发明公开
- 专利标题: 一种通过电场调控响应波段的氧化镓基深紫外探测器及其制备方法
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申请号: CN202311470826.X申请日: 2023-11-07
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公开(公告)号: CN117497620A公开(公告)日: 2024-02-02
- 发明人: 祁颂 , 李山 , 唐为华
- 申请人: 北京镓和半导体有限公司 , 广州海创产业技术研究院
- 申请人地址: 北京市怀柔区雁栖经济开发区雁栖大街53号院13号楼3层01-325室
- 专利权人: 北京镓和半导体有限公司,广州海创产业技术研究院
- 当前专利权人: 苏州镓和半导体有限公司,广州海创产业技术研究院
- 当前专利权人地址: 215021 江苏省苏州市苏州工业园区金鸡湖大道99号苏州纳米城中北区30幢1001室
- 代理机构: 南京锐恒专利代理事务所
- 代理商 陈思
- 主分类号: H01L31/032
- IPC分类号: H01L31/032 ; H01L31/101 ; H01L31/18
摘要:
本发明公开了一种通过电场调控响应波段的氧化镓基深紫外探测器及其制备方法,包括:由上而下依次设置的金属电极(1)、修饰层(2)、光吸收层(3)和衬底(4),所述金属电极(1)与所述光吸收层(3)之间形成欧姆接触,所述光吸收层(3)为Ga2O3薄膜,所述修饰层(2)采用分散的NiO纳米颗粒,所述衬底(4)为蓝宝石衬底。本发明探测器,不仅在深紫外区域具备优异的光电性能,而且通过简单的电场调控即可实现对深紫外区域内不同波段的区分检测。
IPC分类: