，通过选择性扫描在尖锥形陶瓷腔体内壁获得微细金属涂层图案，所述尖锥形陶瓷腔体的壁的厚度为3-15mm。本发明的优点在于，突破传统方法的加工技术壁垒，首次提出利用激光反向刻蚀尖锥形陶瓷腔体内壁的金属涂层，解决了尖锥形陶瓷腔体内壁难构筑微细金属涂层图案的技术难题，便于进一步制备FSS超材料，为尖锥形陶瓷腔雷达罩隐身提供技术基础。
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公开(公告)号：CN109962003A
公开(公告)日：2019-07-02
申请号：CN201711418089.3
申请日：2017-12-25
Applicant: 核工业西南物理研究院 , 成都理工大学工程技术学院
IPC: H01J43/10
Abstract: 本发明属于增强装置，具体涉及一种阴极电子增强装置。一种阴极电子增强装置，由电源、阴极电子发射源和金属薄板组组成，其中金属薄板组设置在阴极电子发射源的电子发射端，金属薄板组由若干长条形金属薄板组成，金属薄板组的截面呈锯齿状。本发明的显著效果是：本申请所述的一种阴极电子增强装置通过注入有铯、镁等金属的金属薄板组在一定电压作用下，将阴极出射的电子获得加速，撞击金属薄板组表面而产生二次电子发射，实现电子倍增，从而实现阴极电子发射电流的提高。同时金属薄板组的形状可以调节，可以对阴极电子发射源的出射电子产生规范作用，实现聚焦等电子光学作用。
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公开(公告)号：CN108611590A
公开(公告)日：2018-10-02
申请号：CN201611145210.5
申请日：2016-12-13
Applicant: 核工业西南物理研究院 , 成都同创材料表面新技术工程中心
Abstract: 本发明属于低温等离子体材料表面处理技术领域，具体涉及一种Ti合金工件防咬死的方法。本方法包括九个步骤，本方法实现Ti合金工件烘烤除气、离子束溅射清洗和原位离子束辅助磁控溅射沉积Ti-TiN周期复合涂层的制备工艺，以得到均匀致密、结合性能良好的Ti-TiN周期复合涂层。提高工件耐磨、抗疲劳和微动磨损等性能，达到防咬死和耐磨的要求。在Ti合金紧固件内螺纹表面制备的Ti-TiN周期复合涂层，纯度高、膜基结合性能好、膜层均匀致密、界面处无孔隙，处理后的Ti合金紧固件达到耐磨、防咬死、抗微动磨损等要求，防咬死性能较未处理工件至少提高了2倍，满足某型号装备使用要求，大大降低了成本，提高了装备的整体使用稳定性和使用寿命。
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公开(公告)号：CN105152689A
公开(公告)日：2015-12-16
申请号：CN201510346890.6
申请日：2015-06-23
Applicant: 核工业西南物理研究院 , 武汉光谷创元电子有限公司
IPC: C04B41/90
Abstract: 本发明公开了一种陶瓷基覆铜板的制造方法，所述方法包括：陶瓷基板清洗、离子束清洗活化、金属离子注入、真空镀膜、电镀增厚铜膜，真空镀膜根据产品的要求，可采用两种膜系：①金属沉积层/铜沉积层；②金属氧化物沉积层/金属沉积层/铜沉积层。本发明的生产效率高、质量稳定、成本低，制造的陶瓷基覆铜板具有孔隙率低、热导率高、剥离强度高、稳定性好等特点。
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