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公开(公告)号：CN117790615A
公开(公告)日：2024-03-29
申请号：CN202311658017.1
申请日：2023-12-06
申请人： 北京镓和半导体有限公司 , 广州海创产业技术研究院
IPC分类号： H01L31/109 , H01L31/18 , H01L31/032
摘要： 本发明属于半导体光子器件领域，具体涉及一种异质结深紫外自供电探测器阵列，所述探测器阵列由以设定阵列结构的Ga2O3‑Co3O4异质结单元构成；每个所述异质结单元包括：第一金属电极、Co3O4薄膜、第二金属电极和Ga2O3薄膜；所述第一金属电极与所述Co3O4薄膜形成欧姆接触；所述第二金属电极与所述Ga2O3薄膜形成欧姆接触。本发明所述探测器阵列表现出良好的均一性，并且每个异质结探测器单元均具有优异的响应度和探测率以及超快的响应速度。此外，该异质结探测器阵列可以在自供电的模式下实现深紫外成像，且成像效果良好。
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公开(公告)号：CN117497620A
公开(公告)日：2024-02-02
申请号：CN202311470826.X
申请日：2023-11-07
申请人： 北京镓和半导体有限公司 , 广州海创产业技术研究院
IPC分类号： H01L31/032 , H01L31/101 , H01L31/18
摘要： 本发明公开了一种通过电场调控响应波段的氧化镓基深紫外探测器及其制备方法，包括：由上而下依次设置的金属电极(1)、修饰层(2)、光吸收层(3)和衬底(4)，所述金属电极(1)与所述光吸收层(3)之间形成欧姆接触，所述光吸收层(3)为Ga2O3薄膜，所述修饰层(2)采用分散的NiO纳米颗粒，所述衬底(4)为蓝宝石衬底。本发明探测器，不仅在深紫外区域具备优异的光电性能，而且通过简单的电场调控即可实现对深紫外区域内不同波段的区分检测。
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公开(公告)号：CN117766554A
公开(公告)日：2024-03-26
申请号：CN202311493258.5
申请日：2023-11-10
申请人： 北京镓和半导体有限公司 , 广州海创产业技术研究院
IPC分类号： H01L27/146
摘要： 本发明提供了一种基于氧化镓的非对称肖特基结自供电探测器阵列及其制备方法，包括由下到上依次为底部电极(1)、Sn掺杂Ga2O3衬底(2)、Ga2O3外延薄膜(3)、绝缘层薄膜(4)以及顶部电极(5)。本发明通过绝缘层的插入，增大了两端肖特基接触的势垒差，能够实现高性能的自供电探测；制备方法简单，可实现大规模阵列化，具备深紫外成像的潜力；制备工艺成熟，可重复性高，适用于大规模制备，可满足实际生产和应用的需求。
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公开(公告)号：CN117727151A
公开(公告)日：2024-03-19
申请号：CN202311470492.6
申请日：2023-11-07
申请人： 北京镓和半导体有限公司 , 广州海创产业技术研究院
摘要： 本发明公开了一种基于氧化镓日盲探测器的火灾及电晕检测两用预警系统和方法，包括控制模块、数据采集模块、数据处理模块、声光报警模块、GPS定位模块、存储模块、无线传输模块和供电模块。本发明通过将设备放置在需要监测的位置，不需考虑太阳光对监测信号带来的强烈干扰，可全天候在户外进行实时的远程监测，一旦发生火灾或电晕放电时，系统会发出警报及时地通知相关人员赶往事发地，从而将损失降到最低。
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公开(公告)号：CN117812473A
公开(公告)日：2024-04-02
申请号：CN202311520325.8
申请日：2023-11-15
申请人： 北京镓和半导体有限公司 , 广州海创产业技术研究院
摘要： 本发明公开了一种基于氧化镓探测器的深紫外成像及信息传输系统和方法，包括图像获取模块、图像处理模块、信息传输模块以及信息接收模块：所述图像获取模块，用于获取目标物体的图像；所述图像处理模块，用于对图像进行降噪、增强，以提高图像质量；所述信息传输模块，用于将图像信息通过深紫外光信号进行传输；所述信息接收模块，用于接收和处理图像数据，并进行数据解码与图像还原。本发明利用氧化镓探测器能够实现深紫外图像的获取以及图像信息的传输，能够在外太空探测、地球环境监测、光通信和军事领域等多个领域发挥关键作用。
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公开(公告)号：CN117613131A
公开(公告)日：2024-02-27
申请号：CN202311698925.3
申请日：2023-12-12
申请人： 北京镓和半导体有限公司 , 广州海创产业技术研究院
IPC分类号： H01L31/102 , H01L31/0352 , H01L31/032 , H01L31/18 , H01L31/0224
摘要： 本发明属于日盲紫外探测技术领域，具体涉及一种基于氧化镓/氧化铁异质结的日盲探测器及制备方法，包括：所述蓝宝石衬底处于整个器件的最下层，所述氧化镓薄膜的下表面位于蓝宝石衬底上方，所述氧化铁薄膜的下表面与氧化镓薄膜的上表面接触，所述氧化镓薄膜和氧化铁薄膜的上方分别设置有与氧化镓薄膜形成欧姆接触的金属电极以及与氧化铁薄膜形成欧姆接触的金属电极。本发明在日盲紫外波段具有出色的响应，而且日盲紫外/可见光抑制比超过了103。此外，在400K的高温条件下探测器的光暗电流比仍高于103，表现出良好的耐高温特性。
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公开(公告)号：CN118117018A
公开(公告)日：2024-05-31
申请号：CN202410061492.9
申请日：2024-01-16
申请人： 北京镓和半导体有限公司
摘要： 本发明公开了一种图形化氧化镓衬底及其制备方法，所述图形化氧化镓衬底表面由相同的呈规则排列的图形组成，每个图形为n+2个棱台(0≤n≤10)和一个棱台或者棱锥构成的多层塔状结构，每层结构按底面面积从大到小逐层向上排列。本发明通过微纳加工技术对氧化镓衬底表面进行图形化，图形化的衬底可以缓解氮化镓薄膜在氧化镓衬底上外延生长过程中的应力，减小氧化镓衬底与氮化镓薄膜之间的晶格失配率，使氧化镓衬底可以外延生长更高质量的氮化镓薄膜，以此提高氮化镓发光器件的性能。
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公开(公告)号：CN118073448A
公开(公告)日：2024-05-24
申请号：CN202410063437.3
申请日：2024-01-16
申请人： 北京镓和半导体有限公司
IPC分类号： H01L31/0352 , H01L31/0392 , H01L31/18
摘要： 本发明公开了一种蜂窝状氧化镓薄膜及其制备方法，该氧化镓薄膜(2)由若干个呈规则排列的正六边形孔洞组成；该制备方法包含如下步骤：步骤1：在衬底(1)上制备二氧化硅薄膜(3)；步骤2：旋涂光刻胶(4)并光刻出图案；步骤3：刻蚀二氧化硅薄膜(3)；步骤4：去除光刻胶(4)并进行清洗；步骤5：沉积氧化镓薄膜(2)；步骤6：去除二氧化硅模板。本发明使用微纳加工技术预先制备二氧化硅柱状阵列模板，通过在模板上沉积氧化镓薄膜，制备了蜂窝状氧化镓薄膜，蜂窝状孔洞增大了薄膜的比表面积，减弱了光线在薄膜表面的反射，增加深紫外光的传播路径，增强薄膜对深紫外光的吸收，本发明工艺可控，重复性强，所制得的薄膜结晶性好、质量高。
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公开(公告)号：CN118073298A
公开(公告)日：2024-05-24
申请号：CN202410063136.0
申请日：2024-01-16
申请人： 北京镓和半导体有限公司
IPC分类号： H01L23/367 , H01L23/373 , H01L21/02 , H01L21/48
摘要： 本发明公开了一种多层齿状凹槽增强散热的氧化镓衬底及其制备方法，所述氧化镓衬底(1)结构为背部有若干等距排列的多层齿状凹槽，每个凹槽有N层，每层结构的宽度和高度随刻蚀深度的增加而减小，凹槽内部填充有高热导率材料(2)。本发明通过多次光刻与刻蚀在氧化镓衬底背部加工出多层齿状凹槽，这种结构能够有效改善氧化镓衬底的散热特性，减少热量集中并提高热量的传导，有助于提高其在热管理方面的效率和性能。
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公开(公告)号：CN221480064U
公开(公告)日：2024-08-06
申请号：CN202323579376.6
申请日：2023-12-27
申请人： 苏州镓和半导体有限公司 , 广州海创产业技术研究院
IPC分类号： C23C16/455
摘要： 本实用新型公开一种Mi st‑CVD喷淋装置，包括：喷淋装置主体，喷淋装置主体顶部开设有喷淋腔室，喷淋装置主体底部开设有载气通道，载气通道与喷淋腔室连通，载气通道与喷淋装置主体同轴设置；喷淋板，喷淋板可拆卸连接在喷淋装置主体的顶部，喷淋板一侧周向等间距安装有若干喷淋头，喷淋头位于喷淋腔室外且与喷淋腔室通过喷淋头与外界连通；反应气体管道，反应气体管道同轴设置在载气通道内，且反应气体管道一端穿过喷淋板，反应气体管道外壁与载气通道内壁之间设置有间隔。本实用新型不仅可以同批次制备多片样品，提高了产量，而且有效地避免前体物质的浪费，对前体物质的利用率更高，每片样品镀膜更加均匀，薄膜的质量更好。
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